分析 (1)對導(dǎo)體棒受力分析,導(dǎo)體棒在重力和安培力的作用下做勻速直線運動,由平衡關(guān)系可求得棒中的電流;再由閉合電路歐姆定律可求得AB間的電壓;
(2)粒子在電場中做類平拋運動,由平拋運動規(guī)律可求得偏轉(zhuǎn)位移;
(3)設(shè)粒子從電場中飛出時的速度方向與水平方向的夾角為θ,根據(jù)速度關(guān)系求出夾角,畫出軌跡,由幾何知識可得粒子在磁場中做勻速圓周運動的半徑,根據(jù)半徑公式即可求解磁場強度.
解答 解:(1)兩電阻并聯(lián),總電阻R=$\frac{30}{2}$=15Ω金屬棒勻速運動時,棒受到的安培力等于重力的分力;
故Mgsinθ=BIL;
解得電流I=$\frac{Mgsinθ}{BL}$=$\frac{20×\frac{1}{2}}{10×0.05}$=20A;
則兩電阻兩端的電壓U=IR=20×15=300V;
(2)粒子在電場中做類平拋運動,根據(jù)牛頓第二定律得:
a=$\frac{qE}{m}$=$\frac{qU}{md}$
運動的時間為:t=$\frac{l}{{v}_{0}}$
設(shè)粒子從電場中飛出時的側(cè)向位移為h,穿過界面PS時偏離中心線OR的距離為y,
則:h=$\frac{1}{2}$at2
即:h=$\frac{qU}{2md}$($\frac{l}{{v}_{0}}$)2
代入數(shù)據(jù),解得:h=0.03m=3cm
帶電粒子在離開電場后將做勻速直線運動,由相似三角形知識得:$\frac{h}{y}$=$\frac{\frac{1}{2}}{\frac{1}{2}+L}$
代入數(shù)據(jù),解得:y=0.12m=12cm
(3)設(shè)粒子從電場中飛出時的速度方向與水平方向的夾角為θ,則:
tanθ=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}$=$\frac{3}{4}$
所以θ=37°
v=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$=$\frac{2×1{0}^{6}}{0.8}$=2.5×106m/s;
軌跡如圖所示
由幾何知識可得粒子在磁場中做勻速圓周運動的半徑:R=$\frac{\frac{L}{2}}{sinθ}$=$\frac{0.06}{0.6}$=0.1m
由:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$
解得:B=$\frac{mv}{qR}$
帶入數(shù)值解得B=2.5×10-3T
答:(1)AB間電壓為300V;
(2)粒子進(jìn)入界面MN時偏離中心線RO的距離為12cm;
(3)粒子運動的軌跡如圖所示,勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小為2.5×10-3T.
點評 本題考查電磁感應(yīng)及帶電粒子在磁場中的運動;應(yīng)注意粒子的運動過程,粒子先做類平拋運動,再做勻速直線運動,最后應(yīng)做圓周運動,其中最后速率保持不變是本題中的關(guān)鍵,也是出題人設(shè)置的一個陷阱;要求學(xué)生應(yīng)認(rèn)真審題,徹底明白題意才能正確求解.同時還應(yīng)注意題目中的幾何關(guān)系的掌握.
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 平均速度、瞬時速度以及加速度等概念就是由伽利略首先建立起來的 | |
B. | 伽利略利用扭秤實驗測量了引力常量的大小 | |
C. | 伽利略利用比薩斜塔進(jìn)行落體實驗得出輕重不同的物體下落一樣快 | |
D. | 伽利略利用理想斜面實驗得出力不是維持物體運動的原因 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | t1~t2時間內(nèi),甲的速度比乙的速度小 | |
B. | t1~t2時間內(nèi),甲的速度比乙的速度大 | |
C. | t2時刻,兩物體的速度大小相等 | |
D. | 0~t2時間內(nèi),甲的位移比乙大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 說明了懸浮微粒時刻在做無規(guī)則運動 | |
B. | 說明了分子在永不停息地做無規(guī)則運動 | |
C. | 說明了懸浮微粒的無規(guī)則運動是因為微粒的體積很小 | |
D. | 說明了液體分子與懸浮微粒之間有相互作用力 |
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