15.已知A.B.C.D.E都是周期表中前四周期的元素.它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E.其中A.B.C是同一周期的非金屬元素.化合物DC的晶體為離子晶體.D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構.AC2為非極性分子.B.C的氫化物的沸點比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點高.E的原子序數(shù)為24.ECl3能與B.C的氫化物形成六配位的配合物.且兩種配體的物質(zhì)的量之比為2∶1.三個氯離子位于外界.請根據(jù)以上情況.回答下列問題:(答題時.A.B.C.D.E用所對應的元素符號表示) (1)A.B.C的第一電離能由小到大的順序為 . (2)B的氫化物的分子空間構型是 .其中心原子采取 雜化. (3)寫出化合物AC2的電子式 ,一種由B.C組成的化合物與AC2互為等電子體.其化學式為 . (4)E的核外電子排布式是 .ECl3形成的配合物的化學式為 . (5)B的最高價氧化 物對應的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應時.B被還原到最低價.該反應的化學方程式是 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

已知A、B、C、D和E都是元素周期表中前20號的元素,它們的原子序數(shù)依次增大.A原子的價電子層的p軌道中只有1個電子;B、C、D元素的基態(tài)原子具有相同的能層數(shù),B、D元素的原子的p能級上都有1個未成對電子,D原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道已充滿,C原子的p軌道中有3個未成對電子;E是同周期第一電離能最小的元素.回答下列問題:
(1)寫出下列元素的符號:A
B
B
、B
Al
Al
、C
P
P

(2)上述五種元素中最高價氧化物對應水化物酸性最強的是
HClO4
HClO4
,(填寫化學式)堿性最強的是
;(填寫電子式)
(3)用元素符號表示D所在周期(除稀有氣體元素外)第一電離能最大的元素是
Cl
Cl
,電負性最大的元素是
Cl
Cl

(4)在AD3分子中A元素原子的原子軌道發(fā)生的是
sp2
sp2
雜化,分子空間構型為
平面三角形
平面三角形
;
(5)將B 的單質(zhì)投入E的最高價氧化物對應水化物中,發(fā)生反應生成物中有此離子[B(OH)4]-離子方程式是
2Al+2OH-+6H2O=2[Al(OH)4]-+3H2
2Al+2OH-+6H2O=2[Al(OH)4]-+3H2

(6)石墨具有平面層狀結(jié)構,同一層中的原子構成許許多多的正六邊形,它與熔融的E單質(zhì)相互作用,形成某種青銅色的物質(zhì)(其中的元素E用“●”表示),原子分布如圖所示,該物質(zhì)的化學式為
KC8
KC8

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(2012?梧州模擬)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大.其中A原子核外有三個未成對電子;A與B可形成離子化合物B3A2;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D原予核外的M層中有兩對成對電子;E原子核外最外層只有1個電子,其余各層電子均充滿.請根據(jù)以上信息,回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)
(1)E的核外電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1
,A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為
Al<Mg<S<N
Al<Mg<S<N

(2)B的氯化物的熔點遠高于C的氯化物的熔點,理由是
氯化鎂是離子晶體,氯化鋁是分子晶體
氯化鎂是離子晶體,氯化鋁是分子晶體
;
(3)A的最高價含氧酸根離子中,其中心原子采取
sp2
sp2
雜化,D的低價氧化物分子的空間構型是
V形
V形

(4)A、E形成某種化合物的晶胞結(jié)構如下圖所示,則其化學式為
Cu3N
Cu3N
;(每個球均表示1個原子)

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(2011?開封一模)[化學--選修物質(zhì)結(jié)構與性質(zhì)]
已知A、B、C、D和E都是元素周期表中前36號的元素,它們的原子序數(shù)依次增大.A與其他4種元素既不在同一周期又不在同一主族.B原子的L層p軌道中有5個電子;C是周期表中1-18列中的第14列元素;D和E屬同一周期,又知E原子的L層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為4:1,其d軌道中的電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為5:1,D跟B可形成離子化合物,其晶胞結(jié)構如圖.請回答:
(1)A與c形成的共價化合物的分子式是
SiH4
SiH4
,雜化軌道是
sp3
sp3
,分子的立體結(jié)構是
正四面體
正四面體

(2)B與C比較,電負性較小的是
Si
Si
(填元素符號);B與c形成的化合物晶體類型是
分子晶體
分子晶體
.    
(3)E屬元素周期表中第
周期,第
ⅡB
ⅡB
族的元素,其元素名稱是
,它的+2價離子的電子排布式為
1s22s22p63s2sp63d10
1s22s22p63s2sp63d10

(4)從圖中可以看出,D踉B形成的離子化合物的化學式為
CaF2
CaF2
;若設該晶胞的邊長為a cm,則該離子化合物晶體的密度是
4×78/mol
a3cm3?6.02×1023mol-1
4×78/mol
a3cm3?6.02×1023mol-1
(只要求列出算式).

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(2009?宿遷模擬)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外電子層的p能級(軌道)上的電子處于半滿狀態(tài).通常情況下,A的一種氧化物分子為非極性分子,其晶胞結(jié)構如右下圖所示.原子序數(shù)為31的元素鎵(Ga)與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料和GaE為代表的第二代半導體材料之后,在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導體材料.
試回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(2)A、B、C的第一電離能由大到小的順序為
N>C>Si
N>C>Si

(3)B元素的單質(zhì)分子中有
2
2
個π鍵,與其互為等電子體的物質(zhì)的化學式可能為
CO(或其他合理答案)
CO(或其他合理答案)
(任寫一種).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
雜化,其晶胞中微粒間的作用力為
范德華力
范德華力

(5)EH3分子的空間構型為
三角錐形
三角錐形
,其沸點與BH3相比
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子間能形成氫鍵,AsH3分子間不能形成氫鍵
NH3分子間能形成氫鍵,AsH3分子間不能形成氫鍵

(6)向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液,得到深藍色的透明溶液.請寫出該反應的離子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-

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(2011?鄭州二模)[化學--選修物質(zhì)結(jié)構與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號元素,它們的原子序數(shù)依次增大.B、C、D同周期,A、D同主族,B,C、D的最高價氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應生成鹽和水.E元素的原子核外共有20種不同運動狀態(tài)的電子,且E的原子序數(shù)比D大4.
(1)B、C的第一電離能較大的是
Al
Al
(填元素符號).
(2)A的氫化物的分子空間構型為
V型或折線型
V型或折線型
,其中心原子采取
sp3
sp3
雜化.
(3)A和D的氫化物中,沸點較高的是
H2O
H2O
(填化學式),其原因是
水分子之間可以形成氫鍵,而H2S分子之間不能形成氫鍵
水分子之間可以形成氫鍵,而H2S分子之間不能形成氫鍵

(4)僅由A與B元素組成,且含有非極性鍵的化合物是
Na2O2
Na2O2
(填化學式).
(5)E的核外電子排布式是
1S22S22P63S23P64S2
1S22S22P63S23P64S2

(6)B的最高價氧化物對應的水化物,其溶液與C單質(zhì)反應的化學方程式是
2Al+2NaOH+6H2O=2Na[Al(OH)4]+3H2↑或2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2
2Al+2NaOH+6H2O=2Na[Al(OH)4]+3H2↑或2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2

(7)E單質(zhì)在A單質(zhì)中燃燒時得到一種白色晶體,其晶體的晶胞結(jié)構如右圖所示,則該晶體的化學式為
CaO2
CaO2

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