【題目】有質(zhì)量相同的兩個小物體a、b。現(xiàn)將小物體a從高為h的光滑斜面的頂端由靜止釋放,同時小物體b從與a等高的位置開始做自由落體運動,最后到達同一水平面,如圖所示。則下列判斷正確的是
A. 重力對兩物體做功相同
B. 重力的平均功率相同
C. 到達底端時兩物體的速率相同
D. 到達底端時重力的瞬時功率相同
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【題目】為了描繪一個“12V 6W”的小燈泡的伏安特性曲線,現(xiàn)提供以下器材進行實驗:
直流電源E:電動勢15V,內(nèi)阻不計;
電流表A:量程分別0~0.6A和0~3A,內(nèi)阻分別約為0.5Ω和0.1Ω;
電壓表V:量程0~3V,內(nèi)阻為3kΩ;
定值電阻R0:阻值為12kΩ;
滑動變阻器R:最大阻值20Ω,允許通過的最大電流1A;
開關(guān)一個;導(dǎo)線若干。
由于電壓表的量程偏小,要用所給電壓表V和定值電阻R0改裝成一個較大量程的電壓表V′,改裝后的電壓表量程為___________;
(2)在方框里畫出符合本實驗要求的電路圖;
_____
(3)根據(jù)測得的電壓表V的示數(shù)和電流表A的示數(shù),描出I-U曲線如圖甲所示。某次測量時,電流表指針位置如圖乙所示,則電流表讀數(shù)為___________A,此時小燈泡的電阻為___________Ω
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【題目】如圖所示,A、B、C為一等邊三角形的三個頂點,某勻強電場的電場線平行于該三角形所在平面,F(xiàn)將帶電量為q的正電荷從B點移到A點,需克服電場力做功為W;將帶電量為q的負(fù)電荷從B點移到C點,電場力做功為2W。則該勻強電場的場強方向為( )
A. 平行于AC邊,沿A指向C的方向
B. 平行于AC邊,沿C指向A的方向
C. 平行于BC邊,沿B指向C的方向
D. 平行于BC邊,沿C指向B的方向
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【題目】如圖所示,長為L=0.5m、傾角為θ=37°的光滑絕緣斜面處于水平向右的勻強電場中,一帶電荷量為+q,質(zhì)量為m的小球(可視為質(zhì)點),以初速度v0=3m/s恰能沿斜面勻速上滑,g=10m/s2,sin37°=0.6,cos37°=0.8,則下列說法中正確的是( )
A. 水平勻強電場的電場強度大小為3mg/5q
B. 小球在B點的電勢能大于在A點的電勢能
C. 若電場強度大小加倍,小球運動的加速度大小為6 m/s2
D. 若電場強度大小減半,小球運動到B點時速度為初速度v0的一半
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【題目】如圖,在發(fā)射地球同步衛(wèi)星的過程中,衛(wèi)星首先進入近地停泊軌道Ⅰ,然后由Q點進入橢圓軌道Ⅱ,再在P點通過改變衛(wèi)星速度,讓衛(wèi)星進入地球同步軌Ⅲ,則
A. 將衛(wèi)星發(fā)射至軌道Ⅰ,發(fā)射速度必定大于11.2km/s
B. 衛(wèi)星在同步軌道Ⅲ上運行時,其速度小于7.9km/s
C. 衛(wèi)星在P點通過加速來實現(xiàn)由軌道Ⅱ進入軌道Ⅲ
D. 衛(wèi)星在軌道Ⅱ上經(jīng)過P點時的加速度大于在軌道Ⅲ上經(jīng)過P點時的加速度
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【題目】如果在某電場中將電荷量為5.0×10-4C的正電荷,僅在靜電力作用下由A點移到B點,靜電力做功為2.0×10-3J,則( )
A. 電荷在B點的動能比在A點的動能小2.0×10-3J
B. 電荷在B點的電勢能比在A點的電勢能小2.0×10-3J
C. A、B兩點間電勢差為-4 V
D. 若在A、B兩點間移動一個q=1.0×10-4C的負(fù)電荷,電荷將克服靜電力做4.0×10-4J的功
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【題目】如圖所示的電路中,A 1 、A 2 為完全相同的燈泡,線圈L 的電阻忽略不計.下列說法中正確的是 ( )
A. 閉合開關(guān)K接通電路時,A 2 先亮A 1 后亮,最后一樣亮
B. 閉合開關(guān)K接通電路瞬間,A 1 和A 2 同時變亮
C. 斷開開關(guān)K切斷電路時,A 2 立即熄滅A 1 過一會兒才熄滅
D. 斷開開關(guān)K切斷電路時,A 1 ,A 2 立即熄滅
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【題目】如圖所示,ab是兩平行正對的金屬圓環(huán),a中通有正弦交變電流i,其變化規(guī)律如圖所示。下列說法正確的是( )
A. t1時刻,b環(huán)內(nèi)的感應(yīng)電動勢最大
B. t2時刻,b環(huán)內(nèi)的感應(yīng)電流方向改變
C. t3~t4時間內(nèi),b環(huán)內(nèi)感應(yīng)電流的方向與a環(huán)內(nèi)電流的方向相反
D. 0~ t4時間內(nèi),t2時刻b環(huán)內(nèi)的感應(yīng)電動勢最大
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【題目】如圖所示為萬用表歐姆擋的內(nèi)部電路,a、b為表筆插孔,下列說法中正確的是(_______)
A.a(chǎn)孔插紅表筆
B.表盤刻度是均勻的
C.用×100Ω擋測量時,若指針指在0Ω附近,則應(yīng)換用×1kΩ擋
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