(2013?成都三模)如圖所示,在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定一電荷量為+Q的點(diǎn)電荷,如圖,從平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷到P點(diǎn)的速度為v,圖中θ=60°.下列說法中正確的是(  )
分析:1、順著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低,判斷出M點(diǎn)電勢(shì)高于N點(diǎn)的電勢(shì),M、P兩點(diǎn)的電勢(shì)相等,即可知N、P兩點(diǎn)電勢(shì)關(guān)系;
由真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度公式E=k
Q
r2
,分析P點(diǎn)與N點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小關(guān)系,再比較受到的電場(chǎng)力大;
根據(jù)動(dòng)能定理研究電荷由N到P的過程,求解NP間的電勢(shì)差;
由EP=-qφN求出檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢(shì)能.
解答:解:A、根據(jù)順著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低可知,M點(diǎn)的電勢(shì)高于N點(diǎn)的電勢(shì),而M、P兩點(diǎn)的電勢(shì)相等,則N點(diǎn)電勢(shì)低于P點(diǎn)電勢(shì).故A正確.
B、P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是EP=k
Q
rP2
,N點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是EN=k
Q
rN2
,則EP:EN=4:1.所以檢驗(yàn)電荷在P點(diǎn)受到的電場(chǎng)力是在N點(diǎn)受到的電場(chǎng)力的4倍.故B錯(cuò)誤.
C、根據(jù)動(dòng)能定理得:檢驗(yàn)電荷由N到P的過程:-qUNP=
1
2
mv2,所以NP間的電勢(shì)差UNP=-
mv2
2q
.故C正確.
D、檢驗(yàn)電荷從N到P的過程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷做的功為WNP=-qUNP=
1
2
mv2.故D錯(cuò)誤.
故選:AC.
點(diǎn)評(píng):本題關(guān)鍵要掌握電場(chǎng)線方向與電勢(shì)高低的關(guān)系,即順著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低,以及要掌握點(diǎn)電荷場(chǎng)強(qiáng)公式E=k
Q
r2
、電場(chǎng)力作用的公式WNP=-qUNP
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