13.常溫下.其單質(zhì)是有色氣體的是 , 高一化學(xué)知識小卡片(35) 班 姓名­­­­ 知識點(diǎn):短周期元素推斷題的常見“題眼 (一): 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

常溫下由三種短周期元素形成的氣體單質(zhì)X、Y、Z,并有下列轉(zhuǎn)化關(guān)系(反應(yīng)條件已略去):

已知:X分子中含共價(jià)鍵最多;甲分子中含10個(gè)電子,乙分子含有18個(gè)電子.
(1)寫出X的結(jié)構(gòu)式是______;化合物丙中存在的作用力:______.
(2)實(shí)驗(yàn)室中經(jīng)常利用如圖所示裝置制備并收集甲(夾持、固定裝置已略去但缺少收集裝置).
請?jiān)谌鐖D方框內(nèi)繪出用燒瓶收集甲的儀器裝置簡圖(并將導(dǎo)管補(bǔ)充完整).
②試管中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式是______.
③燒杯中溶液由無色變?yōu)榧t色,其原因______.(用電離方程式解釋)

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常溫下由三種短周期元素形成的氣體單質(zhì)X、Y、Z,并有下列轉(zhuǎn)化關(guān)系(反應(yīng)條件已略去):

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已知:X分子中含共價(jià)鍵最多;甲分子中含10個(gè)電子,乙分子含有18個(gè)電子.
(1)寫出X的結(jié)構(gòu)式是______;化合物丙中存在的作用力:______.
(2)實(shí)驗(yàn)室中經(jīng)常利用如圖所示裝置制備并收集甲(夾持、固定裝置已略去但缺少收集裝置).
請?jiān)谌鐖D方框內(nèi)繪出用燒瓶收集甲的儀器裝置簡圖(并將導(dǎo)管補(bǔ)充完整).
②試管中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式是______.
③燒杯中溶液由無色變?yōu)榧t色,其原因______.(用電離方程式解釋)

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常溫下由三種短周期元素形成的氣體單質(zhì)X、Y、Z,并有下列轉(zhuǎn)化關(guān)系(反應(yīng)條件已略去):

已知:X分子中含共價(jià)鍵最多;甲分子中含10個(gè)電子,乙分子含有18個(gè)電子.
(1)寫出X的結(jié)構(gòu)式是    ;化合物丙中存在的作用力:   
(2)實(shí)驗(yàn)室中經(jīng)常利用如圖所示裝置制備并收集甲(夾持、固定裝置已略去但缺少收集裝置).
請?jiān)谌鐖D方框內(nèi)繪出用燒瓶收集甲的儀器裝置簡圖(并將導(dǎo)管補(bǔ)充完整).
②試管中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式是   
③燒杯中溶液由無色變?yōu)榧t色,其原因    .(用電離方程式解釋)

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單質(zhì)A、B、C在常溫下均為氣態(tài),分別由甲、乙、丙三種短周期元素組成;丙元素的原子結(jié)構(gòu)中次外層電子數(shù)比最外層電子數(shù)多1;G是常見的金屬單質(zhì),D在常溫下為液態(tài),H是一種黑色晶體。各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示(反應(yīng)條件多數(shù)已略去):請回答:

(1)甲、乙兩種元素還可形成一種含有4個(gè)原子核和18個(gè)電子的化合物,該化合物的電子式為___________;

(2)實(shí)驗(yàn)室制取C的離子反應(yīng)方程式為_____________;G與D在高溫下反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________________________.

(3)B在C中燃燒的現(xiàn)象是_____________;在通常狀況下,lgB在A中完全燃燒,生成液態(tài)D時(shí),放出142.9kJ的熱量,則表示B燃燒熱的熱化學(xué)方程式為_____________;

(4)以石墨為電極電解E的水溶液,其陽極反應(yīng)式為_____________;

(5)實(shí)驗(yàn)室檢驗(yàn)F的水溶液中所含金屬陽離子的操作方法_____________.

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晶體硅是一種重要的非金屬材料.請寫出晶體硅的二種用途:
計(jì)算機(jī)芯片
計(jì)算機(jī)芯片
、
太陽能電池
太陽能電池
.制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
已知:
Ⅰ.SiHCl3水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請寫出其水解的化學(xué)方程式:
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑

Ⅱ.SiHCl3 在空氣中自燃.請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化
;
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
;
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡

④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.

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