【題目】17世紀(jì)歐洲學(xué)者質(zhì)疑、改變和放棄了歐洲所繼承知識(shí)中最神圣化的認(rèn)識(shí)?茖W(xué)革命的思想巨變使他們重新考察和描述宇宙的性質(zhì)及其力量。在這里,對(duì)宇宙的性質(zhì)及其力量做出“革命”性描述是
A.哥白尼B.伽利略C.牛頓D.普朗克
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】?jī)蓚(gè)質(zhì)量均為m的物體甲、乙靜止在粗糙的水平面上,現(xiàn)分別用水平拉力作用在物體上,使兩物體從同一起點(diǎn)并排沿同一方向由靜止開始運(yùn)動(dòng),用個(gè)物體的v一t圖像如圖所示,則下列說法正確的是( )
A.前2s內(nèi)兩物體的加速度始終不同
B.t=3s時(shí)甲在乙前面
C.t=2s時(shí)兩物體相遇
D.t=2s時(shí)甲的位移大于乙的位移
E.前2s兩物體的合外力做功相同
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,質(zhì)量為m=1kg的物體,由豎直放置 的光滑圓弧軌道上端從靜止開始下滑軌道靜止不動(dòng),到達(dá)圓弧底端再沿水平面向右滑動(dòng)一段距離而停止.已知圓弧軌道半徑R=0.2m,圓弧軌道的上端與圓心在同一水平面內(nèi),g=10m/s2 , μ=0.2,
求:
(1)物體滑至圓弧底端時(shí)的速度大小;
(2)物體滑至圓弧底端時(shí),物體對(duì)圓弧底端的壓力大;
(3)物體沿水平面滑動(dòng)過程中受到的摩擦力大。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某同學(xué)用圖甲所示實(shí)驗(yàn)裝置做“研究平拋物體的運(yùn)動(dòng)”實(shí)驗(yàn),他先調(diào)整斜槽軌道槽口末端水平,然后在方格紙(甲圖中未畫出方格)上建立好直角坐標(biāo)系xOy,將方格紙上的坐標(biāo)原點(diǎn)O與軌道槽口末端重合,Oy軸與重垂線重合,Ox軸水平.實(shí)驗(yàn)中使小球每次都從斜槽同一高度由靜止?jié)L下,經(jīng)過一段水平軌道后拋出.依次均勻下移水平擋板的位置,分別得到小球在擋板上的落點(diǎn),先在方格紙上標(biāo)出相應(yīng)的點(diǎn)跡,然后作出如圖乙所示的小球運(yùn)動(dòng)軌跡.
①平拋運(yùn)動(dòng)水平方向分運(yùn)動(dòng)是運(yùn)動(dòng).
②為了能較準(zhǔn)確的完成實(shí)驗(yàn),需要 .
A.調(diào)節(jié)裝置使斜槽末端保持水平
B.實(shí)驗(yàn)所用斜槽的軌道必須是光滑的
③已知方格每格長(zhǎng)L,重力加速度為g,則小球到B點(diǎn)時(shí)豎直方向的速度為 .
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】一個(gè)靜止在光滑水平面上的物體,受水平拉力的作用從靜止開始做加速度為3m/s2的勻加速直線運(yùn)動(dòng),求物體第2s末的速度及前2s內(nèi)的位移.(g=10m/s2)
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,用兩根相同的細(xì)繩水平懸掛一段均勻載流直導(dǎo)線MN , 電流I方向從M到N , 繩子的拉力均為F . 為使F=0,可能達(dá)到要求的方法是( 。
A.加水平向右的磁場(chǎng)
B.加水平向左的磁場(chǎng)
C.加垂直紙面向里的磁場(chǎng)
D.加垂直紙面向外的磁場(chǎng)
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】從根本上動(dòng)搖了歐洲中世紀(jì)宗教神學(xué)理論基礎(chǔ)的學(xué)說是:
A.萬有引力定律
B.牛頓力學(xué)三定律
C.太陽中心說
D.生物進(jìn)化論
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲所示,在粗糙程度處處相同的水平地面上,物塊在水平向右的力F作用下由靜止開始運(yùn)動(dòng).運(yùn)動(dòng)的速度v與時(shí)間t的關(guān)系如圖乙所示.由圖象可知( )
A.在2s﹣4s內(nèi),力F不變
B.在4s﹣6s內(nèi),力F為零
C.在0﹣2s內(nèi),力F逐漸變小
D.在0﹣2s內(nèi),力F逐漸增大
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】指紋傳感器已經(jīng)走入日常生活中,設(shè)在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬金屬顆粒,每一顆粒充當(dāng)電容器的一極,外表面絕緣,當(dāng)手指貼在其上時(shí)就構(gòu)成了電容器的另一極,這就組成了指紋傳感器.當(dāng)手指的指紋一面與絕緣表面接觸時(shí),由于指紋深淺不同,對(duì)應(yīng)的峪和嵴(突起和凹陷)與顆粒間形成一個(gè)個(gè)電容值大小不同的電容器,則( 。
A.指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小
B.指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小
C.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓,在手指靠近時(shí),各金屬電極均處于放電狀態(tài)
D.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓,在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)
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