以下敘述中正確的是        

A．帶電量較小的帶電體可以看成是點電荷

B．電場線的形狀可以用實驗來模擬，這說明電場線是實際存在的

C．一般情況下，兩個點電荷之間的庫侖力比它們之間的萬有引力要大得多

D．電場線的分布情況可以反映出電場中各點的場強方向，但無法描述電場的強弱

(8分)如圖所示是質(zhì)譜儀的示意圖，它可以測定單個離子的質(zhì)量，圖中離子源S產(chǎn)生帶電荷量為q的離子，經(jīng)電壓為U的電場加速后從A點垂直射入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中，沿半圓軌道運動到P點離開磁場打到記錄它的照像底片上，測得P與A相距為d，求該離子的質(zhì)量m。

(8分)多用電表直流電流測量電路原理如圖所示，設(shè)表頭的滿偏電流，Ig=200A，內(nèi)阻Rg=100，圖中與的大小應(yīng)為多少？

(8分)如圖所示的天平可用來測量磁感應(yīng)強度，天平的右臂下面掛一個矩形線圈，寬為L，共N匝，線圈的下部懸在勻強磁場中，磁場方向垂直于紙面．當線圈中通有電流I(方向如圖)時，在天平兩邊加上質(zhì)量分別為m1、m2肪的砝碼時，天平平衡：當電流反向(大小不變)時，右邊再加上質(zhì)量為m的砝碼后，又重新平衡。求磁感應(yīng)強度B．

一只斷了燈絲的燈泡，搭接燈絲后使用，要比原來亮一些，這是因為燈絲的

      A．電阻變小    B．電阻變大    C．電阻率變小    D．電阻率變大

（8分）在高度為1.2m：的絕緣水平桌面上，放著一個質(zhì)量為2kg帶0.05C正電的鉛塊，對鉛塊施加一水平向右的瞬時沖量I=50Ns，使其沿桌面向右運動。鉛塊離開桌面后，立即進入豎直向下的勻強電場中，電場強度大小為200V／m，落地點與桌邊水平距離為0．4m。設(shè)在桌面上滑動時增加的內(nèi)能有50％使鉛塊的溫度升高，則鉛塊的溫度升高多少度？已知鉛塊的比熱容為1.3×10²J/（kg?℃）取g=10m／s²

（06年全國卷Ⅰ）（19分）一水平的淺色長傳送帶上放置一煤塊（可視為質(zhì)點），煤塊與傳送帶之間的動摩擦因數(shù)為μ。初始時，傳送帶與煤塊都是靜止的�，F(xiàn)讓傳送帶以恒定的加速度α₀開始運動，當其速度達到v₀后，便以此速度做勻速運動。經(jīng)過一段時間，煤塊在傳送帶上留下了一段黑色痕跡后，煤塊相對于傳送帶不再滑動。求此黑色痕跡的長度。

（4分）在“用多用電表探測黑箱內(nèi)的電學(xué)元件”的實驗中，多用電表的歐姆檔黑表筆接表內(nèi)電源正極，紅表筆接表內(nèi)電源負極。黑箱上有三個接線柱A、B、C，如圖所示。

己知箱內(nèi)裝的元件只有兩個(可能的元件是電池、電阻或二極管)，并且兩個接線柱間晟多只接一個元件，現(xiàn)測量結(jié)果如下：

(1) 用直流電壓擋測量，A、B、C三點間均無電壓；

 (2) 用歐姆擋測量A、C間正接與反接阻值不變；

    (3) 用歐姆擋測量，黑表筆接A點，紅表筆接B點，有阻值；反接阻值很大。

    (4) 用歐姆擋測量，黑表筆接C點，紅表筆接B點，有阻值，阻值比第(2)步測

得的稍大；反接阻值很大。

    請根據(jù)以上測量結(jié)果，在圖中畫出箱內(nèi)兩個元件的接法。

（5分）如圖所示，用手指堵住注射器前端的小孔，便針管中封閉一定質(zhì)量的空氣(忽略手對針管中空氣溫度的影響)。當環(huán)境溫度不變時， 緩慢用力壓活塞使氣體的體積減小，則管內(nèi)氣體的壓強          (填“變大”或“變小”)。按照氣體分子熱運動的理論從微觀上解釋，這是因為：                                                              

（4分）設(shè)橫截面積為1.0mm²的鋁導(dǎo)線中通過1.0A的電流。鋁住單位體積中的自由電子數(shù)約為7.5×10²⁸ ，電子的電荷量為1.6×10^-19C，由此可以算出這時自由電子的定向移動速率為           m/s。