下列說(shuō)法正確的是 A． 赤潮.酸雨.臭氧層空洞.潮汐等都與環(huán)境污染有關(guān) B．SiCl4的熔點(diǎn)比SiF4的熔點(diǎn)高.是由于它們的晶體類(lèi)型不同 C．光導(dǎo)纖維是用晶體硅為主要原料制成的 D．HF的沸點(diǎn)比HCl沸點(diǎn)高.是由于HF分子之間存在氫鍵 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

下列說(shuō)法正確的是

A． 赤潮、酸雨、臭氧層空洞、潮汐等都與環(huán)境污染有關(guān)

B．SiCl4的熔點(diǎn)比SiF4的熔點(diǎn)高，是由于它們的晶體類(lèi)型不同

C．光導(dǎo)纖維是用晶體硅為主要原料制成的

D．HF的沸點(diǎn)比HCl沸點(diǎn)高，是由于HF分子之間存在氫鍵

 

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A． 赤潮、酸雨、臭氧層空洞、潮汐等都與環(huán)境污染有關(guān)

B．SiCl4的熔點(diǎn)比SiF4的熔點(diǎn)高，是由于它們的晶體類(lèi)型不同

C．光導(dǎo)纖維是用晶體硅為主要原料制成的

D．HF的沸點(diǎn)比HCl沸點(diǎn)高，是由于HF分子之間存在氫鍵

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下列說(shuō)法正確的是

A．赤潮、酸雨、臭氧層空洞、潮汐等都與環(huán)境污染有關(guān)

B．SiCl4的熔點(diǎn)比SiF4的熔點(diǎn)高，是由于它們的晶體類(lèi)型不同

C．光導(dǎo)纖維是用晶體硅為主要原料制成的

D．HF的沸點(diǎn)比HCl沸點(diǎn)高，是由于HF分子之間存在氫鍵

 

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下列說(shuō)法正確的是

A．赤潮、酸雨、臭氧層空洞、潮汐等都與環(huán)境污染有關(guān)
B．SiCl4的熔點(diǎn)比SiF4的熔點(diǎn)高，是由于它們的晶體類(lèi)型不同
C．光導(dǎo)纖維是用晶體硅為主要原料制成的
D．HF的沸點(diǎn)比HCl沸點(diǎn)高，是由于HF分子之間存在氫鍵

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A．赤潮、酸雨、臭氧層空洞、潮汐等都與環(huán)境污染有關(guān)
B．SiCl4的熔點(diǎn)比SiF4的熔點(diǎn)高，是由于它們的晶體類(lèi)型不同
C．光導(dǎo)纖維是用晶體硅為主要原料制成的
D．HF的沸點(diǎn)比HCl沸點(diǎn)高，是由于HF分子之間存在氫鍵

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