有A.B.C.D四種元素.其中A元素和B元素的原子都有1個末成對電子.A+比B-少一個電子層.B原子得一個電子后3p軌道全滿,C原子的p軌道中有3個末成對電子.其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大,D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4.其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%.且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù).R是由A.B兩元素形成的離子化合物.其中A與D離子數(shù)之比為2:1.請回答下列問題. (1)A單質(zhì).B單質(zhì).化合物R的熔點大小順序為下列的 ①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì) ③B單質(zhì)>R>A單質(zhì) ④A單質(zhì)>R >B單質(zhì) (2)CB3分子的空間構(gòu)型是 ,其固體時的晶體類型為 . (3)寫出D原子的核外電子排布式 ,C的氫化物比D的氫化物在水中溶解度大的多的原因 . (4)D和Fe形成一種黃色晶體FeD2.FeD2晶體中陰.陽離子數(shù)之比為 , FeD2物質(zhì)中具有的化學(xué)鍵類型為 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(13分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后, 3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2—離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:

(1)A元素形成的晶體屬于密置堆積方式,則其晶體晶胞類型屬于       。(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。

(2)B的電子排布式   ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。

(3)C的氫化物空間構(gòu)型為       ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點最高的原因是       。

(4)B元素的電負(fù)性       D元素的電負(fù)性(填“>”,“<”或“=”);用一個化學(xué)方程

式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強弱:       。

(5)如上圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的邊

長為acm。則R晶體的密度為       。(阿伏加德數(shù)常數(shù)用NA表示)

 

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(14分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B-少一個電子層,B原子得一個電子后3p軌道全滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度是同族元素所形成的氫化物中最大的;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A與D離子數(shù)之比為2∶1。請回答下列問題:

⑴A單質(zhì)、B單質(zhì)、化合物R的熔點大小順序為下列的                 (填序號):

①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R;           ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì);

③B單質(zhì)>R >A單質(zhì);           ④A單質(zhì)>R>B單質(zhì)。

⑵在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是________雜化,其固體的晶體類型為              

⑶寫出D原子的核外價電子排布式           _,C的氫化物比D的氫化物在水中溶解度大得多的可能原因                       

                          ;

⑷右圖是D和Fe形成的晶體FeD2最小單元“晶胞”,F(xiàn)eD2晶體 

中陰、陽離子數(shù)之比為             ,F(xiàn)eD2物質(zhì)中具有的化

學(xué)鍵類型為                。

 

 

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(13分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后, 3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2—離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:
(1)A元素形成的晶體屬于密置堆積方式,則其晶體晶胞類型屬于      。(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。
(2)B的電子排布式   ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。
(3)C的氫化物空間構(gòu)型為      ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點最高的原因是      。
(4)B元素的電負(fù)性      D元素的電負(fù)性(填“>”,“<”或“=”);用一個化學(xué)方程
式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強弱:      。

(5)如上圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的邊
長為acm。則R晶體的密度為      。(阿伏加德數(shù)常數(shù)用NA表示)

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(14分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B-少一個電子層,B原子得一個電子后3p軌道全滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度是同族元素所形成的氫化物中最大的;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A與D離子數(shù)之比為2∶1。請回答下列問題:

⑴A單質(zhì)、B單質(zhì)、化合物R的熔點大小順序為下列的                (填序號):
①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R;            ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì);
③B單質(zhì)>R >A單質(zhì);            ④A單質(zhì)>R>B單質(zhì)。
⑵在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是________雜化,其固體的晶體類型為              ;
⑶寫出D原子的核外價電子排布式          _,C的氫化物比D的氫化物在水中溶解度大得多的可能原因                       
                          ;
⑷右圖是D和Fe形成的晶體FeD2最小單元“晶胞”,F(xiàn)eD2晶體 
中陰、陽離子數(shù)之比為             ,F(xiàn)eD2物質(zhì)中具有的化
學(xué)鍵類型為                。

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(13分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后, 3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2—離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:

(1)A元素形成的晶體屬于密置堆積方式,則其晶體晶胞類型屬于       。(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。

(2)B的電子排布式   ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。

(3)C的氫化物空間構(gòu)型為       ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點最高的原因是      

(4)B元素的電負(fù)性       D元素的電負(fù)性(填“>”,“<”或“=”);用一個化學(xué)方程

式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強弱:       。

(5)如上圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的邊

長為acm。則R晶體的密度為       。(阿伏加德數(shù)常數(shù)用NA表示)

 

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