7.如圖所示,在光滑水平面上,有豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng),分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi),兩個(gè)邊長(zhǎng)均為a(a<L)的單匝閉合正方形線圈甲和乙,分別用相同材料不同粗細(xì)的導(dǎo)線繞制而成,且導(dǎo)線的橫截面積S:S=1:4.將線圈置于光滑水平面上且位于磁場(chǎng)的左邊界,并使兩線圈獲得大小相等、方向水平向右的初速度,若甲線圈剛好能滑離磁場(chǎng),則( 。
A.乙線圈也剛好能滑離磁場(chǎng)
B.兩線圈完全進(jìn)入磁場(chǎng)后的動(dòng)能相同
C.兩線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)線橫截面積電量相同
D.甲線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量Q1與乙線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量Q2之比為1:4

分析 根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律、安培力公式得到線框的加速度表達(dá)式,再分析兩個(gè)線圈的運(yùn)動(dòng)情況,即可判斷乙線圈能否滑離磁場(chǎng).根據(jù)感應(yīng)電荷量公式q=n$\frac{△Φ}{R}$,分析電量關(guān)系.根據(jù)能量守恒定律分析熱量關(guān)系.

解答 解:A、設(shè)任一線圈的橫面積為S,電阻率為ρ,密度為ρ
線圈進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電流為 I=$\frac{Bav}{R}$,所受的安培力大小為 F=BIa=$\frac{{B}^{2}{a}^{2}v}{R}$,加速度大小為 a=$\frac{F}{m}$=$\frac{{B}^{2}{a}^{2}v}{mR}$=$\frac{{B}^{2}{a}^{2}v}{4a•S{ρ}_{密}•{ρ}_{電}•\frac{4a}{S}}$=$\frac{{B}^{2}v}{16{ρ}_{密}{ρ}_{電}}$,可知a與S無關(guān),所以兩個(gè)線圈進(jìn)入磁場(chǎng)的過程,任意時(shí)刻加速度相同,同理離開磁場(chǎng)的過程任意時(shí)刻的加速度也相同,運(yùn)動(dòng)情況完全相同,所以若甲線圈剛好能滑離磁場(chǎng),乙線圈也剛好能滑離磁場(chǎng),故A正確.
B、根據(jù)A項(xiàng)分析可知,兩個(gè)線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程的速度相等,由于質(zhì)量不同,所以動(dòng)能不等,故B錯(cuò)誤.
C、根據(jù)感應(yīng)電荷量公式q=n$\frac{△Φ}{R}$,可知,進(jìn)入磁場(chǎng)過程中磁通量的變化量相等,但由于兩個(gè)線圈的電阻不同,則兩線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)線橫截面電荷量不同,故C錯(cuò)誤.
D、設(shè)線圈的初速度為v1,完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為v2,根據(jù)能量守恒得:線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量 Q=$\frac{1}{2}$m${v}_{1}^{2}$-$\frac{1}{2}m{v}_{2}^{2}$,則Q與m成正比,所以甲線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量Q1與乙線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量Q2之比為 Q1:Q2=m1:m2=S:S=1:4,故D正確.
故選:AD.

點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵要綜合考慮影響加速度的因素,將加速度表達(dá)式中質(zhì)量和電阻細(xì)化,掌握感應(yīng)電荷量公式q=n$\frac{△Φ}{R}$,理解掌握克服安培力做功等于產(chǎn)生的熱量等等,應(yīng)加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí),提高綜合分析問題的能力

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:多選題

7.在一次投球游戲中,小剛同學(xué)調(diào)整好力度,將球水平拋向放在地面的小桶中,結(jié)果球沿弧線飛到小桶的右方.不計(jì)空氣阻力,則下次再投時(shí),他可能作出的調(diào)整為(  )
A.初速度大小不變,降低拋出點(diǎn)高度B.初速度大小不變,提高拋出點(diǎn)高度
C.拋出點(diǎn)高度不變,減小初速度D.拋出點(diǎn)高度不變,增大初速度

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18.如圖所示,是一束紅光由空氣射到某液體分界面的光路圖. 當(dāng)入射角是45°時(shí),折射角為30°.下列說法正確的是( 。
A.該液體對(duì)紅光的折射率為$\frac{\sqrt{2}}{2}$
B.該液體對(duì)紅光的全反射臨界角為45°
C.紅光在空氣和液體中的頻率之比為$\sqrt{2}$:1
D.當(dāng)紫光以同樣的入射角從空氣射到分界面,折射角也是30°

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

15.下列說法中正確的是( 。
A.卡文迪許用扭秤實(shí)驗(yàn)測(cè)出了靜電力常量
B.電場(chǎng)是人們?yōu)榱肆私怆姾砷g相互作用而引入的一種并不真實(shí)存在的物質(zhì)
C.用紫外線照射時(shí)大額鈔票上用熒光物質(zhì)印刷的文字會(huì)發(fā)出可見光
D.狹義相對(duì)論認(rèn)為高速運(yùn)動(dòng)的物體質(zhì)量會(huì)變小,運(yùn)動(dòng)方向的長(zhǎng)度會(huì)變短

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2.關(guān)于物理學(xué)的研究方法,以下說法正確的是( 。
A.建立質(zhì)點(diǎn)和瞬時(shí)速度概念時(shí),應(yīng)用了微元法
B.伽利略開創(chuàng)了運(yùn)用邏輯推理和實(shí)驗(yàn)相結(jié)合進(jìn)行科學(xué)研究的方法
C.卡文迪許在利用扭秤實(shí)驗(yàn)裝置測(cè)量萬有引力常量時(shí),應(yīng)用了等效替代的方法
D.電流是用電壓和電阻的比值定義的,因而通過導(dǎo)體的電流與導(dǎo)體兩端的電壓成正比與導(dǎo)體的電阻成反比

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12.在居室裝修中經(jīng)常用到花崗巖、大理石等裝飾材料,據(jù)報(bào)道這些巖石都具有不同程度的放射性,放射出的α、β、γ射線,會(huì)導(dǎo)致細(xì)胞發(fā)生癌變及呼吸道等方面的疾。鶕(jù)有關(guān)放射性知識(shí)可知,下列說法正確的是( 。
A.氡的半衰期為3.8天,若取4個(gè)氡原子核,經(jīng)7.6天后就一定剩下一個(gè)氡原子核了
B.γ射線一般伴隨著α或β射線產(chǎn)生,在這三種射線中,γ射線的穿透能力最強(qiáng),電離能力最弱
C.β衰變所釋放的電子是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子時(shí)所產(chǎn)生的
D.若使放射性物質(zhì)的溫度升高,其半衰期將減小
E.鈾核(${\;}_{92}^{238}$U)衰變?yōu)殂U核(${\;}_{82}^{206}$Pb)的過程中,要經(jīng)過8次α衰變和6次β衰變

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19.如圖所示,N個(gè)小球(可看做質(zhì)點(diǎn))均勻分布在半徑為R的圓周上,圓周上P點(diǎn)的一個(gè)小球所帶電荷量為-2q,其余小球帶電量為+q,圓心處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E,若僅撤去P點(diǎn)的帶電小球,圓心處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為( 。
A.EB.$\frac{E}{2}$C.$\frac{E}{3}$D.$\frac{E}{4}$

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16.如圖甲所示.在豎直方向上有四條間距相等的水平虛線L1、L2、L3、L4,在L1和L2之間、L3和L4之間存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為1T,方向垂直于虛線所在平面,磁場(chǎng)寬度為L(zhǎng),現(xiàn)有一寬度cd=L=0.5m、質(zhì)量為0.1kg、電阻為2Ω的矩形線圈abcd,將其從圖示位置由靜止釋放(cd邊與L1重合),速度隨時(shí)間變化關(guān)系如圖乙所示,t1時(shí)刻cd邊與L2重合,t2時(shí)刻ab邊與L3重合,t3時(shí)刻ab邊與L4重合,已知t1~t2的時(shí)間間隔為0.6s,整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程線圈平面始終處于豎直方向.(重力加速度g取10m/S2)則( 。
A.在0~t1時(shí)間內(nèi),通過線圈的電荷量為0.25C
B.線圈勻速運(yùn)動(dòng)的速度大小為8m/s
C.線圈的長(zhǎng)度為1m
D.在0~t3時(shí)間內(nèi),線圈上產(chǎn)生的熱量為4.2J

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17.目前,在居室裝修中經(jīng)常用到的花崗巖、大理石等裝修材料,都不同程度地含有放射性元素,裝修污染已經(jīng)被列為“危害群眾最大的五種環(huán)境污染”之一.有關(guān)放射性元素的下列說法正確的是( 。
A.氡的半衰期為3.8天,若取4個(gè)氡核,經(jīng)過7.6天就只剩下一個(gè)氡原子核了
B.發(fā)生a衰變時(shí),生成核與原來的原子核相比,中子數(shù)減少了4個(gè)
C.β衰變所釋放的電子是原子核中的中子轉(zhuǎn)化為質(zhì)子所產(chǎn)生的
D.γ射線一般伴隨著a或β射線產(chǎn)生,在這三種射線中,γ射線的穿透能力最強(qiáng),電離能力也最強(qiáng)

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