如圖1所示,虛線(xiàn)MN、M′N(xiāo)′為一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的左右邊界,磁場(chǎng)寬度為L(zhǎng),方向豎直向下。邊長(zhǎng)為l的正方形閉合金屬線(xiàn)框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)一段時(shí)間線(xiàn)框通過(guò)了磁場(chǎng)區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過(guò)程進(jìn)行了分析,當(dāng)線(xiàn)框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫(huà)出了線(xiàn)框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線(xiàn),如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線(xiàn)與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線(xiàn)的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說(shuō)法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4
D
【解析】
試題分析:當(dāng)線(xiàn)框向右運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,有兩個(gè)過(guò)程產(chǎn)生安培力,即進(jìn)入磁場(chǎng)到完全進(jìn)入磁場(chǎng)和離開(kāi)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)兩個(gè)過(guò)程;其中任一過(guò)程產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)為E=BvL,產(chǎn)生的電流為I=E/R=BLv/R,產(chǎn)生的安培力為F=BIL=B2L2v/R,當(dāng)時(shí)間增加時(shí),速度減小,則由上式可知,安培力減小,所以A、B選項(xiàng)錯(cuò)誤;另一方面看,產(chǎn)生的平均電動(dòng)勢(shì)為:E=BΔs/Δt,產(chǎn)生的電流為:I=E/R= BΔs/ΔtR,產(chǎn)生的安培力為:F=BIL=B2lΔs/RΔt;變形后得FΔt=B2lΔs/R,所以S3 =S4,則D選項(xiàng)正確。
考點(diǎn):本題考查電磁感應(yīng)和對(duì)F-t圖像的理解。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
A、圖2正確,且S1>S2 | B、圖2正確,且S1=S2 | C、圖3正確,且S3>S4 | D、圖3正確,且S3=S4 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
(2013·北京朝陽(yáng)二模,18題)如圖1所示,虛線(xiàn)MN、M′N′為一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的左右邊界,磁場(chǎng)寬度為L,方向豎直向下。邊長(zhǎng)為l的正方形閉合金屬線(xiàn)框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)一段時(shí)間線(xiàn)框通過(guò)了磁場(chǎng)區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對(duì)該過(guò)程進(jìn)行了分析,當(dāng)線(xiàn)框的ab邊與MN重合時(shí)記為t=0,分別定性畫(huà)出了線(xiàn)框所受安培力F隨時(shí)間t變化的圖線(xiàn),如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線(xiàn)與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線(xiàn)的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說(shuō)法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4
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科目:高中物理 來(lái)源:朝陽(yáng)區(qū)二模 題型:單選題
A.圖2正確,且S1>S2 | B.圖2正確,且S1=S2 |
C.圖3正確,且S3>S4 | D.圖3正確,且S3=S4 |
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科目:高中物理 來(lái)源:2013年北京市朝陽(yáng)區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:選擇題
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