在傾角為θ絕緣材料做成的斜面上放一個(gè)質(zhì)量為m,帶電量為+q的小滑塊,滑塊與斜面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,μ<tanθ,整個(gè)裝置處在大小為B方向垂直斜面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。則滑塊在斜面上運(yùn)動(dòng)達(dá)到的穩(wěn)定速度大小為      。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,在傾角為θ,用絕緣材料制成的斜面上,一個(gè)質(zhì)量為m,帶電量為+q小滑塊,它與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為?(?<tgθ).整個(gè)裝置處于方向垂直斜面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.若小滑塊由A點(diǎn)靜止釋放,到達(dá)B點(diǎn)時(shí)剛好能做直線運(yùn)動(dòng).已知斜面足夠大,滑塊電量不變,A、B兩點(diǎn)高度差為H.
求:(1)試根據(jù)小滑塊的受力特點(diǎn),分析小滑塊經(jīng)過b點(diǎn)后的運(yùn)動(dòng)情況;
(2)小滑塊作直線運(yùn)動(dòng)時(shí)的速度方向與斜面邊線MN的夾角(用三角函數(shù)表示);
(3)小滑塊從A運(yùn)動(dòng)到B的過程中,滑動(dòng)摩擦力所做的功.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)內(nèi)壁光滑的絕緣材料制成圓軌道固定在傾角為θ的斜面上,與斜面的交點(diǎn)是A,直徑AB垂直于斜面,直徑CD和MN分別在水平和豎直方向上.它們處在水平方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)中.質(zhì)量為m、電荷量為q的小球(可視為點(diǎn)電荷)剛好能靜止于圓軌道內(nèi)的A點(diǎn).現(xiàn)對(duì)在A點(diǎn)的該點(diǎn)電荷施加一沿圓環(huán)切線方向的瞬時(shí)初速度v,使其恰能繞圓環(huán)完成圓周運(yùn)動(dòng).下列對(duì)該點(diǎn)電荷運(yùn)動(dòng)的分析,正確的是( 。
A、小球一定帶正電B、小球在做圓周運(yùn)動(dòng)過程中機(jī)械能守恒C、小球運(yùn)動(dòng)到M點(diǎn)時(shí)動(dòng)能最小D、小球運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)動(dòng)能最小

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科目:高中物理 來(lái)源:2006-2007學(xué)年廣東省廣州市從化市高三(上)期末物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖所示,在傾角為θ,用絕緣材料制成的斜面上,一個(gè)質(zhì)量為m,帶電量為+q小滑塊,它與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為µ(µ<tgθ).整個(gè)裝置處于方向垂直斜面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.若小滑塊由A點(diǎn)靜止釋放,到達(dá)B點(diǎn)時(shí)剛好能做直線運(yùn)動(dòng).已知斜面足夠大,滑塊電量不變,A、B兩點(diǎn)高度差為H.
求:(1)試根據(jù)小滑塊的受力特點(diǎn),分析小滑塊經(jīng)過b點(diǎn)后的運(yùn)動(dòng)情況;
(2)小滑塊作直線運(yùn)動(dòng)時(shí)的速度方向與斜面邊線MN的夾角(用三角函數(shù)表示);
(3)小滑塊從A運(yùn)動(dòng)到B的過程中,滑動(dòng)摩擦力所做的功.

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