題目列表(包括答案和解析)
(12分)不同的金屬在化學(xué)反應(yīng)中表現(xiàn)出來(lái)的活潑程度不同,俄國(guó)化學(xué)家貝開托夫在大量實(shí)驗(yàn)和系統(tǒng)研究之后,于1865年發(fā)表了金屬活動(dòng)性順序:K Ca Na Mg Al Zn Fe SnPb (H) Cu Hg Ag Pt Au 。
(1)金屬活動(dòng)性順序是學(xué)習(xí)“金屬及其化合物”的重要工具,許多“金屬及其化合物”的知識(shí)規(guī)律可以通過(guò)金屬活動(dòng)性順序來(lái)掌握。例如,工業(yè)上冶煉金屬,根據(jù)金屬活動(dòng)性順序可以采用不同的冶煉方法。其中可以用“熱分解法”冶煉的金屬是__________、 。
工業(yè)上又常用下列反應(yīng)進(jìn)行金屬鉀的冶煉:,似乎“違背”了金屬活動(dòng)性順序,試解釋鈉能將更活潑的鉀置換出來(lái)的原因__________________________。
(2)在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)還有許多化學(xué)事實(shí) “違背”金屬活動(dòng)性順序,但這些“反常”現(xiàn)象都可以通過(guò)化學(xué)原理得到合理解釋。某學(xué)生在做探究實(shí)驗(yàn)時(shí),把鋅粒投入1mol·L-1氯化鐵溶液中,觀察到如下實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象:鋅粒表面有一定量氣泡產(chǎn)生,溶液顏色逐漸變淺,一段時(shí)間后溶液逐漸渾濁,試用相關(guān)反應(yīng)方程式進(jìn)行解釋_________________________________、
__________________________________________________________________________。
(3)研究金屬活動(dòng)性順序還可以指導(dǎo)對(duì)金屬陽(yáng)離子氧化性強(qiáng)弱的認(rèn)識(shí),工業(yè)上用氯化鐵溶液腐蝕銅制電路板。
①請(qǐng)根據(jù)金屬活動(dòng)性順序結(jié)合該反應(yīng)原理,比較Cu2+、Fe3+、Fe2+的氧化性強(qiáng)弱 。
②請(qǐng)運(yùn)用原電池原理設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證Cu2+、Fe3+氧化性強(qiáng)弱的結(jié)論。
方案______________________________________________________________________。
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無(wú)機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。
回答下列問(wèn)題
(1)能否用玻璃試劑瓶來(lái)盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋 ;
(2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4。基于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為 。
(3)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確,完成以下實(shí)驗(yàn):
|
實(shí)驗(yàn)事實(shí) |
事實(shí)一 |
水蒸汽在600℃時(shí)可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實(shí)二 |
盛放于鉑或石英器皿中的純水長(zhǎng)時(shí)間對(duì)粉末狀還原硅無(wú)腐蝕作用。 |
事實(shí)三 |
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實(shí)四 |
在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點(diǎn)著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實(shí)五 |
1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
結(jié)論:從實(shí)驗(yàn)上說(shuō)明堿性水溶液條件下,H2O可作 劑;NaOH作 劑,降低反應(yīng) 。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作 劑。
(4)在太陽(yáng)能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷(SiH4)與氨氣(NH3)在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無(wú)色、有毒氣體,常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是 。
A.在使用硅烷時(shí)要注意隔離空氣和水,SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2;
B.硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為:3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2↑,反應(yīng)中NH3作氧化劑;
C.它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能,化學(xué)穩(wěn)定性很好,不與任何酸、堿反應(yīng);
D.氮化硅晶體中只存在共價(jià)鍵,Si3N4是優(yōu)良的新型無(wú)機(jī)非金屬材料。
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無(wú)機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。
回答下列問(wèn)題
(1)能否用玻璃試劑瓶來(lái)盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋 ;
(2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為 。
(3)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確,完成以下實(shí)驗(yàn):
| 實(shí)驗(yàn)事實(shí) |
事實(shí)一 | 水蒸汽在600℃時(shí)可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實(shí)二 | 盛放于鉑或石英器皿中的純水長(zhǎng)時(shí)間對(duì)粉末狀還原硅無(wú)腐蝕作用。 |
事實(shí)三 | 普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實(shí)四 | 在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點(diǎn)著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實(shí)五 | 1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com