A. 在空中運(yùn)動(dòng)時(shí)小球A速度的變化率大于小球B速度的變化率

B. 小球A在空中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間大于小球B在空中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間

C. A、B兩球落地時(shí)速度一定相等

D. 兩球落地時(shí)重力做功的功率可能相等

A. 干涉條紋的產(chǎn)生是由于光線在膜前后表面反射形成的兩列光波的疊加

B. 用藍(lán)光照射產(chǎn)生的干涉條紋間距比黃光照射時(shí)產(chǎn)生的條紋間距窄

C. 干涉條紋間的亮紋是由于兩反射光疊加減弱產(chǎn)生的

D. 薄膜上干涉條紋基本上是水平的

【題目】在光滑水平面上靜止有質(zhì)量均為m的木板AB和滑塊CD，木板AB上表面粗糙，滑塊CD上表面是光滑的圓弧，他們緊靠在一起，如圖所示一個(gè)可視為質(zhì)點(diǎn)的物塊P，質(zhì)量也為m，它從木板AB的右端以初速度滑上木板，過B點(diǎn)時(shí)速度為，然后又滑上滑塊CD，最終恰好能滑到滑塊CD圓弧的最高點(diǎn)C處若物體P與木板AB間的動(dòng)摩擦因數(shù)為，求：

物塊滑到B處時(shí)木板AB的速度的大�。�

木板AB的長度L；

滑塊CD最終速度的大小．

①氣體的壓強(qiáng)；

②緩慢加熱氣體使活塞回到原位置,此過程中氣體吸收了20J熱量，求其內(nèi)能增加量．

45°，若線框的總電阻為R，則

A. 線框穿進(jìn)磁場過程中，框中電流的方向?yàn)?/span>DCBA

B. AC剛進(jìn)入磁場時(shí)線框中感應(yīng)電流為

C. AC剛進(jìn)入磁場時(shí)線框所受安培力為

D. 此時(shí)CD兩端電壓為

A. 在0～6s內(nèi)，質(zhì)點(diǎn)做勻變速直線運(yùn)動(dòng) B. 在t=12s末，質(zhì)點(diǎn)的加速度為-1m/s2

C. 在6～10s內(nèi)，質(zhì)點(diǎn)處于靜止?fàn)顟B(tài) D. 在4s末，質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)方向改變

A.下滑過程中的最大速度為4m/s

B.加速與減速過程的時(shí)間之比為1：2

C.加速與減速過程中平均速度之比為1：2

D.減速過程的加速度大小為4m/s2

A.

B.

C.

D.

【題目】如圖所示，平面直角坐標(biāo)系xOy，P點(diǎn)在x軸上，xp=2L，Q點(diǎn)在負(fù)y軸上某處。第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的勻強(qiáng)電場，第Ⅱ象限內(nèi)有一圓形區(qū)域與x、y軸分別相切于A、C兩點(diǎn)，AO＝L，第Ⅳ象限內(nèi)有一未知的矩形區(qū)域（圖中未畫出），圓形區(qū)域和矩形區(qū)域內(nèi)有相同的勻強(qiáng)磁場，磁場方向垂直于xOy平面（圖中未畫出）。電荷量為＋q、質(zhì)量為m、速度大小為v0的粒子束a從A點(diǎn)沿y軸正方向發(fā)射，經(jīng)過C點(diǎn)和P點(diǎn)；電荷量為－q、質(zhì)量為m、速率為的粒子b，從Q點(diǎn)向與y軸成45°夾角方向發(fā)射，經(jīng)過并離開矩形區(qū)域后與離開P點(diǎn)的粒子束a相碰，相碰時(shí)粒子速度方向相反。不計(jì)粒子的重力和粒子間相互作用力。求：

（1）圓形區(qū)域內(nèi)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小、方向；

（2）第Ⅰ象限內(nèi)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)大小E；

（3）矩形區(qū)域的最小面積S。

【題目】用一個(gè)中子轟擊U，可發(fā)生裂變反應(yīng)生成Ba和Kr，已知U的質(zhì)量為235.0439u，Ba的質(zhì)量為140.9139u，Kr的質(zhì)量為91.8973u，中子質(zhì)量為1.0087u，1u相當(dāng)于931Mev,阿伏伽德羅常數(shù)NA=6.02×10mol-1,

（1）請(qǐng)寫出裂變中的核反應(yīng)方程，

（2）求一個(gè)U在裂變反應(yīng)中釋放的核能

（3）1克U全部反應(yīng)釋放的能量為多少？