短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次增大，A、B同主族，A核外電子數(shù)等于其電子層數(shù)，C為元素周期表中原子半徑最小的金屬元素，D最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍。填寫下列空白。

（1）微粒半徑比較：A^-           B⁺（填“>”、“<”或“=”）。

（2）A與D能組成化合物A₂D和A₂D₂。A₂D₂的電子式為                              。

A₂D的沸點比D同主族其它元素與A組成的化合物的沸點高，原因是                   

                                                                             。

（3）已知：在元素周期表中，有些元素的化學性質(zhì)與其相鄰左上方或右下方的另一主族元素的化學性質(zhì)相似。則C構(gòu)成的單質(zhì)            （填“能”或“不能”）與強堿反應，B構(gòu)成的單質(zhì)在空氣中充分燃燒，一定有或可能有的產(chǎn)物是                        。

四種短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增．其中A、B、C三種元素基態(tài)原子的2p能級上都有未成對電子．且未成對電子個數(shù)分別是2、3、2；D與C 可以形成D2C和D2C2兩種化合物�；卮鹣铝袉栴}：

（1）已知A元素與氫元素形成的某種氣態(tài)化合物在標準狀況下的密度為1.161g/L，則在該化合物的分子中A原子的雜化方式為???? 。

（2）A、B、C二種元素的第一電離能由小到大的順序為?????? （填元素符號）。

（3）+1價氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個電子形成+2價氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5……，推測D元素的電離能第一次突增應出現(xiàn)在第___電離能。

（4）AC2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如圖所示。該晶體的類型屬于______________晶體．該晶體中A原子軌道的雜化類型為??????? 。

（5）C和C形成原子個數(shù)比為1：3的常見離子．推測這兩種微粒的空間構(gòu)型為???????????? 。

（6）C和D形成的一種離子化合物D2C的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．該晶體中陽離子的配位數(shù)為?????? 。距一個陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點構(gòu)成的幾何體為????????? 。

已知該晶胞的密度為ρg·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA．則晶胞邊長a=?? cm（用含ρ、NA的代數(shù)式表示）。

短周期元素A、B、C、D，原子半徑依次增大，A、B在同一周期，B、C在同一主族，C元素原子核外電子數(shù)等于A、B元素原子核外電子數(shù)之和；C元素原子最外層電子數(shù)是D元素原子最外層電子數(shù)的4倍。請簡答：

（1）B、C兩元素的元素符號是：B__________，C_____ ___。

（2）B、C兩元素的最高價氧化物的水化物的酸性由強到弱的順序是________________。

（3）元素A和D按原子個數(shù)比為1 ：1 ，形成的化合物的電子式為_______________；該物質(zhì)為_________（填化合物類型），其化學鍵既有_________鍵，又有_______ 鍵。又知該化合物能跟A、B組成的某種化合物反應，生成A的單質(zhì)，寫出該反應的化學方程式：_____________________________________。

（4）A、B、D組成的一種常見化合物與A、C組成的常見化合物在一定條件下反應的化學方程式是：__________________________________________________。