題目列表(包括答案和解析)
(5分)晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si + 3HCl(g) SiHCl3 + H2(g)
③SiHCl3與過量H2在1000-1100℃反應(yīng)制得純硅:
SiHCl3(g)+ H2(g) Si(s)+ 3HCl(g)
已知SiHCl3能與H2O劇烈反應(yīng),且在空氣中易自燃。
用SiHCI3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)
(1)裝置B中的試劑是
(2)反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是 ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 。
(3)為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及 。
(4)為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑是 。(填寫字母代號(hào))
a.碘水 b.氯水 c. NaOH溶液 d. KSCN溶液 e. Na2SO3溶液
(5分)晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3 :Si + 3HCl(g) SiHCl3 + H2(g)
③SiHCl3與過量H2在1000-1100℃反應(yīng)制得純硅:
SiHCl3(g) + H2(g) Si(s)+ 3HCl(g)
已知SiHCl3能與H2O劇烈反應(yīng),且在空氣中易自燃。
用SiHCI3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)
(1)裝置B中的試劑是
(2)反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是 ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 。
(3)為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及 。
(4)為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑是 。(填寫字母代號(hào))
a.碘水 b.氯水 c. NaOH溶液 d. KSCN溶液 e. Na2SO3溶液
元素 | T | X | Y | Z | W |
原子半徑(nm) | 0.037 | 0.075 | 0.099 | 0.102 | 0.143 |
最高或最低化合價(jià) | +1 | +5 -3 |
+7 -1 |
+6 -2 |
+3 |
①25℃,難溶電解質(zhì)的溶度積常數(shù):Ksp[CaF2]=1.5×10-10,Ksp[Mg(OH)2]=1.8×10-11,Ksp [Cu(OH)2]=2.2×10-20
②弱電解質(zhì)在水溶液中存在電離常數(shù):例如一元弱酸HAH++A-,其電離常數(shù)表達(dá)式 Ka= c(H+)·c (A-)/ c (HA)(各濃度為平衡時(shí)濃度)。該常數(shù)與濃度、壓強(qiáng)無關(guān),只是溫度的函數(shù)。25℃,醋酸的Ka=1.76×10-5
③25℃時(shí),2.0×10-3mol·L-1氫氟酸水溶液中,調(diào)節(jié)溶液pH(忽略體積變化),得到
c(HF)、c(F-)與溶液pH的變化關(guān)系,如下圖所示:
請(qǐng)根據(jù)以上信息回答下列問題:
(1)25℃時(shí),向濃度均為0.1 mol·L-1的MgCl2和CuCl2混合溶液中逐滴加入氨水,先生成__________沉淀(填化學(xué)式),生成該沉淀的離子方程式為 。
(2)25℃時(shí),HF電離常數(shù)的數(shù)值Ka ,列式并說明得出該常數(shù)的理由 。
(3)25℃時(shí),向濃度均為0.1 mol·L-1的相同體積的HF和醋酸兩種溶液中分別加入相同的足量鋅粒,初始時(shí)產(chǎn)生氫氣的速率關(guān)系為 (填“>”“=”或“<”,下同)。反應(yīng)結(jié)束后,產(chǎn)生氫氣的物質(zhì)的量的關(guān)系為 ,兩溶液中c (F-) c (CH3COO-)。
(4)25℃時(shí),4.0×10-3mol·L-1HF溶液與4.0×10-4 mol·L-1 CaCl2溶液等體積混合,調(diào)節(jié)混合液pH為4.0(忽略調(diào)節(jié)混合液體積的變化),通過列式計(jì)算說明是否有沉淀產(chǎn)生。
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