【題目】μ子與氫原子核（質(zhì)子）構(gòu)成的原子稱為μ氫原子（hydrogen muon atom），它在原子核物理的研究中有重要作用，圖為μ氫原子的能級示意圖.假定光子能量為E的一束光照射容器中大量處于n=2能級的μ氫原子，μ氫原子吸收光子后，發(fā)出頻率為、、、、和的不同頻率光，且頻率依次增大，則E等于（ ）

A. h(-) B. h(+) C. h D. h

【答案】C

【解析】μ子吸收能量后從n=2能級躍遷到較高m能級，然后從m能級向較低能級躍遷，若從m能級向低能級躍遷時如果直接躍遷到基態(tài)n=1能級，則輻射的能量最大，否則躍遷到其它較低的激發(fā)態(tài)時μ子仍不穩(wěn)定，將繼續(xù)向基態(tài)和更低的激發(fā)態(tài)躍遷，即1、2、3…m任意兩個軌道之間都可以產(chǎn)生一種頻率的輻射光，故總共可以產(chǎn)生的輻射光子的種類為： ，解得m=4，即μ子吸收能量后先從n=2能級躍遷到n=4能級，然后從n=4能級向低能級躍遷．輻射光子的按能量從小到大的順序排列為4能級到3能級，能級3到能級2，能級4到能級2，能級2到能級1，能級3到能級1，能級4到能級1，所以能量E與相等。故C正確

，ABD錯誤。

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列說法正確的是________。

A. 一定質(zhì)量的氣體在體積不變時，分子每秒與器壁平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小

B. 晶體熔化時吸收熱量，分子平均動能一定增大

C. 在一定溫度下，飽和蒸汽的分子數(shù)密度是一定的，飽和汽壓隨著溫度的增加而增加

D. 根據(jù)熱力學第二定律可知，熱量不可能從低溫物體傳到高溫物體

E. 一定質(zhì)量的氣體在保持壓強恒等于1.0×105Pa的狀況下，體積從5 L膨脹到30 L，若這一過程中氣體從外界吸熱4×103J，則氣體內(nèi)能增加了1.5×103J

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】2007年度諾貝爾物理學獎授予了法國和德國的兩位科學家，以表彰他們發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻效應(yīng)”．基于巨磁電阻效應(yīng)開發(fā)的用于讀取硬盤數(shù)據(jù)的技術(shù)，被認為是納米技術(shù)的第一次真正應(yīng)用．在下列有關(guān)其他電阻應(yīng)用的說法中，錯誤的是 (　　)

A. 熱敏電阻可應(yīng)用于溫度測控裝置中

B. 光敏電阻是一種光電傳感器

C. 電阻絲可應(yīng)用于電熱設(shè)備中

D. 電阻在電路中主要起到通過直流、阻礙交流的作用

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】質(zhì)量為20 kg的物體，放在傾角為30°的斜面上恰能勻速下滑， 若要使物體沿斜面勻速向上運動，需對物體施加多大的沿斜面向上的力?(取g=10 N/kg）

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，一有界勻強磁場，磁感應(yīng)強度大小均為B，方向分別垂直紙面向里和向外，磁場寬度均為L，在磁場區(qū)域的左側(cè)相距為L處，有一邊長為L的正方形導體線框，總電阻為R，且線框平面與磁場方向垂直。現(xiàn)使線框以速度v勻速穿過磁場區(qū)域。若以初始位置為計時起點，規(guī)定電流逆時針方向時的電流和電動勢方向為正，B垂直紙面向里時為正.線框中的電動勢為E,磁通量為，電流為i，安培力的功率為P，則以下對此過程描述的四個圖象中不正確的是

A. B.

C. D.

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】圖(a)左側(cè)的調(diào)壓裝置可視為理想變壓器，負載電路中R=55Ω，、為理想電流表和電壓表，若原線圈接入如圖(b)所示的正弦交變電壓，電壓表的示數(shù)為110V，下列表述正確的是

A. 電流表的示數(shù)為2A B. 原、副線圈匝數(shù)比為1∶2

C. 電壓表的示數(shù)為電壓的平均值 D. 原線圈中交變電壓的頻率為100Hz

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列說法中正確的是

A. 布朗運動就是分子的熱運動

B. 擴散現(xiàn)象說明物質(zhì)分子在做永不停息的無規(guī)則運動

C. 分子間距離越小，斥力越大，引力越小

D. 用打氣簡打氣時要用力壓活塞，說明氣體分子間的相互作用力表現(xiàn)為斥力

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在I、Ⅱ兩個區(qū)域內(nèi)存在磁感應(yīng)強度均為B的勻強磁場，磁場方向分別垂直于紙面向外和向里，AD、AC邊界的夾角∠DAC=30°，邊界AC與邊界MN平行，Ⅱ區(qū)域?qū)挾葹閐。質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子可在邊界AD上的不同點射入,入射速度垂直AD且垂直磁場，若入射速度大小為，不計粒子重力，則（ ）

A. 粒子在磁場中的運動半徑為

B. 粒子距A點0.5d處射入，不會進入Ⅱ區(qū)

C. 粒子距A點1.5d處射入，在I區(qū)內(nèi)運動的時間為

D. 能夠進入Ⅱ區(qū)域的粒子，在Ⅱ區(qū)域內(nèi)運動的最短時間為

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】用下列器材測量電容器的電容：

一塊多用電表，一臺直流穩(wěn)壓電源，一個待測電容器（額定電壓16V），定值電阻R1（阻值未知），定值電阻R2=150Ω，電流傳感器、數(shù)據(jù)采集器和計算機，單刀雙擲開關(guān)S，導線若干。

實驗過程如下：

實驗次數(shù)

實驗步驟

第1次

①用多用電表的“”擋測量電阻R1，指針偏轉(zhuǎn)如圖甲所示。

②將電阻R1等器材按照圖乙正確連接電路，將開關(guān)S與1端連接，電源向電容器充電。

③將開關(guān)S擲向2端，測得電流隨時間變化的i-t曲線如圖丙中的實線a所示。

第2次

④用電阻R2替換R1，重復上述實驗步驟②③，測得電流隨時間變化的i-t曲線如圖丁中的某條虛線所示。

說明：兩次實驗中電源輸出的直流電壓恒定且相同。

請完成下列問題：

（1）由圖甲可知，電阻R1的測量值為_______Ω。

（2）第1次實驗中，電阻R1兩端的最大電壓U=_________V。利用計算機軟件測得i-t曲線和兩坐標軸所圍的面積為42.3mAS，已知電容器放電時其內(nèi)阻可以忽略不計，則電容器的電容為C=_______F。

（3）第2次實驗中，電流隨時間變化的i-t曲線應(yīng)該是圖丁中的虛線________（選填“b”、“c”或“d”）。

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