科目: 來源:浦東新區(qū)模擬 題型:多選題
A.沒有任何兩點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度相同 |
B.可以找到很多電場(chǎng)強(qiáng)度相同的點(diǎn) |
C.沒有任何兩點(diǎn)電勢(shì)相等 |
D.可以找到很多電勢(shì)相等的點(diǎn) |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是A點(diǎn),電勢(shì)最高的點(diǎn)是B點(diǎn) |
B.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是A點(diǎn),電勢(shì)最高的點(diǎn)是C點(diǎn) |
C.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是C點(diǎn),電勢(shì)最高的點(diǎn)是B點(diǎn) |
D.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是C點(diǎn),電勢(shì)最高的點(diǎn)是A點(diǎn) |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.A點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)一定大于B點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng) |
B.A點(diǎn)的電勢(shì)一定高于B點(diǎn)的電勢(shì) |
C.粒子在A點(diǎn)的速度一定小于在B點(diǎn)的速度 |
D.粒子在A點(diǎn)的電勢(shì)能一定小于在B點(diǎn)的電勢(shì)能 |
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科目: 來源:不詳 題型:多選題
A.點(diǎn)電荷Q一定為正電荷 |
B.點(diǎn)電荷Q在AB之間 |
C.A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為2×103N/C |
D.A點(diǎn)的電勢(shì)比B點(diǎn)的電勢(shì)高 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.E=
| ||
B.電容器所帶電荷量增加一倍,其電容也增加一倍 | ||
C.電容器外殼上標(biāo)的電壓為擊穿電壓 | ||
D.用多用電表的歐姆檔測(cè)電阻時(shí),指針應(yīng)指在刻度盤的中央附近 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.根據(jù)E=F/q,可知電場(chǎng)中某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)與電場(chǎng)力成正比 |
B.根據(jù)E=KQ/r2,可知點(diǎn)電荷電場(chǎng)中某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)與該點(diǎn)電荷的電量Q成正比 |
C.根據(jù)場(chǎng)強(qiáng)疊加原理,可知合電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)一定大于分電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng) |
D.電場(chǎng)線就是點(diǎn)電荷在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.若放在P點(diǎn)的電荷的電量減半,則P點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)減半 |
B.若P點(diǎn)沒有檢驗(yàn)電荷,則P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為零 |
C.P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)越大,則同一電荷在P點(diǎn)所受的電場(chǎng)力越大 |
D.P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向?yàn)闄z驗(yàn)電荷在該點(diǎn)的受力方向 |
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科目: 來源:不詳 題型:多選題
A.由公式E=
| ||
B.由公式E=
| ||
C.點(diǎn)電荷Q的場(chǎng)強(qiáng)公式E=k
| ||
D.離點(diǎn)電荷Q距離相同處,電場(chǎng)強(qiáng)度相同 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.該點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為
| ||
B.若移走該試探電荷,該點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為0 | ||
C.若在該點(diǎn)換上2q的試探電荷,該點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小仍為
| ||
D.以上說法都不對(duì) |
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科目: 來源:同步題 題型:計(jì)算題
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