在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示,已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過30°后從磁場右邊界射出。在電場和磁場中運(yùn)動時,離子P+和P3+
A.在電場中的加速度之比為1:1
B.在磁場中運(yùn)動的半徑之比為3:1
C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1:2
D.離開電場區(qū)域時的動能之比為1:3
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年山西懷仁一中高二上第一次月考物理試卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示,一光滑斜面的直角點(diǎn)A處固定一帶電量為+q,質(zhì)量為m的絕緣小球,另一同樣小球置于斜面頂點(diǎn)B處,已知斜面長為L, 現(xiàn)把上部小球從B點(diǎn)從靜止自由釋放,球能沿斜面從B點(diǎn)運(yùn)動到斜面底端C處,
求:(1)小球從B處開始運(yùn)動到斜面中點(diǎn)D處時的速度?
(2)小球運(yùn)動到斜面底端C處時,球?qū)π泵娴膲毫κ嵌啻?
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年寧夏高二上學(xué)期10月考物理卷(解析版) 題型:填空題
在點(diǎn)電荷Q形成的電場中有一個點(diǎn)A,當(dāng)一個q=C的正檢驗電荷從電場的無限遠(yuǎn)處被移動到電場中的A點(diǎn),電場力做功為,設(shè)無窮遠(yuǎn)處為零電勢能點(diǎn),則檢驗電荷在A點(diǎn)的電勢能__________J,電場中A點(diǎn)的電勢=_________V。
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年寧夏高二上學(xué)期10月考物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,在勻強(qiáng)電場中有A、B兩點(diǎn),將一電量為q的正電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn),第一次沿直線AB移動該電荷,電場力做功為;第二次沿路徑ACB移動該電荷,電場力做功;第三次沿曲線AB移動該電荷,電場力做功為,則
A. B.
C. D.
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科目:高中物理 來源:2017屆黑龍江省大慶市高三上第一次教學(xué)質(zhì)量檢測物理卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示, 木板靜止于水平地面上, 在其最右端放一可視為質(zhì)點(diǎn)的木塊。已知木塊的質(zhì)量m=1 kg, 木板的質(zhì)量M=4 kg, 長L=2.5 m, 已知木板上表面光滑, 下表面與地面之間的動摩擦因數(shù)μ=0.2,F(xiàn)用水平恒力F=20 N拉木板, g取10 m/s2, 求:
(1)木板加速度的大小;
(2)要使木塊能滑離木板,水平恒力F作用的最短時間。
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科目:高中物理 來源:2017屆黑龍江省大慶市高三上第一次教學(xué)質(zhì)量檢測物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,半徑為R的金屬環(huán)豎直放置,環(huán)上套有一質(zhì)量為m的小球,小球開始時靜止于最低點(diǎn),F(xiàn)使小球以初速度v0=沿環(huán)上滑,小環(huán)運(yùn)動到環(huán)的最高點(diǎn)時與環(huán)恰無作用力,則小球從最低點(diǎn)運(yùn)動到最高點(diǎn)的過程中
A.小球機(jī)械能守恒
B.小球在最低點(diǎn)時對金屬環(huán)的壓力是6mg
C.小球在最高點(diǎn)時,重力的功率是mg
D.小球機(jī)械能不守恒,且克服摩擦力所做的功是0.5mgR
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科目:高中物理 來源:2017屆黑龍江省大慶市高三上第一次教學(xué)質(zhì)量檢測物理卷(解析版) 題型:選擇題
下列說法中正確的是
A.哥白尼首先提出了地球是宇宙中心的所謂“地心說”
B.伽利略最早建立了太陽是宇宙中心的所謂“日心說”
C.卡文迪許第一個用扭秤實驗測量出了靜電力常數(shù)k
D.密立根首先利用油滴實驗測得了元電荷e的數(shù)值
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科目:高中物理 來源:2017屆河北省高三上學(xué)期10.16周練物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖,某滑塊初速度v0沿表面粗糙且足夠長的固定斜面,從頂端下滑,直至速度為零.對于該運(yùn)動過程若用h、s、v、a分別表示滑塊的下降高度、位移、速度和加速度的大小,t表示時間,則下列圖象最能正確描述這一運(yùn)動規(guī)律的是( )
A. B.
C. D.
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科目:高中物理 來源:2017屆河北省高三高補(bǔ)班上第二次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
關(guān)于電場場強(qiáng)的概念,下列說法正確的是( )
A.由可知,某電場的場強(qiáng)E與q成反比,與F成正比
B.正負(fù)試探電荷在同一點(diǎn)受到的電場力方向相反,所以某一點(diǎn)場強(qiáng)方向與試探電荷的正負(fù)有關(guān)
C.電場中某一點(diǎn)的場強(qiáng)與放入該點(diǎn)的試探電荷正負(fù)無關(guān)
D.電場中某一點(diǎn)不放試探電荷時,該點(diǎn)場強(qiáng)等于零
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