在勻強磁場中，一個原來靜止的原子核發(fā)生衰變，得到一個如圖所示的徑跡，圖中箭頭表示衰變后新核的運動方向，不計發(fā)出光子的能量，則下列說法正確的是（　　）

A．發(fā)生的是β衰變，b為β粒子徑跡

B．發(fā)生的是α衰變，b為α粒子徑跡

C．磁場方向垂直紙面向外

D．磁場方向垂直紙面向里

如圖所示，在y軸右側平面內存在方向向內的勻強磁場，磁感應強度B=0、5T，坐標原點O有一放射源，可以向y軸右側面內沿各個方向放射比荷

q

m

=4×106C/Kg的正離子，這些正離子的速率分別在零到vmax=2×106m/s的范圍內，不計離子之間的相互作用．
（1）求離子打到y(tǒng)軸上的范圍
（2）若在某時刻沿+x方向放射各種速率的離子，求經過t=

5π

3

×10-7s時這些離子所在位置構成的曲線方程．
（3）若從某時刻開始向y軸右側各個方向放射各種速率的離子，求經過t=

5π

3

×10-7s時已進入磁場的離子可能出現的區(qū)域面積．

如圖所示，在平面直角坐標系xoy的第四象限有垂直紙面向里的勻強磁場，一質量為m=5.0×10^-8kg、電量為q=1.0×10^-6C的帶電粒子，從靜止開始經U₀=10V的電壓加速后，從P點沿圖示方向進入磁場，已知OP=30cm，（粒子重力不計，sin37°=0.6，cos37°=0.8），求：
（1）帶電粒子到達P點時速度v的大小
（2）若磁感應強度B=2.0T，粒子從x軸上的Q點離開磁場，求QO的距離
（3）若粒子不能進入x軸上方，求磁感應強度B'滿足的條件．

如圖所示，豎直放置的兩塊很大的平行金屬板a、b，相距為d，ab間的電場強度為E，今有一帶正電的微粒從a板下邊緣以初速度v₀豎直向上射入電場，當它飛到b板時，速度大小不變，而方向變成水平方向，且剛好從高度也為d的狹縫穿過b板而進入bc區(qū)域，bc寬度也為d，所加電場大小為E，方向豎直向上，磁感應強度方向垂直于紙面向里，磁感應強度大小等于

E

v0

，重力加速度為g，則下列關于粒子運動的有關說法中正確的是（　�。�

A．粒子在ab區(qū)域中做勻變速運動，運動時間為 v0 g

B．粒子在bc區(qū)域中做勻速圓周運動，圓周半徑r=2d

C．粒子在bc區(qū)域中做勻速圓周運動，運動時間為 πd 6v0

D．粒子在ab、bc區(qū)域中運動的總時間為 (π+6)d 3v0

如圖所示，方向垂直紙面向里的勻強磁場的邊界，是一個半徑為r的圓，圓心O₁在x軸上，OO₁距離等于圓的半徑．虛線MN平行于x軸且與圓相切于P點，在MN的上方是正交的勻強電場和勻強磁場，電場強度的大小為E，方向沿x軸的負方向，磁感應強度為B，方向垂直紙面向外．有-群相同的正粒子，以相同的速率，在紙面內沿不同方向從原點O射入第I象限，粒子的速度方向在與x軸成θ=30°角的范圍內，其中沿x軸正方向進入磁場的粒子經過P點射入MN后，恰好在正交的電磁場中做直線運動．粒子的質量為m．電荷量為q（不計粒子的重力）．求：
（1）粒子的初速率；
（2）圓形有界磁場的磁感應強度：
（3）若只撤去虛線MN上面的磁場B，這些粒子經過y軸的坐標范圍．

如圖1，在xoy 平面內有垂直紙面的有界勻強磁場，磁感應強度大小均為B，其中0＜x＜a區(qū)域內磁場方向垂直xoy 平面向里，a＜x區(qū)域內磁場方向垂直xoy 平面向外，x＜0區(qū)域內無磁場．一個帶正電q、質量為m 的粒子（粒子重力不計）在坐標原點處，以某一初速度沿x軸正方向射入磁場．



（1）求要使粒子能進入第二個磁場，初速度要滿足的條件；
（2）粒子初速度改為v₁，要使粒子經過兩個磁場后沿x軸負方向經過O點，求圖中磁場分界線（圖中虛線）的橫坐標值為多少？要在圖2中畫出軌跡圖．
（3）在第二問的情況下，要使帶電粒子第二次回到O點，且回到O點時的速度方向沿x軸正方向，請在x＜0內設計符合要求的磁場，在圖2上標明磁場的方向、磁感應強度的大小和邊界的坐標？
（4）若粒子在第一個磁場中作圓周運動的軌跡半徑為R=

2

a，求粒子在磁場中的軌跡與x 軸的交點坐標．

如圖，真空室內存在勻強磁場，磁場方向垂直于紙面向里，磁感應強度的大小B=0.60T，磁場內有一塊平面感光板ab，板面與磁場方向平行，在距ab的距離l=16cm處，有一個點狀的α放射源S，它向各個方向發(fā)射α粒子，α粒子的速度都是v=3.0×10⁶m/s，已知α粒子的電荷與質量之比

q

m

=5.0×107C/kg，現只考慮在圖紙平面中運動的α粒子，求ab上被α粒子打中的區(qū)域的長度．

如圖甲所示的控制電子運動裝置由偏轉電場、偏轉磁場組成．偏轉電場處在加有電壓U、相距為d的兩塊水平平行放置的導體板之間，勻強磁場水平寬度一定，豎直長度足夠大，其緊靠偏轉電場的右邊．大量電子以相同初速度連續(xù)不斷地沿兩板正中間虛線的方向向右射入導體板之間．當兩板間沒有加電壓時，這些電子通過兩板之間的時間為2t₀；當兩板間加上圖乙所示的電壓U時，所有電子均能通過電場、穿過磁場，最后打在豎直放置的熒光屏上．已知電子的質量為m、電荷量為e，不計電子的重力及電子間的相互作用，電壓U的最大值為U₀，磁場的磁感應強度大小為B、方向水平且垂直紙面向里．
（1）如果電子在t=t₀時刻進入兩板間，求它離開偏轉電場時豎直分位移的大�。�


（2）要使電子在t=0時刻進入電場并能最終垂直打在熒光屏上，勻強磁場的水平寬度l為多少？
（3）在滿足第（2）問的情況下，打在熒光屏上的電子束的寬度為多少？

圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉動，側面開有狹縫N，內側貼有記錄薄膜，M為正對狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上的S縫后進入狹縫N，在圓筒轉動半個周期的時間內相繼到達并沉積在薄膜上．展開的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　�。�

A．到達M附近的銀原子速率較大

B．到達Q附近的銀原子速率較大

C．位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率

D．位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率