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如圖,平行金屬板傾斜放置,AB長(zhǎng)度為L,金屬板與水平方向的夾角為θ,一電荷量為-q、質(zhì)量為m的帶電小球以水平速度v0進(jìn)入電場(chǎng),且做直線運(yùn)動(dòng),到達(dá)B點(diǎn)。離開電場(chǎng)后,進(jìn)入如下圖所示的電磁場(chǎng)(圖中電場(chǎng)沒有畫出)區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng),并豎直向下穿出電磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。試求:
(1)帶電小球進(jìn)入電磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)的速度v。
(2)帶電小球在電磁場(chǎng)區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。
(3)重力在電磁場(chǎng)區(qū)域?qū)π∏蛩龅墓Α?/p>
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如下圖,在xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)有互相正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)E與勻強(qiáng)磁場(chǎng)B,E的大小為1.0×103V/m,方向未知,B的大小為1.0T,方向垂直紙面向里;第二象限的某個(gè)圓形區(qū)域內(nèi),有方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B′。一質(zhì)量m=1×10-14kg、電荷量q=1×10-10C的帶正電微粒以某一速度v沿與x軸負(fù)方向60°角從A點(diǎn)沿直線進(jìn)入第一象限運(yùn)動(dòng),經(jīng)B點(diǎn)即進(jìn)入處于第二象限內(nèi)的磁場(chǎng)B′區(qū)域,一段時(shí)間后,微粒經(jīng)過x軸上的C點(diǎn)并與x軸負(fù)方向成60°角的方向飛出。已知A點(diǎn)的坐標(biāo)為(10,0),C點(diǎn)的坐標(biāo)為(-30,0),不計(jì)粒子重力,g取10m/s2。
(1)請(qǐng)分析判斷勻強(qiáng)電場(chǎng)E的方向并求出微粒的運(yùn)動(dòng)速度v;
(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)B′的大小為多大?
(3)B′磁場(chǎng)區(qū)域的最小面積為多少?
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中國(guó)電磁炮研制方面與歐美西方國(guó)家在同一起跑線上,限于技術(shù)和人才原因中國(guó)電磁炮研制會(huì)稍比西方國(guó)家慢幾年,但在某些技術(shù)上將會(huì)比美國(guó)電磁炮更精進(jìn)。電磁炮是利用磁場(chǎng)對(duì)電流的作用力把電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,使炮彈發(fā)射出去的。如下圖所示,把兩根長(zhǎng)為s,互相平行的銅制軌道放在磁場(chǎng)中,軌道之間放有質(zhì)量為m的炮彈,炮彈架在長(zhǎng)為L、質(zhì)量為M的金屬架上,已知金屬架與炮彈在運(yùn)動(dòng)過程中所受的總阻力與速度平方成正比,當(dāng)有恒定的大電流I1通過軌道和炮彈時(shí),炮彈與金屬架在磁場(chǎng)力的作用下,獲得速度v1時(shí)加速度為a,當(dāng)有恒定的大電流I2通過軌道和炮彈時(shí),炮彈最終以最大速度v2脫離金屬架并離開軌道,則垂直于軌道平面的磁感強(qiáng)度為多少?
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如右圖所示,一束粒子(不計(jì)重力,初速度可忽略)緩慢通過小孔O1進(jìn)入極板間電壓為U的水平加速電場(chǎng)區(qū)域I,再通過小孔O2射入相互正交的恒定勻強(qiáng)電場(chǎng)、磁場(chǎng)區(qū)域Ⅱ,其中磁場(chǎng)的方向如圖所示,收集室的小孔O3與O1、O2在同一條水平線上。則 ( )
A.該裝置可篩選出具有特定質(zhì)量的粒子
B.該裝置可篩選出具有特定電量的粒子
C.該裝置可篩選出具有特定速度的粒子
D.該裝置可篩選出具有特定動(dòng)能的粒子
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如右圖所示,距水平地面高度為3h處有一豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,從距地面4h高處的A點(diǎn)以初速度v0水平拋出一帶電小球(可視作質(zhì)點(diǎn)),帶電小球電量為q,質(zhì)量為m,若q、m、h、B滿足關(guān)系式,則小球落點(diǎn)與拋出點(diǎn)A的水平位移S是
( )
A. B.
C. D.
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如右圖所示,帶有正電荷的A粒子和B粒子同時(shí)以同樣大小的速度從寬度為d的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的邊界上的O點(diǎn)分別以30°和60°(與邊界的交角)射入磁場(chǎng),又恰好不從另一邊界飛出,則下列說法中正確的是
( )
A.A、B兩粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑之比是
B.A、B兩粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑之比是
C.A、B兩粒子的之比是
D.A、B兩粒子的之比是
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2011年“3·15”到來之際,平板電視終于納入“三包”當(dāng)中,顯示屏等關(guān)鍵零部件包修3年。如右圖所示,電視機(jī)的顯像管中,電子束的偏轉(zhuǎn)是用磁偏轉(zhuǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。電子束經(jīng)過加速電場(chǎng)后,進(jìn)入一圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū),磁場(chǎng)方向垂直于圓面。不加磁場(chǎng)時(shí),電子束將通過磁場(chǎng)中心O點(diǎn)而打到屏幕上的中心M,加磁場(chǎng)后電子束偏轉(zhuǎn)到P點(diǎn)外側(cè),F(xiàn)要使電子束偏轉(zhuǎn)回到P點(diǎn),可行的辦法是
( )
A.增大加速電壓
B.增加偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
C.將圓形磁場(chǎng)區(qū)域向屏幕靠近些
D.將圓形磁場(chǎng)的半徑增大些
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如右圖,勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有一個(gè)帶電量為q的離子自a點(diǎn)沿箭頭方向運(yùn)動(dòng)。當(dāng)它運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí),突然吸收了附近的若干個(gè)電子,接著沿另一圓軌道運(yùn)動(dòng)到與a、b在一條直線上的c點(diǎn)。已知,電子電量為e,電子質(zhì)量不計(jì)。由此可知,離子吸收的電子個(gè)數(shù)為
( )
A. B.
C. D.
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2010年,上海成功舉辦盛大的世界博覽會(huì)。回眸一下歷屆世博會(huì),很多科技成果從世博會(huì)上走向世界。例如:1873年奧地利維也納世博會(huì)上,線路意外搭錯(cuò)造就“偶然發(fā)明”,導(dǎo)致發(fā)電機(jī)變成了電動(dòng)機(jī)。如右圖所示,是著名的電磁旋轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn),這一裝置實(shí)際上就是最早的電動(dòng)機(jī)。圖中A是可動(dòng)磁鐵,B是固定導(dǎo)線,C是可動(dòng)導(dǎo)線,D是固定磁鐵。圖中黑色部分表示汞(磁鐵和導(dǎo)線的下半部分都浸沒在汞中),下部接在電源上。請(qǐng)你判斷這時(shí)自上向下看,A和C轉(zhuǎn)動(dòng)方向?yàn)?
( )
A.可動(dòng)磁鐵A轉(zhuǎn)動(dòng)方向?yàn)槟鏁r(shí)針
B.A和C轉(zhuǎn)動(dòng)方向均為逆時(shí)針
C.可動(dòng)導(dǎo)線C轉(zhuǎn)動(dòng)方向?yàn)轫槙r(shí)針
D.A和C轉(zhuǎn)動(dòng)方向均為順時(shí)針
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如右圖所示,豎直光滑的墻面上有一閉合導(dǎo)線框a,在導(dǎo)線框a的下方有一面積比導(dǎo)線框a稍小的磁場(chǎng)區(qū)域b。導(dǎo)線框a從圖示位置自由下落,在其整個(gè)下落過程中,下列說法正確的是
( )
A.導(dǎo)線框做自由落體運(yùn)動(dòng)
B.導(dǎo)線框通過磁場(chǎng)區(qū)域后做曲線運(yùn)動(dòng)
C.導(dǎo)線框通過磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)機(jī)械能會(huì)減少
D.導(dǎo)線框在穿過磁場(chǎng)區(qū)域時(shí),上下兩個(gè)導(dǎo)線受到的安培力方向都向上
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