Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。

（2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為         。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。

（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                           。

（2）下列說法正確的是             （選填序號(hào)）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負(fù)性：As＞Ga                   D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為         。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為              。

（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為          g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）