8.四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法.有關反應的化學方程式為: SiCl4 + 2H2高溫4HCl + Si 下列說法不合理的是 ( ) A.反應制得的硅可用于制造半導體材料 B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率 C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得 D.混入少量空氣對上述反應無影響 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:SiCl4+2H2
 高溫 
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4HCl+Si下列說法不合理的是( 。

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四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:SiCl4(g)+2H2(g)
 高溫 
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Si(s)+4HCl(g).下列說法合理的是( 。
A、光導纖維的主要成分是硅單質
B、減小壓強有利于加快化學反應速率
C、高溫下,氫氣的還原性強于硅
D、混入少量空氣對上述反應無影響

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四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:
SiCl4+2H24HCl+Si
下列說法不合理的是

A.反應制得的硅可用于制造半導體材料
B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D.混入少量空氣對上述反應無影響

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四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:

SiCl4+2H24HCl+Si

下列說法不合理的是

A.反應制得的硅可用于制造半導體材料

B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率

C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得

D.混入少量空氣對上述反應無影響

 

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四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:SiCl4+2H2
 高溫 
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4HCl+Si下列說法不合理的是( 。
A.反應制得的硅可用于制造半導體材料
B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D.混入少量空氣對上述反應無影響

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