科目： 來源：同步題 題型：不定項選擇

一電子以垂直于勻強磁場的速度v_A，從A處進入長為d寬為h的磁場區(qū)域如圖所示，發(fā)生偏移而從B處離開磁場，若電荷量為e，磁感應(yīng)強度為B，圓弧AB的長為L，則

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A．電子在磁場中運動的時間為t＝d/v_A
B．電子在磁場中運動的時間為t＝L/v_A
C．洛倫茲力對電子做功是Bev_Ah
D．電子在A、B兩處的速度相同

科目： 來源：月考題 題型：填空題

如圖所示，離子源從小孔發(fā)射出帶電荷量為e的正離子（初速度可忽略），在加速電壓U的作用下，沿MO方向進入勻強磁場中，磁場限制在以O(shè)點為圓心，半徑為r的區(qū)域內(nèi)，磁感應(yīng)強度為B，方向垂直紙面向外，離子從N點射出，已知∠MON=120°，則正離子質(zhì)量為_____________，正離子通過磁場所需時間為_____________。

科目： 來源：0110 期中題 題型：計算題

一質(zhì)量為m、帶電量為q的粒子以速度v₀從O點沿y軸正方向射入磁感強度為B的一圓形勻強磁場區(qū)域，磁場方向垂直于紙面，粒子飛出磁場區(qū)后，從b處穿過x軸，速度方向與x軸正向夾角為30°，如圖所示（粒子重力忽略不計）。試求：
（1）圓形磁場區(qū)的最小面積；
（2）粒子從O點進入磁場區(qū)到達b點所經(jīng)歷的時間；
（3）b點的坐標。

科目： 來源：不詳 題型：單選題

科目： 來源：北京模擬題 題型：計算題

如圖所示，一個質(zhì)量為m =2.0×10^-11 kg，電荷量q=+1.0×10^-5 C的帶電微粒（重力忽略不計），從靜止開始經(jīng)U₁=100V電壓加速后，水平進入兩平行金屬板間沿豎直方向的偏轉(zhuǎn)電場中，偏轉(zhuǎn)電場的電壓U₂=100V。金屬板長L=20cm，兩板間距d =cm。求：
（1）微粒進入偏轉(zhuǎn)電場時的速度v₀大��；
（2）微粒射出偏轉(zhuǎn)電場時的偏轉(zhuǎn)角θ；
（3）若該勻強磁場的寬度為D=cm，為使微粒不會由磁場右邊射出，該勻強磁場的磁感應(yīng)強度B至少多大。

科目： 來源：同步題 題型：填空題

質(zhì)子和α粒子從靜止開始經(jīng)相同的電勢差加速后垂直進入同一勻強磁場做圓周運動，則這兩粒子的動能之比E_k1:E_k2=____，軌道半徑之比r₁:r₂=____，周期之比T₁:T₂=____。

科目： 來源： 題型：

科目： 來源：東莞模擬 題型：問答題

如圖所示，一個質(zhì)量為m=2.0×10^-11kg，電荷量q=+1.0×10^-5C的帶電微粒（重力忽略不計），從靜止開始經(jīng)U₁=100V電壓加速后，水平進入兩平行金屬板間的偏轉(zhuǎn)電場，偏轉(zhuǎn)電場的電壓U₂=100V．金屬板長L=20cm，兩板間距d=10

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cm．求：
（1）微粒進入偏轉(zhuǎn)電場時的速度v₀的大小
（2）微粒射出偏轉(zhuǎn)電場時的偏轉(zhuǎn)角θ和速度v
（3）若帶電微粒離開偏轉(zhuǎn)電場后進入磁感應(yīng)強度

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為B=T的均強磁場，為使微粒不從磁場右邊界射出，該勻強磁場的寬度D至少為多大．

科目： 來源：不詳 題型：多選題

如圖所示，在垂直紙面向里的勻強磁場邊界上，有兩個質(zhì)量、電荷量均相等的正、負離子（不計重力），從O點以相同的速度射入磁場中，射入方向均與邊界成θ角，則正、負離子在磁場中運動的過程，下列判斷正確的是（　�。�

A．運動的軌道半徑相同

B．重新回到磁場邊界時速度大小和方向都相同

C．運動的時間相同

D．重新回到磁場邊界的位置與O點距離相等

科目： 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，用鋁板制成“?”形框，將一質(zhì)量為m的帶電小球用絕緣細線懸掛在框的上方，讓整體在垂直于水平方向的勻強磁場中向左以速度v勻速運動，懸線拉力為T，則（　　）

A．懸線豎直，T=mg

B．懸線豎直，T＜mg

C．v選擇合適的大小，可使T=0

D．因條件不足，T與mg的大小關(guān)系無法確定