A. 若上表面電勢高，則為P型半導(dǎo)體

B. 若下表面電勢高，則為P型半導(dǎo)體

C. 該半導(dǎo)體單位體積內(nèi)的載流子數(shù)為

D. 該半導(dǎo)體單位體積內(nèi)的載流子數(shù)為

A. 在玻璃中a光束的速度最大

B. 在玻璃中c光束的速度最大

C. 若b光束照射光電管恰能發(fā)生光電效應(yīng),那么光束a 照射這個光電管也一定能發(fā)生光電效應(yīng)

D. c光束的光子能量最小

A. b點的電勢一定高于a點

B. a點的場強一定大于b點

C. 帶電粒子一定帶正電

D. 帶電粒子在b點的速率一定小于在a點的速率

A. 光纖對B光的折射率大

B. A光打出的光電子的最大初動能一定比B光的大

C. A光在單位時間內(nèi)打出的電子數(shù)一定比B的光的多

D. B光的波動性一定比A光顯著

【題目】研究光電效應(yīng)規(guī)律的實驗裝置如圖所示，以頻率為v的光照射光電管陰極K時，有光電子產(chǎn)生。由于光電管K、A間加的是反向電壓，光電子從陰極K發(fā)射后將向陽極A做減速運動。光電流i由圖中電流計測出，反向電壓U由電壓表測出。當(dāng)電流計的示數(shù)恰好為零時，電壓表的示數(shù)稱為反向截止電壓Uc，在下圖所表示光電效應(yīng)實驗規(guī)律的圖像中，正確的是(　　)

A. B.

C. D.

A. 該電場在c點處的電勢一定為4 V

B. a點處的場強Ea一定大于b點處的場強Eb

C. 一正電荷從c點運動到b點電勢能一定減少

D. 一正電荷運動到c點時受到的靜電力由c指向a

【題目】對于電容，以下說法正確的是 ( )

A. 一只電容充電荷量越大，電容就越大

B. 對于固定電容器，它所充電荷量跟它兩極板間所加電壓的比值保持不變

C. 可變電容器的充電荷量跟加在兩極間的電壓成反比

D. 如果一個電容器沒有電壓，就沒有充電荷量，也就沒有電容

【題目】運動質(zhì)點的的圖象如圖所示，圖線為頂點在坐標原點,開口向右的拋物線的上半支，則下列判斷正確的是

A. 質(zhì)點做初速度為零的勻加速直線運動

B. 質(zhì)點的加速度大小為5 m/s2

C. 質(zhì)點在3s末的速度大小為30 m/s

D. 坐標(10,10)處的斜率為0.5

A. 放出三種頻率不同的光子

B. 放出六種頻率不同的光子

C. 放出的光子的最大能量為其12.75ev ，最小能量是0.66eV

D. 放出的光能夠使逸出功為13.0eV的金屬發(fā)生光電效應(yīng)

A. 在兩點電荷之間的連線上存在一處電場強度為零的點

B. 將一電子從a點由靜止釋放，它將在a、b間往復(fù)運動

C. c點的電勢高于b點的電勢

D. 負試探電荷在a點具有的電勢能比在b點時具有的電勢能小