(2)當(dāng)場強(qiáng)為E2的時候.帶正電微粒由靜止開始向上做勻加速直線運(yùn)動.設(shè)0.20s后的速度為v.由動量定理有 (E2q-mg)t = mv , 解得:v=2m/s---------- 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示，水平虛線上方有場強(qiáng)為E1的勻強(qiáng)電場，方向豎直向下，虛線下方有場強(qiáng)為E2的勻強(qiáng)電場，方向水平向右；在虛線上、下方均有磁感應(yīng)強(qiáng)度相同的勻強(qiáng)磁場，方向垂直紙面向外，ab是一長為L的豎直絕緣細(xì)桿，位于虛線上方，b端恰在虛線上，將一套在桿上的帶電小環(huán)從a端由靜止開始釋放，小環(huán)先加速而后勻速到達(dá)b端，環(huán)與桿之間的動摩擦因數(shù)μ=0.3，小環(huán)的重力不計(jì)，當(dāng)環(huán)脫離桿后在虛線下方沿原方向做勻速直線運(yùn)動，求：
（1）E1與E2 的比值；
（2）若撤去虛線下方的電場，小環(huán)進(jìn)入虛線下方后的運(yùn)動軌跡為半圓圓周半徑為
L3
，環(huán)從a到b的過程中克服摩擦力做功Wf與電場力做功WE之比有多大？

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如圖所示，在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強(qiáng)電場，方向如圖所示．y軸上一點(diǎn)P的坐標(biāo)為（0，y0），有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點(diǎn)垂直射入電場中，當(dāng)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為E1時，電子從A點(diǎn)射出，A點(diǎn)坐標(biāo)為（xA，0），當(dāng)場強(qiáng)為E2時，電子從B點(diǎn)射出，B點(diǎn)坐標(biāo)為（xB，0）．已知電
子的電荷量為e，質(zhì)量為m，不計(jì)電子的重力，E1、E2未知．
（1）求勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E1、E2之比；
（2）若在第Ⅳ象限過Q點(diǎn)放一張垂直于xOy平面的感光膠片，Q點(diǎn)的坐標(biāo)為（0，-y0），求感光膠片上曝光點(diǎn)的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比．

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精英家教網(wǎng)如圖所示，在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸的有界勻強(qiáng)電場，方向如圖．y軸上一點(diǎn)P的坐標(biāo)為（0，y0），有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點(diǎn)垂直射入電場中，當(dāng)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為E1時，電子從A點(diǎn)射出，A點(diǎn)坐標(biāo)為（xA，0），當(dāng)場強(qiáng)為E2時，電子從B點(diǎn)射出，B點(diǎn)坐標(biāo)為（xB，0）．已知電子的電荷量為e，質(zhì)量為m，不計(jì)電子的重力．
（1）求勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E1、E2之比；
（2）求從A，B兩點(diǎn)出來時偏轉(zhuǎn)角的正切值；
（3）若在第Ⅳ象限過Q點(diǎn)放一張垂直于xOy平面的感光膠片，Q點(diǎn)的坐標(biāo)為（0，-y0），求感光膠片上曝光點(diǎn)的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比．

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(12分)如圖18所示，在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸 的有界勻強(qiáng)電場，方向如圖所示．y軸上一點(diǎn)P的坐標(biāo)為(0，y0)，有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點(diǎn)垂直射入電場中，當(dāng)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為E1時，電子從A點(diǎn)射出，A點(diǎn)坐標(biāo)為(xA,0)，當(dāng)場強(qiáng)為E2時，電子從B點(diǎn)射出，B點(diǎn)坐標(biāo)為(xB,0)．已知電子的電荷量為e，質(zhì)量為m，不計(jì)電子的重力，E1、E2未知．

(1)求勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E1、E2之比；                            
(2)若在第Ⅳ象限過Q點(diǎn)放一張垂直于xOy平面的感光膠片，Q點(diǎn)的坐標(biāo)為(0，－y0)，
求感光膠片上曝光點(diǎn)的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比．

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(12分)如圖18所示，在xOy平面上第Ⅰ象限內(nèi)有平行于y軸 的有界勻強(qiáng)電場，方向如圖所示．y軸上一點(diǎn)P的坐標(biāo)為(0，y0)，有一電子以垂直于y軸的初速度v0從P點(diǎn)垂直射入電場中，當(dāng)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為E1時，電子從A點(diǎn)射出，A點(diǎn)坐標(biāo)為(xA,0)，當(dāng)場強(qiáng)為E2時，電子從B點(diǎn)射出，B點(diǎn)坐標(biāo)為(xB,0)．已知電子的電荷量為e，質(zhì)量為m，不計(jì)電子的重力，E1、E2未知．

(1)求勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E1、E2之比；                            

(2)若在第Ⅳ象限過Q點(diǎn)放一張垂直于xOy平面的感光膠片，Q點(diǎn)的坐標(biāo)為(0，－y0)，

求感光膠片上曝光點(diǎn)的橫坐標(biāo)xA′、xB′之比．

 

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