現(xiàn)有A、B、C、D、E五種短周期元素，其中元素A、B、C組成的化合物俗稱“燒堿”，D是最重要半導(dǎo)體材料，它的高純度單質(zhì)是制造電腦CPU芯片的主要材料，而E的單質(zhì)是一種常用于殺菌消毒的氣體．有關(guān)高純度D單質(zhì)的生產(chǎn)流程如圖1所示：

試回答下列問題：
（1）E^-的核外電子排布式為，C₂B₂的電子式為．
（2）電負(fù)性：D元素E元素．（填：“＞”、“＜”或“=”）
（3）預(yù)測D的氫化物的空間構(gòu)成的空間構(gòu)型為，化合物丙中的D元素原子軌道發(fā)生的是雜化，固態(tài)時(shí)丙屬于晶體．
（4）化合物A₂B的沸點(diǎn)高于化合物乙的沸點(diǎn)的主要原因是．
（5）已知D單質(zhì)的結(jié)構(gòu)與金剛石類似，如圖2所示．則該晶體中D原子數(shù)與D-D單鍵的數(shù)目比為，該晶胞的邊長為a（單位：cm），D的摩爾質(zhì)量為M單位：g?mol^-1），阿佛加德羅常數(shù)為N_A，則該晶體的密度為g?cm^-3．（用代數(shù)式表達(dá)）

現(xiàn)有A、B、C、D、E五種短周期元素，其中A、B兩種元素同主族，A元素原子的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子的數(shù)3倍；C是所有元素中原子半徑最小的；D的氣態(tài)氫化物水溶液能使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍(lán)；在A、E形成的化合物EA中，A、E離子核外電子數(shù)均為10．請按要求回答下列問題：
Ⅰ．（1）寫出元素E在元素周期表的位置______；
（2）在A、B、D分別形成的氫化物中，最穩(wěn)定的氫化物是______（填化學(xué)式）．
Ⅱ．元素C、D形成的單質(zhì)在一定條件下發(fā)生反應(yīng)，生成化合物F，該反應(yīng)是一種重要的化工反應(yīng)．
（1）寫出上述反應(yīng)的化學(xué)方程式______；
（2）在一定條件下，將amolC單質(zhì)和bmolD單質(zhì)的混合氣體通入20L的密閉容器中，發(fā)生上述反應(yīng)．若反應(yīng)進(jìn)行到20min時(shí)，測得C單質(zhì)和化合物F的物質(zhì)的量分別為11mol和6mol．計(jì)算：
①a的值
②用D單質(zhì)表示該反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率．
（3）反應(yīng)達(dá)平衡時(shí)，混合氣體的體積為716.8L（標(biāo)準(zhǔn)狀況下），其中F的含量（體積分?jǐn)?shù)）為25%，計(jì)算平衡時(shí)F的物質(zhì)的量．

現(xiàn)有A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大，A、D同主族C、E 同主族，A、B的最外層電子數(shù)之和與C的最外層電子數(shù)相等，A能分別與B、C形成電子總數(shù)相等的分子M、N，且N為比較常見的液態(tài)化合物．請回答下列問題：
（1）B的簡單陰離子的結(jié)構(gòu)示意圖．
（2）A、D、E三種元素組成的化合物電子式為：
（3）①C、D、E對應(yīng)的簡單離子的半徑由大到小為（用離子符號表示）②寫出能證明C和E非金屬性強(qiáng)弱的一個(gè)化學(xué)方程式．
（4）A、C、E三種元素能形成多種18電子分子，寫出其中兩種所能發(fā)生的反應(yīng)方程式
（5）標(biāo)況下，1gD單質(zhì)在C單質(zhì)中完全燃燒可放出QKJ熱量．則此反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為．