下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

（1）請寫出上圖中d單質(zhì)對應(yīng)元素原子的電子排布式       。

（2）單質(zhì)a、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比1 ：1形成的分子（相同條件下對H₂的相對密度為13）中含    個鍵和    個鍵。

（3）a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為                 ；將X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至過量，得到絡(luò)離子的化學(xué)式為             ，其中X與Ag^＋之間以           鍵結(jié)合。

（4）下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)：請簡要說明該物質(zhì)易溶于水的兩個數(shù)原因                 。

1.《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》

精神病學(xué)專家通過實驗發(fā)現(xiàn)：在大腦的相應(yīng)部位——“獎賞中心”，給予柔和的電擊，便會處于似乎極度快樂的狀態(tài)。人們已經(jīng)將“獎賞中心”部分的腦電圖繪制出來，并認(rèn)為，在各區(qū)域之間傳遞信息的化學(xué)物質(zhì)是多巴胺，所以“獎賞中心”又稱為多巴胺系統(tǒng)。多巴胺結(jié)構(gòu)如圖。請回答下列問題：

(1)多巴胺的分子式：____________。

(2)試推測多巴胺能發(fā)生的反應(yīng)類型____________。

A.消去          B.取代           C.加成           D.水解

(3)多巴胺可由香蘭素與硝基甲烷制得，合成過程表示如下：

Ⅰ.0.5 mol香蘭素發(fā)生銀鏡反應(yīng)，最多可生成_________ mol Ag。

Ⅱ.②的結(jié)構(gòu)簡式是_________，生成②的反應(yīng)類型是_________。

Ⅲ.寫出④⑤步的化學(xué)方程式：

④_________________________________________________________________。

⑤_________________________________________________________________。

2.《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請寫出圖中b單質(zhì)對應(yīng)元素原子的電子排布式___________。

(2)單質(zhì)a、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對H₂的相對密度為13)中含___________個σ鍵和___________個π鍵。

(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為___________；將X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至過量，得到絡(luò)離子的化學(xué)式為____________，其中X與Ag^＋之間以___________鍵結(jié)合。

(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)，請簡要說明該物質(zhì)易溶于水的原因____________________________________________________________________。

下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低的順序，其中c、d均是熱和電的良
導(dǎo)體。下列判斷不正確的是

A．e、f單質(zhì)晶體熔化時克服的是共價鍵
B．d單質(zhì)對應(yīng)元素原子的電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p²
C．b元素形成的最高價含氧酸易與水分子之間形成氫鍵       
D．單質(zhì)a、b、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個σ鍵，2個π鍵

下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請寫出上圖中d單質(zhì)對應(yīng)元素原子的電子排布式_____________。

(2)單質(zhì)a、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比2∶1形成的分子(相同條件下對氫氣的相對密度為14)中含_____________個δ鍵和_____________個π鍵。

(3)a與b的組成元素形成的 10電子中性分子的空間構(gòu)型是_____________；由該分子構(gòu)成的物質(zhì)易液化的原因是____________________________________________________。

(4)e對應(yīng)的元素形成的氧化物的晶體類型為____________晶體。

下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

（1）請寫出上圖中d單質(zhì)對應(yīng)元素原子的電子排布式       。

（2）單質(zhì)a、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比1 ：1形成的分子（相同條件下對H₂的相對密度為13）中含    個鍵和    個鍵。

（3）a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為                  ；將X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至過量，得到絡(luò)離子的化學(xué)式為              ，其中X與Ag^＋之間以           鍵結(jié)合。

（4）下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)：請簡要說明該物質(zhì)易溶于水的兩個數(shù)原因                  。