含C.H.O.N.S等元素.能水解最終生成氨基酸(天然蛋白質(zhì)水解最終生成物全是α-氨基酸).故氨基酸是蛋白質(zhì)的基石. 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲   。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲  。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲ 晶體。
⑵K^S*5U.C#O%銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有    ▲  的原子或離子
⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲ 。
②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲  。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲  。
a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲ 。

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組成蛋白質(zhì)的元素主要有C、H、O、N及S、P和少量的Cu、Fe、Zn等，其中銅及其合金是人類最早使用的金屬材料，用途廣泛．

(1)銅原子的核外電子排布式是________；O、N、S的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______．

(2)銅的熔點(diǎn)比鈣高，其原因是________；下圖是金屬Ca和Cu所形成的某種合金的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，則該合金中Ca和Cu的原子個(gè)數(shù)比為_(kāi)_______．

(3)Cu2+能與NH3、H2O、Cl－等形成配位數(shù)為4的配合物．

①[Cu(NH3)4]2+中存在的化學(xué)鍵類型有________(填序號(hào))．

A．配位鍵

B．金屬鍵

C．極性共價(jià)鍵

D．非極性共價(jià)鍵

E．離子鍵

②[Cu(NH3)4]2+具有對(duì)稱的空間構(gòu)型，[Cu(NH3)4]2+中的兩個(gè)NH3被兩個(gè)Cl－取代，能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物，則[Cu(NH3)4]2+的空間構(gòu)型為_(kāi)_______(填序號(hào))．

A．平面正方形

B．正四面體

C．三角錐型

D．V型

③某種含Cu2+的化合物可催化丙烯醇制備丙醛的反應(yīng)：

HOCH2CH＝CH2→CH3CH2CHO．在丙烯醇分子中發(fā)生某種方式雜化的碳原子數(shù)是丙醛分子中發(fā)生同樣方式雜化的碳原子數(shù)的2倍，則這類碳原子的雜化方式為_(kāi)_______．

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（1）過(guò)渡金屬元素鐵能形成多種配合物，如：[Fe（H2NCONH2）6]（NO3）3[三硝酸六尿素合鐵（Ⅲ）]和Fe（CO）x等．
①基態(tài)Fe3+的M層電子排布式為
 
．
②尿素（H2NCONH2）分子中C、N原子的雜化方式分別是
 
、
 
；C、N都能和O形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的常見(jiàn)微粒，推測(cè)這兩種微粒的空間構(gòu)型為
 
．
③配合物Fe（CO）x的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子數(shù)之和為18，則x=
 
． Fe（CO）x常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為-20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷Fe（CO）x晶體屬于
 
（填晶體類型）；
（2）O和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1，距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽(yáng)離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為
 
．已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長(zhǎng)a=
 
cm． （用含ρ、NA的計(jì)算式表示）
（3）下列說(shuō)法正確的是
 
．
A．第一電離能大小：S＞P＞Si
B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F
C．因?yàn)榫Ц衲蹸aO比KCl高，所以KCl比CaO熔點(diǎn)低
D．SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)類似，分子結(jié)構(gòu)也都呈直線型，相同條件下SO2的溶解度更大
E．分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔沸點(diǎn)越高
（4）圖2是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體．
①圖中d單質(zhì)的晶體堆積方式類型是
 
．
②單質(zhì)a、b、f 對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1：1：1形成的分子中含
 
個(gè)σ鍵，
 
個(gè)π鍵．
③圖3是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因：
 
．
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（1）過(guò)渡金屬元素鐵能形成多種配合物，如：[Fe(H2NCONH2)6] (NO3)3[三硝酸六尿素合鐵(Ⅲ)]和Fe(CO)x等。

① 基態(tài)Fe3+的M層電子排布式為              。

② 尿素(H2NCONH2)分子中C、N原子的雜化方式分別是           、           ；

③ 配合物Fe(CO)x的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子數(shù)之和為18，則x=         。 Fe(CO)x常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為－20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷Fe(CO)x晶體屬于            （填晶體類型）

（2）O和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖，距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽(yáng)離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為            。已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長(zhǎng)a=          cm。 (用含ρ、NA的計(jì)算式表示)

（3）下列說(shuō)法正確的是            _。

A．第一電離能大小：S＞P＞Si       

B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F 

C．因?yàn)榫Ц衲蹸aO比KCl高，所以KCl比CaO熔點(diǎn)低

D．SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)類似，分子結(jié)構(gòu)也都呈直線型，相同條件下SO2的溶解度更大　

E．分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔沸點(diǎn)越高

（4）圖1是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

① 圖中d單質(zhì)的晶體堆積方式類型是            。

② 單質(zhì)a、b、f 對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子中含           個(gè)σ鍵，           個(gè)π鍵。

③ 圖2是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因：             。

 

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（1）過(guò)渡金屬元素鐵能形成多種配合物，如：[Fe(H2NCONH2)6] (NO3)3[三硝酸六尿素合鐵(Ⅲ)]和Fe(CO)x等。
① 基態(tài)Fe3+的M層電子排布式為             。
② 尿素(H2NCONH2)分子中C、N原子的雜化方式分別是          、          ；
③ 配合物Fe(CO)x的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子數(shù)之和為18，則x=        。 Fe(CO)x常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為－20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷Fe(CO)x晶體屬于           （填晶體類型）

（2）O和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖，距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽(yáng)離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為           。已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長(zhǎng)a=         cm。 (用含ρ、NA的計(jì)算式表示)
（3）下列說(shuō)法正確的是           _。
A．第一電離能大�。篠＞P＞Si       
B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F 
C．因?yàn)榫Ц衲蹸aO比KCl高，所以KCl比CaO熔點(diǎn)低
D．SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)類似，分子結(jié)構(gòu)也都呈直線型，相同條件下SO2的溶解度更大　
E．分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔沸點(diǎn)越高
（4）圖1是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

① 圖中d單質(zhì)的晶體堆積方式類型是           。
② 單質(zhì)a、b、f 對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子中含          個(gè)σ鍵，          個(gè)π鍵。
③ 圖2是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因：            。

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