17.如圖所示,水平軌道與半徑為R的光滑半圓軌道相切,半圓軌道的左道的左側(cè)存在著場(chǎng)強(qiáng)E=50N/C方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和次感應(yīng)強(qiáng)度B=1.25T垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在水平軌道上一個(gè)質(zhì)量為m=0.01kg、電荷量為q=+10-3C的帶電小球A以初速度為V0=40m/s向右運(yùn)動(dòng),小球A與水平軌道間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.5,在光滑半圓軌道最低點(diǎn)停放一個(gè)質(zhì)量為M=0.3kg的不帶電絕緣小球B,兩個(gè)小球均可看成質(zhì)點(diǎn),小球A與小球B碰撞后以V1=20m/s的速度向左運(yùn)動(dòng),小球B沿圓軌道運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn)水平拋出,g=10m/s2.求當(dāng)圓軌道半徑R取值多大值時(shí),B球的平拋水平距離最大?最大值是多少?

分析 小球所受的電場(chǎng)力、洛倫茲力和重力平衡,做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),根據(jù)動(dòng)量守恒定律求出碰撞后B的速度,結(jié)合機(jī)械能守恒定律和平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律求出平拋運(yùn)動(dòng)水平距離的表達(dá)式,結(jié)合數(shù)學(xué)知識(shí)進(jìn)行求解.

解答 解:小球所受的電場(chǎng)力為:${F}_{1}=qE=50×1{0}^{-3}N=0.05N$,
小球所受的洛倫茲力為:${F}_{2}=q{v}_{0}B=1{0}^{-3}×40×1.25N$=0.05N,
因?yàn)閝E+qv0B=mg,則小球在水平面上做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),
A、B兩球碰撞前后瞬間動(dòng)量守恒,規(guī)定向右為正方向,根據(jù)動(dòng)量守恒定律得:
mv0=-mv1+Mv2
代入數(shù)據(jù)解得:v2=2m/s.
根據(jù)機(jī)械能守恒定律得:$\frac{1}{2}M{{v}_{2}}^{2}=Mg•2R+\frac{1}{2}M{{v}_{3}}^{2}$,
平拋運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為:t=$\sqrt{\frac{4R}{g}}$,
則水平位移為:x=v3t=$\sqrt{1.6R-16{R}^{2}}$=$\sqrt{-(4R-0.2)^{2}+0.04}$m,
可知當(dāng)R=0.05m時(shí),B的水平距離最大,最終距離為0.2m.
答:當(dāng)圓軌道半徑R取值為0.05m時(shí),B球的平拋水平距離最大,最大值是0.2m.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了動(dòng)量守恒定律、機(jī)械能守恒定律與圓周運(yùn)動(dòng)和平拋運(yùn)動(dòng)的綜合,綜合性較強(qiáng),對(duì)學(xué)生數(shù)學(xué)解決物理問(wèn)題的能力要求較高,需加強(qiáng)這方面的訓(xùn)練.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

7.從某處以25m/s速度同時(shí)拋出兩個(gè)物體,一個(gè)豎直上拋,一個(gè)豎直下拋,經(jīng)過(guò)2s,這兩個(gè)物體之間的距離是多少?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

8.如圖所示,在桌面上方有一倒立的玻璃圓錐,頂角∠AOB=120°,頂點(diǎn)O與桌面的距離為4a,圓錐的底面半徑R=a,圓錐軸線(xiàn)與桌面垂直.有一半徑為R的圓柱形平行光束垂直入射到圓錐的底面上,光束的中心軸與圓錐的軸重合.已知玻璃的折射率n=$\sqrt{3}$,求光束在桌面上形成的光斑的面積.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

5.一半徑為R的均勻帶電圓環(huán),帶有正電荷.其軸線(xiàn)與x軸重合,環(huán)心位于坐標(biāo)原點(diǎn)O處,M、N為x軸上的兩點(diǎn),則下列說(shuō)法正確的是( 。
A.環(huán)心O處電場(chǎng)強(qiáng)度為零
B.沿x軸正方向從O點(diǎn)到無(wú)窮遠(yuǎn)處電場(chǎng)強(qiáng)度越來(lái)越小
C.沿x軸正方向由M點(diǎn)到N點(diǎn)電勢(shì)越來(lái)越高
D.將一正試探電荷由M點(diǎn)移到N點(diǎn),電荷的電勢(shì)能增加

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題

12.沿x軸正向傳播的一列簡(jiǎn)諧橫波在t=0時(shí)刻的波形如圖所示,M為介質(zhì)中的一個(gè)質(zhì)點(diǎn),該波的傳播速度為40m/s,則t=$\frac{1}{40}$s時(shí)(  )
A.質(zhì)點(diǎn)M對(duì)平衡位置的位移為負(fù)值
B.質(zhì)點(diǎn)M的速度方向與對(duì)平衡位置的位移方向相同
C.質(zhì)點(diǎn)M的加速度方向與速度方向相同
D.質(zhì)點(diǎn)M的加速度方向與對(duì)平衡位置的位移方向相反

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

2.半圓形玻璃磚的橫截面如圖所示,O點(diǎn)為圓心,OO′為直徑MN的垂線(xiàn),足夠大的光屏PQ與直徑MN垂直并接觸于N點(diǎn),已知半圓形玻璃磚的半徑R=10cm,折射率n=$\sqrt{3}$,一細(xì)束激光沿半徑方向射向圓心O點(diǎn),入射光線(xiàn)與OO′夾角θ=30°,光屏PQ上出現(xiàn)兩個(gè)光斑,則這兩個(gè)光斑之間的距離為( 。
A.$\frac{{20\sqrt{3}}}{3}$cmB.$5\sqrt{3}$cmC.$\frac{{40\sqrt{3}}}{3}$cmD.$20\sqrt{3}$cm

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

9.如圖所示,質(zhì)量為M=2kg的足夠長(zhǎng)的U型金屬框架abcd,放在光滑絕緣水平面上,導(dǎo)軌ab邊寬度L=1m.電阻不計(jì)的導(dǎo)體棒PQ,質(zhì)量m=1kg,平行于ab邊放置在導(dǎo)軌上,并始終與導(dǎo)軌接觸良好,棒與導(dǎo)軌間動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5,棒左右兩側(cè)各有兩個(gè)固定于水平面上的光滑立柱.開(kāi)始時(shí)PQ左側(cè)導(dǎo)軌的總電阻R=1Ω,右側(cè)導(dǎo)軌單位長(zhǎng)度的電阻為r0=0.5Ω/m.以ef為界,分為左右兩個(gè)區(qū)域,最初aefb構(gòu)成一正方形,g取10m/s2

(1)如果從t=0時(shí),在ef左側(cè)施加B=kt(k=2T/s),豎直向上均勻增大的勻強(qiáng)磁場(chǎng),如圖甲所示,多久后金屬框架會(huì)發(fā)生移動(dòng)(設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力).
(2)如果ef左右兩側(cè)同時(shí)存在B=1T的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向分別為豎直向上和水平向左,如圖乙所示.從t=0時(shí),對(duì)框架施加一垂直ab邊的水平向左拉力,使框架以a=0.5m/s2向左勻加速運(yùn)動(dòng),求t=2s時(shí)拉力F多大
(3)在第(2)問(wèn)過(guò)程中,整個(gè)回路產(chǎn)生的焦耳熱為Q=0.6J,求拉力在這一過(guò)程中做的功.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

6.如圖甲所示,傾角為θ的斜面足夠長(zhǎng),質(zhì)量為m的小物塊受沿斜面向上的拉力F作用,靜止在斜面中點(diǎn)O處,先改變拉力F的大。ǚ较蚴冀K沿斜面向上)物塊由靜止開(kāi)始沿斜面向下運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)過(guò)程中物塊的機(jī)械能E隨離開(kāi)O點(diǎn)的位移x變化關(guān)系如圖乙所示,其中O~x1 過(guò)程的圖線(xiàn)為曲線(xiàn),x1~x2 過(guò)程的圖線(xiàn)為直線(xiàn),物塊與斜面間動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.物塊從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到位移為x2 的過(guò)程中( 。
A.物塊的加速度始終在減少
B.物塊減少的機(jī)械能等于物塊克服合力做的功
C.物塊減少的機(jī)械能小于減少的重力勢(shì)能
D.物塊減少的機(jī)械能等于物塊克服摩擦力做的功

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

10.2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效直的物理學(xué)家.材料的電阻隨磁場(chǎng)的增加而增大的現(xiàn)象稱(chēng)為磁阻效應(yīng),利用這種效應(yīng)可以測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度.如圖1所示為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強(qiáng)度特性曲線(xiàn),其中RB、R0分別表示有、無(wú)磁場(chǎng)時(shí)磁敏電阻的阻值.為了測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B,需先測(cè)量磁敏電阻處于磁場(chǎng)中的電阻值RB

(1)某研究性課題小組設(shè)計(jì)一個(gè)可以測(cè)量磁場(chǎng)中該磁敏電阻阻值的電路.本著盡量提高測(cè)量的精確度的原則,他們?cè)谙铝衅鞑闹羞x出了必要的器材,正確接線(xiàn)后,將磁敏電阻置入待測(cè)磁場(chǎng)中,測(cè)量數(shù)據(jù)如表:
12345678
U(V)0.000.400.801.201.602.002.402.80
I(mA)0.000.400.791.211.592.022.392.81
根據(jù)表的數(shù)據(jù),該小組同學(xué)電流表選擇的是:D;電壓表選擇的是:F;滑動(dòng)變阻器選擇的是B(填器材前面的選項(xiàng)字母).并在圖2的虛線(xiàn)框內(nèi)畫(huà)出他們?cè)O(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)電路原理圖提供的器材如下:
A.磁敏電阻,無(wú)磁場(chǎng)時(shí)阻值R0=100Ω(磁敏電阻及所處磁場(chǎng)已給出,不考慮磁場(chǎng)對(duì)電路其它部分的影響).
B.滑動(dòng)變阻器R1,全電阻約10Ω
C.滑動(dòng)變阻器R2,全電阻約500Ω
D.電流表A1,量程3.0mA,內(nèi)阻約為5Ω
E.電流表A2,量程500μA,內(nèi)阻約為15Ω
F.電壓表V1,量程3V,內(nèi)阻約為3000Ω
G.電壓表V2,量程5V,內(nèi)阻約為5000Ω
H.直流電源E,電動(dòng)勢(shì)5V,內(nèi)阻不計(jì)
I.開(kāi)關(guān)S,導(dǎo)線(xiàn)若干
(2)可求出磁敏電阻的測(cè)量值RB=1000Ω,待測(cè)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=0.90T.(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)

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