硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.請(qǐng)回答下列問(wèn)題: (1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法.生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下: 焦炭高溫HCl573 K以上H21 357 K ①寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式 . ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3.HCl和另一種物質(zhì).寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式 , H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2.可能引起的后果是 . (2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是 . A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.可用于生產(chǎn)耐高溫水泥 B．氮化硅硬度大.熔點(diǎn)高.可用于制作高溫陶瓷和軸承 C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導(dǎo)纖維 D．普通玻璃是由純堿.石灰石和石英砂制成的.其熔點(diǎn)很高 E．鹽酸可以與硅反應(yīng).故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中.逐滴加入飽和氯化銨溶液.振蕩.寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋 . 解析:(1)①根據(jù)原子守恒即質(zhì)量守恒可以寫(xiě)出SiHCl3與H2反應(yīng)的化學(xué)方程式. ②SiHCl3和H2O劇烈反應(yīng)生成H2SiO3.HCl和另一種物質(zhì).分析它們化合價(jià)的變化可知 .而Cl的化合價(jià)未發(fā)生變化.因此另一種元素即H元素的化合價(jià)必定降低.即另一種物質(zhì)是H2. (2)碳化硅.氮化硅為原子晶體.則A.B.C都正確,D中玻璃沒(méi)有固定的熔點(diǎn).鹽酸不能與硅反應(yīng).而HCl在573 K以上的溫度下可與硅發(fā)生反應(yīng).因此E不正確. 答案:(1)①SiHCl3+H2Si+3HCl ②SiHCl3+3H2O===H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑ 氧氣與氫氣混合.可能引起爆炸,氧氣可能會(huì)氧化SiHCl3 現(xiàn)象:試管中有白色膠狀沉淀生成.并且有刺激性氣體生成 解釋:Na2SiO3和NH4Cl均能夠水解.二者相互促進(jìn).Na2SiO3水解生成H2SiO3.NH4Cl水解產(chǎn)生NH3 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．三氯硅烷（SiHCl3）還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程如下圖：
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根據(jù)題意完成下列備題：
（1）硅在元素周期表的位置
 
，其最外層有
 
種能量不同的電子．
（2）硅的氣態(tài)氫化物為SiH4，其空間構(gòu)型為
 
；三氯硅烷中某些元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性
 
＞
 
（填化學(xué)式）．
（3）寫(xiě)出三氯硅烷與氫氣反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式：
 
．
（4）自然界中硅酸鹽種類多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來(lái)表示其組成．如正長(zhǎng)石（KALSi3O8），氧化物形式為：
 
．

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（2008?廣東）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl
．
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是
高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
．
（2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是
ABCD
ABCD
（填字母）．
A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水混
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點(diǎn)很高
D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩．寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋
生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
．

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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅．
Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450～500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4；
Ⅲ．SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1 100～1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅．
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃，能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)．1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ．
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
．
②整個(gè)制備純硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制在無(wú)水無(wú)氧的條件下．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．
（2）二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示，則其中x=
4
4
．

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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅  的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

      

①     寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②     整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________；

H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是

________________________________________________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋：

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

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（10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

①寫(xiě)出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為?                   ;還原過(guò)程中若混入可能引起的后果是?                 。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是?       (填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                         。

 

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