圖甲中bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m,的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應強度隨時間的變化如圖乙,導體棒PQ始終靜止,在0~t1時間內(nèi)(  )

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A.導體棒PQ所受安培力的方向始終沿軌道斜面向上
B.導體棒PQ所受安培力的方向始終沿軌道斜面向下
C.導體棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D.導體棒PQ受到的摩擦力可能先減小后增大
根據(jù)法拉第電磁感應定律可知在線圈中產(chǎn)生恒定的感應電流,開始導體棒PQ受到沿導軌向上的安培力,
若開始安培力小于導體棒重力沿導軌向下的分力mgsinθ,則摩擦力為:f=mgsinθ-F,隨著安培力的減小,摩擦力f逐漸逐漸增大,
當安培力反向時,f=mgsinθ+F安,安培力逐漸增大,故摩擦力也是逐漸增大;
若安培力大于mgsinθ,則安培力為:f=F-mgsinθ,由于安培力逐漸減故,摩擦力逐漸減小,
當F=mgsinθ時,摩擦力為零并開始反向變?yōu)椋篺=mgsinθ-F,隨著安培力的變化將逐漸增大,
故選CD.
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(2007?汕頭模擬)如圖甲中bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應強度的變化如圖乙,PQ始終靜止,在0-ts內(nèi),PQ受到的摩擦力的變化情況可能是(  )

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圖甲中bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m,的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應強度隨時間的變化如圖乙,導體棒PQ始終靜止,在0~t1時間內(nèi)( 。
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圖甲中bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m,的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應強度隨時間的變化如圖乙,導體棒PQ始終靜止,在0~t1時間內(nèi)( )

A.導體棒PQ所受安培力的方向始終沿軌道斜面向上
B.導體棒PQ所受安培力的方向始終沿軌道斜面向下
C.導體棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D.導體棒PQ受到的摩擦力可能先減小后增大

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如圖甲中bacd為導體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中,磁感應強度的變化如圖乙,PQ始終靜止,在0-ts內(nèi),PQ受到的摩擦力的變化情況可能是( )

A.f一直增大
B.f一直減小
C.f先減小后增大
D.f先增大后減小

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