如圖所示，ｙ軸右方向有方向垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，一個(gè)質(zhì)量為m，電量為ｑ的質(zhì)子以速度v水平向右通過ｘ軸上P點(diǎn)，最后從ｙ軸上的M點(diǎn)射出磁場(chǎng)。已知M點(diǎn)到原點(diǎn)O的距離為H，質(zhì)子射出磁場(chǎng)時(shí)速度方向與ｙ軸負(fù)方向夾角θ＝３０°，

求：
(1)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小和方向；
(2)適當(dāng)時(shí)候，在ｙ軸右方再加一個(gè)勻強(qiáng)電場(chǎng)就可以使質(zhì)子最終能沿ｙ軸正方向做勻速直線運(yùn)動(dòng)，從質(zhì)子經(jīng)過P點(diǎn)開始計(jì)時(shí)，再經(jīng)多長(zhǎng)時(shí)間加這個(gè)勻強(qiáng)電場(chǎng)？電場(chǎng)強(qiáng)度的大小與方向如何?

如圖所示，在加有勻強(qiáng)磁場(chǎng)的區(qū)域中，一垂直于磁場(chǎng)方向射入的帶電粒子軌跡如圖所示，由于帶電粒子與沿途的氣體分子發(fā)生碰撞，帶電粒子的能量逐漸減小，從圖中可以看出

A．帶電粒子帶正電，是從B點(diǎn)射入的

B．帶電粒子帶負(fù)電，是從B點(diǎn)射入的

C．帶電粒子帶負(fù)電，是從A點(diǎn)射入的

D．帶電粒子帶正電，是從A點(diǎn)射入的

質(zhì)量為m，電荷量為q的帶電粒子以速率v垂直射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，在磁場(chǎng)力作用下做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，帶電粒子在圓形軌道上運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于一環(huán)形電流，則

A．環(huán)形電流跟ｑ成正比	B．環(huán)形電流跟v成正比
C．環(huán)形電流跟B成正比	D．環(huán)形電流跟m成反比

有一個(gè)帶正電荷的離子，沿垂直于電場(chǎng)方向射入帶電平行板的勻強(qiáng)電場(chǎng)。離子飛出電場(chǎng)后的動(dòng)能為E_k，當(dāng)在平行金屬板間再加入一個(gè)垂直紙面向內(nèi)的如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)后，離子飛出電場(chǎng)后的動(dòng)能為E_k^/，磁場(chǎng)力做功為W，則下面各判斷正確的是

A．<，W=0	B．>，W=0
C．=，W=0	D．>，W>0

一個(gè)質(zhì)量為m、帶電量為q的粒子，在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng).下列說法中正確的是

A．它所受的洛倫茲力是恒定不變的	B．它的動(dòng)量是恒定不變的
C．它的速度與磁感應(yīng)強(qiáng)度B成正比	D．它的運(yùn)動(dòng)周期與速度的大小無關(guān)

如圖所示，在豎直平面內(nèi)放一個(gè)光滑絕緣的半圓形軌道，水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)與半圓形軌道所在的平面垂直．一個(gè)帶負(fù)電荷的小滑塊由靜止開始從半圓軌道的最高點(diǎn)M滑下到最右端，則下列說法中正確的是(  )

A．滑塊經(jīng)過最低點(diǎn)時(shí)的速度比磁場(chǎng)不存在時(shí)大

B．滑塊從M點(diǎn)到最低點(diǎn)的加速度比磁場(chǎng)不存在時(shí)小

C．滑塊經(jīng)過最低點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力比磁場(chǎng)不存在時(shí)小

D．滑塊從M點(diǎn)到最低點(diǎn)所用時(shí)間與磁場(chǎng)不存在時(shí)相等

下列哪種力是洛倫茲力 (    )

A．電荷間的相互作用力	B．電場(chǎng)對(duì)電荷的作用力
C．磁鐵對(duì)小磁針的作用力	D．磁場(chǎng)對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷的作用力

洛倫茲力使帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，下列各圖中均標(biāo)有帶正電荷粒子的運(yùn)動(dòng)速度v，洛倫茲力F及磁場(chǎng)B的方向，虛線圓表示粒子的軌跡，其中可能出現(xiàn)的情況是（   ）

一束帶電粒子以同一速度，并從同一位置進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在磁場(chǎng)中它們的軌跡如圖。粒子q₁的軌跡半徑為r₁，粒子q₂的軌跡半徑為r₂，且、分別是它們的帶電量，則

A．q1帶負(fù)電、q2帶正電，比荷之比為

B．q1帶負(fù)電、q2帶正電，比荷之比為

C．q1帶正電、q2帶負(fù)電，比荷之比為

D．q1帶正電、q2帶負(fù)電，比荷之比為

一塊N型半導(dǎo)體薄片（稱霍爾元件），其橫載面為矩形，體積為b×c×d，如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e，將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向沿z軸方向，并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC^/兩個(gè)側(cè)面中，哪個(gè)面電勢(shì)高？
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí)，此元件的CC^/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比；
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測(cè)量方法為：將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中，用毫安表測(cè)量通以電流I，用毫伏表測(cè)量C、C^/間的電壓U， 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù)，并測(cè)得U =0.6mV，I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。