如圖所示,總質(zhì)量為M帶有底座的足夠?qū)捒蚣苤绷⒃诠饣矫嫔,質(zhì)量為m的小球通過(guò)細(xì)線懸掛于框架頂部O處,細(xì)線長(zhǎng)為L(zhǎng),已知M>m,重力加速度為g,某時(shí)刻m獲得一瞬時(shí)速度v0,當(dāng)m第一次回到O點(diǎn)正下方時(shí),細(xì)線拉力大小為( 。

A. mg B. mg+

C. mg+m D. mg+m

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一輛汽車(chē)在平直的公路上以速度v0開(kāi)始加速行駛,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間t,前進(jìn)了距離S,此時(shí)恰好達(dá)到其最大速度vm.設(shè)此過(guò)程中汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)始終以額定功率P工作,汽車(chē)所受的阻力恒定為F,則在這段時(shí)間里,發(fā)動(dòng)機(jī)所做的功為(    )

A.

B.

C.

D.

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科目:高中物理 來(lái)源:2016-2017學(xué)年西藏林芝地區(qū)一中高二下學(xué)期第一次月考理綜物理試卷(解析版) 題型:填空題

通過(guò)一理想變壓器,經(jīng)同一線路輸送相同的電功率P,原線圈的電壓U保持不變,輸電線路的總電阻為R。當(dāng)副線圈與原線圈的匝數(shù)比為k時(shí),線路損耗的電功率為P1,若將副線圈與原線圈的匝數(shù)比提高到nk,線路損耗的電功率為P2,則P1=_________, =___________。

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在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+(  )

A. 在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1 B. 在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為

C. 在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1∶2 D. 離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3

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如圖,小球a、b用等長(zhǎng)細(xì)線懸掛于同一固定點(diǎn)O,讓球a靜止下垂,將球b向右拉起,使細(xì)線水平,從靜止釋放球b,兩球碰后粘在一起向左擺動(dòng),此后細(xì)線與豎直方向之間的最大偏角為60°,忽略空氣阻力,求

(1)兩球a、b的質(zhì)量之比;

(2)兩球在碰撞過(guò)程中損失的機(jī)械能與球b在碰前的最大動(dòng)能之比。

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科目:高中物理 來(lái)源:2016-2017學(xué)年河北省高二3月月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

通過(guò)一阻值R=100Ω的電阻的交變電流如圖所示,其周期為1s.電阻兩端電壓的有效值為( 。

A. 12V B. V C. 15V D. 8V

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如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好、內(nèi)部光滑的氣缸豎直放置,在距氣缸底部處有一與氣缸固定連接的卡環(huán),活塞與氣缸底部之間封閉了一定質(zhì)量的氣體。當(dāng)氣體的溫度、大氣壓強(qiáng)時(shí),活塞與氣缸底部之間的距離,不計(jì)活塞的重量和厚度,現(xiàn)對(duì)氣缸加熱,使活塞緩慢上升,求:

①活塞剛到卡環(huán)時(shí)封閉氣體的溫度 ;

②封閉氣體溫度升高到時(shí)的壓強(qiáng)

③氣缸內(nèi)的氣體從升高到的過(guò)程中對(duì)外界做了多少功?(假設(shè)活塞的面積為

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一個(gè)物體以v0 = 16 m/s的初速度沖上一光滑斜面,加速度的大小為8 m/s2,沖上最高點(diǎn)之后,又以相同的加速度往回運(yùn)動(dòng)。則( )

A. 1 s末的速度大小為8 m/s B. 3 s末的速度為零

C. 2 s內(nèi)的位移大小是16 m D. 3 s內(nèi)的位移大小是12 m

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從地面上將一個(gè)小球豎直上拋,經(jīng)時(shí)間小球經(jīng)過(guò)空中的某點(diǎn)A,再經(jīng)過(guò)時(shí)間小球又經(jīng)過(guò)A點(diǎn)。不計(jì)空氣阻力,下列說(shuō)法正確的是

A. 小球拋出時(shí)的速率為

B. 小球拋出時(shí)的速率為

C. 小球上升的最大高度為

D. A點(diǎn)的高度為

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