半導(dǎo)體指紋傳感器:在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒,傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極,充當(dāng)電容器的一極,其外面是絕緣的表面.手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極,由于手指指紋深淺不同,嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同,其工作過程是通過對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓,然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量,設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總,也就完成了指紋的采集,則


  1. A.
    指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小
  2. B.
    指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小
  3. C.
    對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指靠近時(shí),各金屬電極電量減小
  4. D.
    對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

半導(dǎo)體指紋傳感器:在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒,傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極,充當(dāng)電容器的一極,其外面是絕緣的表面.手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極,由于手指指紋深淺不同,嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同,其工作過程是通過對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓,然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量,設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總,也就完成了指紋的采集,則( 。

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半導(dǎo)體指紋傳感器:在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒,傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極,充當(dāng)電容器的一極,其外面是絕緣的表面.手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極,由于手指指紋深淺不同,嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同,其工作過程是通過對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓,然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量,設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總,也就完成了指紋的采集,則(  )

A. 指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小

B. 指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小

C. 對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指靠近時(shí),各金屬電極電量減小

D. 對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)

 

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

半導(dǎo)體指紋傳感器:在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒,傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極,充當(dāng)電容器的一極,其外面是絕緣的表面.手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極,由于手指指紋深淺不同,嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同,其工作過程是通過對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓,然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量,設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總,也就完成了指紋的采集,則(  )
A.指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小
B.指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小
C.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指靠近時(shí),各金屬電極電量減小
D.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)

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A.指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小
B.指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小
C.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指靠近時(shí),各金屬電極電量減小
D.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)

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A.指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小
B.指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小
C.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指靠近時(shí),各金屬電極電量減小
D.對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)

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