【題目】如圖所示，在正交的勻強(qiáng)電場和磁場的區(qū)域內(nèi)磁場水平向里，有一離子恰能沿直線飛過此區(qū)域不計(jì)離子重力　　

A. 若離子帶正電，E方向應(yīng)向下 B. 若離子帶負(fù)電，E方向應(yīng)向上

C. 若離子帶正電，E方向應(yīng)向上 D. 不管離子帶何種電，E方向都向上

A. 閉合S，將P向下移動后，燈泡可能正常發(fā)光

B. 閉合S，將P向上移動后，燈泡可能正常發(fā)光

C. 若發(fā)電機(jī)線圈的轉(zhuǎn)速減小，將P向下移動后，燈泡可能正常發(fā)光

D. 若發(fā)電機(jī)線圈的轉(zhuǎn)速減小，將P向上移動后，燈泡可能正常發(fā)光

【題目】如圖，在平面直角坐標(biāo)系xoy的第四象限區(qū)域都有沿方向的勻強(qiáng)電場。在第一象限的某個(gè)長方形區(qū)域內(nèi)有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場，磁場方向垂直于紙面向里，其下邊界在x軸上，左邊界在y軸上。一質(zhì)量為m、電荷量為的帶電微粒重力不計(jì)，以初速度從圖中的P點(diǎn)沿方向進(jìn)入電場，通過x軸上的Q點(diǎn)時(shí)速度為，PQ間沿方向的距離為L，帶電微粒進(jìn)入第一象限后，由于磁場的作用，該微粒再次通過x軸時(shí)，恰好沿方向經(jīng)過原點(diǎn)求：

勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E的大小。

微粒在磁場中運(yùn)動的軌跡半徑及微粒從P到O運(yùn)動的時(shí)間。

在xoy平面內(nèi)長方形磁場區(qū)域的最小面積。

A. t=6s時(shí)物塊恰好經(jīng)過B點(diǎn)

B. t=12s時(shí)物塊恰好到達(dá)C點(diǎn)

C. 物塊與水平面間的動摩擦因數(shù)為

D. 整個(gè)過程中物塊屯勢能的減少量等于系統(tǒng)內(nèi)能的增加量

（1）小球通過光電門時(shí)的速度大小可表示為v=_____________；

（2）要驗(yàn)證小球在向下擺動過程中機(jī)械能守恒，若測得懸點(diǎn)到小球球心的距離為L，重力加速度用g表示，需要驗(yàn)證的表達(dá)式是_________（用△t、d、L、g等物理量表示）；

（3）為了減小實(shí)驗(yàn)誤差,小球應(yīng)該滿足什么件：___________________．

A. 位于B點(diǎn)時(shí)，只要彈丸射出速度合適就能過關(guān)

B. 只要高于B點(diǎn)，彈丸射出速度合適都能過關(guān)

C. 只有一個(gè)位置，且彈丸以某一速度射出才能過關(guān)

D. 有兩個(gè)位置，只要彈丸射出速度合適都能過關(guān)

A. 對于一定量的理想氣體，保持壓強(qiáng)不變，體積減小，那么它一定從外界吸熱

B. 熱量總是自發(fā)的從分子平均動能大的物體傳遞到分子平均動能小的物體

C. 一定質(zhì)量的晶體在熔化過程中，其內(nèi)能保持不變，分子勢能增大

D. 當(dāng)分子力表現(xiàn)為斥力時(shí)，分子力和分子勢能總是隨分子間距離的減小而增大

E. 氣體對容器壓強(qiáng)的大小,是由氣體分子的密集程度和氣體分子平均動能共同決定的

【題目】如圖，半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場，半徑OC與OB夾角為60°。甲電子以速率v從A點(diǎn)沿直徑AB方向射入磁場，從C點(diǎn)射出。乙電子以速率從B點(diǎn)沿BA方向射入磁場，從D點(diǎn)(圖中未畫出)射出，則

A. C、D兩點(diǎn)間的距離為2R

B. C、D兩點(diǎn)間的距離為R

C. 甲在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是乙的2倍

D. 甲在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是乙的3倍

A. 帶電粒子在磁場中運(yùn)動的軌跡半徑為1cm

B. 帶電粒子在磁場中運(yùn)動的軌跡圓心一定在圓形磁場的邊界上

C. 若帶電粒子改為從圓形磁場邊界上的C點(diǎn)以相同的速度入射，一定從N點(diǎn)射出

D. 若要實(shí)現(xiàn)帶電粒子從A點(diǎn)入射，從N點(diǎn)出射，則該圓形磁場的最小面積

A. 在光照條件不變的情況下，隨著所加電壓的增大，光電流一直會增加。

B. a、c光的頻率相等

C. 光電子的能量只與入射光的強(qiáng)弱有關(guān)，而與入射光的頻率無關(guān)

D. a光的波長大于b光的波長