【題目】下列有關(guān)電阻率的敘述中錯(cuò)誤的是（ ）

A. 材料的電阻率取決于導(dǎo)體的電阻、橫截面積和長(zhǎng)度

B. 材料的電阻率會(huì)隨著溫度的變化而變化

C. 當(dāng)溫度極低時(shí)超導(dǎo)材料的電阻率會(huì)突然減小到零

D. 常用的導(dǎo)線一般由電阻率較小的鋁、銅材料制成

【答案】A

【解析】電阻率是描述材料導(dǎo)電能力的物理量，材料的電阻率由材料本身性質(zhì)決定，與材料長(zhǎng)度和橫截面積無(wú)關(guān)，受溫度影響，故A說(shuō)法錯(cuò)誤；材料的電阻率會(huì)隨溫度的變化而變化，故B說(shuō)法正確；當(dāng)溫度極低時(shí)超導(dǎo)材料的電阻率會(huì)突然減小到零，電阻為零，故C說(shuō)法正確；常用的導(dǎo)線是由電阻率較小的鋁，銅材料做成的，故D說(shuō)法正確。所以選A。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】下列關(guān)于機(jī)械波的描述正確的是（ ）

A. 所有的機(jī)械波都必有波峰和波谷

B. 波繞過(guò)障礙物繼續(xù)傳播的現(xiàn)象叫波的干涉

C. 當(dāng)波源和接收者間相互靠近時(shí)，接收者接收到的波的頻率會(huì)逐漸降低

D. 由惠更斯原理知道，波的折射是由于不同介質(zhì)中波速不同

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，豎直放置的氣缸，活塞橫截面積為S，厚度不計(jì)，可在氣缸內(nèi)無(wú)摩擦滑動(dòng)。氣缸側(cè)壁有一個(gè)小孔，與裝有水銀的U形玻璃細(xì)管相通。氣缸內(nèi)封閉了一段高為L的氣柱（U形管內(nèi)的氣體體積不計(jì)）。此時(shí)缸內(nèi)氣體溫度為T0，U形管內(nèi)水銀面高度差為h。已知大氣壓強(qiáng)為p0，水銀的密度為ρ，重力加速度為g。（氣缸內(nèi)氣體與外界無(wú)熱交換）

①求活塞的質(zhì)量m；

②若在活塞上添加質(zhì)量為4m的沙粒時(shí)，活塞下降到距氣缸底部處，求此時(shí)氣缸內(nèi)氣體的溫度。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示是物體在某段運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的v—t圖象,在t1和t2時(shí)刻的瞬時(shí)速度分別為v1和v2,則時(shí)間由t1到t2的過(guò)程中 ( )

A. 加速度增大

B. 平均速度v >

C. 平均速度v=

D. 平均速度v <

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖，理想變壓器原副線圈匝數(shù)之比為20：1，原線圈接入一電壓為u=U0sinωt的交流電源、副線圈接入一個(gè)R=5.5Ω的負(fù)載電阻，若U0=220V，ω=100πrad/s，電壓表、電流表均為理想表，則下述結(jié)論正確的是（　�。�

A. 副線圈中電壓表的讀數(shù)為11V

B. 負(fù)載電阻R上的電壓為11V

C. 原線圈中電流表的讀數(shù)為0.1A

D. 副線圈中輸出交流電的周期為0.02s

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有一粒子源，離子源從O點(diǎn)在紙面內(nèi)均勻地向各個(gè)方向同時(shí)發(fā)射速率為v、比荷為k的帶正電的粒子，PQ是在紙面內(nèi)垂直磁場(chǎng)放置的厚度不計(jì)的擋板，擋板的P端與O點(diǎn)的連線與擋板垂直，距離為，且粒子打在擋板上會(huì)被吸收；不計(jì)帶電粒子的重力與粒子間的相互作用，磁場(chǎng)分布足夠大，求：

（1）為使最多的粒子打在板上，則擋板至少多長(zhǎng)；

（2）若擋板足夠長(zhǎng)，則打在板上的粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最長(zhǎng)時(shí)間與最短時(shí)間的差值是多少；

（3）若擋板足夠長(zhǎng)，在打在擋板上的粒子占所有粒子的比率是多少.

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖是磁流體發(fā)電機(jī)的示意圖，它的發(fā)電原理是：將一束等離子體（即高溫下電離的氣體，含有大量帶有正點(diǎn)和負(fù)電的微粒，而從整體上說(shuō)呈電中性）噴射入磁場(chǎng)，于是在磁場(chǎng)中有兩塊金屬板A、B上就會(huì)聚集電荷，產(chǎn)生電壓。以下說(shuō)法正確的是( )

A. A板電勢(shì)較高

B. 流過(guò)R的電流方向a→R→b

C. 等離子體在A、B間運(yùn)動(dòng)時(shí)，磁場(chǎng)力對(duì)等離子體做正功

D. 等離子體發(fā)生偏轉(zhuǎn)的原因是離子所受洛倫茲力大于所受電場(chǎng)力

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】關(guān)于電阻率的說(shuō)法,正確的是( )

A. 超導(dǎo)材料的電阻率總是為零

B. 電阻率ρ大的導(dǎo)體,電阻可以很小

C. 電阻率ρ與導(dǎo)體的長(zhǎng)度L和橫截面積S有關(guān)

D. 電阻率表征了導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱，由導(dǎo)體的長(zhǎng)度決定,與溫度無(wú)關(guān)

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】電荷量為q1和q2的兩點(diǎn)電荷分別固定在x軸上的O、C兩點(diǎn)，規(guī)定無(wú)窮遠(yuǎn)處電勢(shì)為零，一帶正電的試探電荷在x軸上各點(diǎn)具有的電勢(shì)能緝隨x的變化關(guān)系如圖所示。其中，試探電荷在B、D兩點(diǎn)處的電勢(shì)能均為零；在DJ段中H點(diǎn)處電勢(shì)能最大。則

A. q1的電荷量小于q2的電荷量

B. G點(diǎn)處電場(chǎng)強(qiáng)度的方向沿x軸正方向

C. 若將一帶負(fù)電的試探電荷自G點(diǎn)釋放，僅在電場(chǎng)力作用下一定能到達(dá)D點(diǎn)

D. 若將一帶負(fù)電的試探電荷從D點(diǎn)移到J點(diǎn)，電場(chǎng)力先做正功后做負(fù)功

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