【題目】如圖是一次衛(wèi)星發(fā)射過程,先將衛(wèi)星發(fā)射進(jìn)入繞地球的較低圓形軌道Ⅰ,然后在a點使衛(wèi)星進(jìn)入橢圓形的轉(zhuǎn)移軌道Ⅱ,再在橢圓軌道的遠(yuǎn)地點b使衛(wèi)星進(jìn)入同步軌道Ⅲ,則下列說法正確的是
A. 衛(wèi)星在軌道Ⅰ的速率小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ 的速率
B. 衛(wèi)星在軌道Ⅰ的周期大于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的周期
C. 衛(wèi)星運動到軌道Ⅰ的a點時,需減速才可進(jìn)入軌道Ⅱ
D. 衛(wèi)星運動到軌道Ⅱ的b點時,需加速才可進(jìn)入軌道Ⅲ
【答案】D
【解析】由萬有引力提供向心力得:,解得:,衛(wèi)星在軌道Ⅰ的半徑小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的半徑,故衛(wèi)星在軌道Ⅰ的速率大于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的速率,故A錯誤;由萬有引力提供向心力得:,解得:,衛(wèi)星在軌道Ⅰ的半徑小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的半徑,故衛(wèi)星在軌道Ⅰ的周期小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的周期,故B錯誤;衛(wèi)星運動到軌道Ⅰ的a點時,衛(wèi)星要進(jìn)入軌道Ⅱ做離心運動,萬有引力小于需要的向心力,故要加速,故C錯誤;衛(wèi)星運動到軌道Ⅱ的b點時,衛(wèi)星要進(jìn)入軌道Ⅲ做離心運動,萬有引力小于需要的向心力,故要加速,故D正確,故選D.
科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,在光滑的水平面上,有一質(zhì)量為M,邊長為l,電阻為R的正方形均勻金屬線框,BC邊與虛線PQ平行,PQ右側(cè)有豎直向上的勻強(qiáng)磁場,磁場寬度大于l,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。線框通過一水平細(xì)線繞過光滑定滑輪懸掛一質(zhì)量為m的物體,現(xiàn)由靜止釋放物體,當(dāng)線框有一半進(jìn)入磁場時已勻速運動,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹?/span>g,線框從開始運動到AD邊剛進(jìn)入磁場過程中
A. 剛釋放線框的瞬間,線框的加速度為
B. 細(xì)繩拉力的最小值為
C. 線框恰全部進(jìn)入磁場時,產(chǎn)生的熱量等于
D. 線框有一半進(jìn)入磁場時與線框AD邊剛進(jìn)入磁場時BC兩端的電壓大小之比為3:4
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,水平面上AB間有一長度x=4m的凹槽,長度為L=2m、質(zhì)量M=1kg的木板靜止于凹槽右側(cè),木板厚度與凹槽深度相同,水平面左側(cè)有一半徑R=0.4m的豎直半圓軌道,右側(cè)有一個足夠長的圓弧軌道,A點右側(cè)靜止一質(zhì)量m1=0.98kg的小木塊.射釘槍以速度v0=100m/s射出一顆質(zhì)量m0=0.02kg的鐵釘,鐵釘嵌在木塊中并滑上木板,木板與木塊間動摩擦因數(shù)μ=0.05,其它摩擦不計.若木板每次與A、B相碰后速度立即減為0,且與A、B不粘連,重力加速度g=10m/s2.求:
(1)鐵釘射入木塊后共同的速度V;
(2)木塊經(jīng)過豎直圓軌道最低點C時,對軌道的壓力大小FN;
(3)木塊最終停止時離A點的距離s.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】下列說法中正確的是
A. 由可知,若電阻兩端所加電壓為0,則此時電阻阻值為0
B. 由E=F/q可知,若檢驗電荷在某處受電場力大小為0,說明此處場強(qiáng)大小一定為0
C. 由B=F/IL可知,若一小段通電導(dǎo)體在某處受磁場力大小為0,說明此處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小一定為0
D. 由可知,若通過回路的磁通量大小為0,則感應(yīng)電動勢的大小也為0
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【題目】光電倍增管可將光信號轉(zhuǎn)化為電信號并逐級放大,其前兩個平行倍增極結(jié)構(gòu)如圖。當(dāng)頻率為的入射光照射到第1倍增極的上表面MN時,極板上表面逸出大量速率不同、沿各個方向運動的光電子,空間加上垂直紙面的勻強(qiáng)磁場,可使從MN逸出的部分光電子打到第2倍增極的上表面PQ。已知第1倍增極金屬的逸出功為W,兩個倍增極長度均為d,水平間距為,豎直間距為,光電子電量為e、質(zhì)量為m,普朗克常量為h,僅考慮光電子在紙面內(nèi)運動且只受洛倫茲力作用。
(1)求從MN上逸出的光電子的最大速率。
(2)若以最大速率、方向垂直MN逸出的光電子可以全部到達(dá)PQ,求磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方向。
(3)若保持(2)中的磁場不變,關(guān)閉光源后,發(fā)現(xiàn)仍有光電子持續(xù)擊中PQ,求關(guān)閉光源后光電子持續(xù)擊中PQ的時間。
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【題目】如圖甲所示直線是一條電場線,A、B是該線上的兩點。一正電荷由A點以一定初速度沿電場線從A運動到B,運動過程中的v-t圖線如圖乙所示,則下列說法中正確的是( )
A. 該電場是非勻強(qiáng)電場
B. A、B兩點的電勢相比一定是φA<φB
C. A、B兩點的場強(qiáng)大小相比一定是EA<EB
D. 該電荷在兩點的電勢能大小相比一定是EpA>EpB
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【題目】如圖所示,半徑為R的透明半球體,在半球體右側(cè)平行底面放置一個光屏,F(xiàn)在有一束平行單色光垂直半球底面射向透明半球體,經(jīng)半球體折射后在光屏上形成光斑,將光屏由半球體頂部向右平移至距頂部處時,光斑逐漸減小為半徑為的圓。已知光在真空中的傳播速度為c,求:
①透明半球體對該單色光的折射率;
②從底面圓心O處射入的單色光在透明半球體內(nèi)傳播的時間。
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【題目】如圖所示的電路中,R1、R2是定值電阻,R3是滑動變阻器,電源的內(nèi)阻不能忽略,電流表A和電壓表V均為理想電表.閉合開關(guān)S,當(dāng)滑動變阻器的觸頭P從右端滑至左端的過程,下列說法中正確的是( )
A. 電壓表V的示數(shù)增大
B. 電流表A的示數(shù)減小
C. 電容器C所帶的電荷量減小
D. 電阻R1的電功率增大
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【題目】基于人的指紋具有終身不變性和唯一性的特點,發(fā)明了指紋識別技術(shù)。目前許多國產(chǎn)手機(jī)都有指紋解鎖功能,常用的指紋識別傳感器是電容式傳感器,如圖所示。指紋的凸起部分叫“嵴”,凹下部分叫“峪”。傳感器上有大量面積相同的小極板,當(dāng)手指貼在傳感器上時,這些小極板和正對的皮膚表面部分形成大量的小電容器,這樣在嵴處和峪處形成的電容器的電容大小不同。此時傳感器給所有的電容器充電后達(dá)到某一電壓值,然后電容器放電,電容值小的電容器放電較快,根據(jù)放電快慢的不同,就可以探測到嵴和峪的位置,從而形成指紋圖像數(shù)據(jù)。根據(jù)文中信息,下列說法正確的是 ( )
A. 在峪處形成的電容器電容較大
B. 充電后在嵴處形成的電容器的電荷量大
C. 在峪處形成的電容器放電較慢
D. 潮濕的手指頭對指紋識別絕對沒有影響
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