A. | 黑體輻射電磁波的強(qiáng)度只與黑體的溫度有關(guān) | |
B. | 對(duì)于同種金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)時(shí),逸出光電子的最大初動(dòng)能與照射光的頻率成正比 | |
C. | 一塊純凈的放射性元素礦石,經(jīng)過一個(gè)半衰期以后,它的總質(zhì)量?jī)H剩下一半 | |
D. | 按照波爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時(shí),電子的動(dòng)能減小,原子的總能量卻增加了 |
分析 黑體輻射電磁波的強(qiáng)度按波長(zhǎng)的分布只與黑體的溫度有關(guān);根據(jù)光電效應(yīng)方程,Ek=hγ-W,可知,最大初動(dòng)能 Ek與照射光的頻率的關(guān)系;
經(jīng)過一個(gè)半衰期以后,有一半質(zhì)量發(fā)生衰變;氫原子核外電子軌道半徑越大則能量越大,動(dòng)能越小
解答 解:A、黑體輻射電磁波的強(qiáng)度按波長(zhǎng)的分布只與黑體的溫度有關(guān),故A正確;
B、根據(jù)光電效應(yīng)方程,Ek=hγ-W,可知,逸出光電子的最大初動(dòng)能 Ek與照射光的頻率成線性關(guān)系,故B錯(cuò)誤;
C、經(jīng)過一個(gè)半衰期以后,有一半的質(zhì)量發(fā)生衰變,產(chǎn)生新核,經(jīng)過一個(gè)半衰期以后它的總質(zhì)量大于原來的一半,故C錯(cuò)誤;
D、庫(kù)侖力對(duì)電子做負(fù)功,所以動(dòng)能變小,電勢(shì)能變大(動(dòng)能轉(zhuǎn)為電勢(shì)能)而因?yàn)槲樟斯庾樱偰芰孔兇螅蔇正確.
故選:AD
點(diǎn)評(píng) 考查黑體輻射的規(guī)律,掌握物理史實(shí),知道衰變產(chǎn)生新核,理解光電效應(yīng)方程,本題考查的知識(shí)點(diǎn)較多,難度不大,需要我們?cè)趯W(xué)習(xí)選修課本時(shí)要全面掌握,多看多記
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A 球吸收的熱量多 | B. | B 球吸收的熱量多 | ||
C. | A、B 球吸收的熱量一樣多 | D. | 不能確定吸收熱量的多少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | r>r0時(shí),分子勢(shì)能不斷減小,分子間的斥力和引力都減小 | |
B. | r=r0時(shí),分子勢(shì)能為零,斥力大于引力 | |
C. | r<r0時(shí),分子勢(shì)能增大,分子間斥力大于引力 | |
D. | r<r0時(shí),達(dá)到最小值時(shí),分子勢(shì)能最大,分子力為斥力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 斷開開關(guān)的瞬間 | |
B. | 閉合開關(guān)的瞬間 | |
C. | 在開關(guān)閉合的情況下,向上移動(dòng)線圈A的過程中 | |
D. | 在開關(guān)閉合的情況下,滑動(dòng)變阻器的滑動(dòng)端P向右滑動(dòng)的過程中 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電動(dòng)機(jī)由于傳送物塊多做的功為$\frac{m{v}^{2}}{2}$ | |
B. | 物體在傳送帶上的劃痕長(zhǎng)$\frac{{v}^{2}}{2μg}$ | |
C. | 摩擦力對(duì)物體做的功為$\frac{m{v}^{2}}{2}$ | |
D. | 傳送帶克服摩擦力做的功等于摩擦熱 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 它的波長(zhǎng)會(huì)變短同時(shí)頻率變小 | B. | 它的波長(zhǎng)會(huì)變短同時(shí)頻率不變 | ||
C. | 它的速度會(huì)變小而波長(zhǎng)不變 | D. | 它的顏色將保持不變而波長(zhǎng)變短 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 相鄰兩個(gè)小球間的時(shí)間間隔為0.5 s | |
B. | 相鄰兩個(gè)小球間的時(shí)間間隔為1 s | |
C. | 第3個(gè)小球和第5個(gè)小球間的距離為35 m | |
D. | 第3個(gè)小球和第5個(gè)小球間的距離為25 m |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 力是產(chǎn)生位移的原因 | B. | 力是維持物體運(yùn)動(dòng)的原因 | ||
C. | 力是改變物體速度的原因 | D. | 力是物體獲得速度的原因 |
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