如圖所示，中子內(nèi)有一個(gè)電荷量為 + e的上夸克和兩個(gè)電荷量為 - e的下夸克，3個(gè)夸克都分布在半徑為 r 的同一圓周上，則上夸克所在處的電場(chǎng)強(qiáng)度為    （    ）

    A．         

    B．    

    C．        

    D．

如圖所示，中子內(nèi)有一個(gè)電荷量為 + e的上夸克和兩個(gè)電荷量為 - e的下夸克,3個(gè)夸克都分布在半徑為 r 的同一圓周上，則3個(gè)夸克在其圓心處產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為

       A．               B．               C．         D．

 如圖4所示，中子內(nèi)有一個(gè)電荷量為 + e的上夸克和兩個(gè)電荷量為 - e的下夸克，3個(gè)夸克都分布在半徑為 r 的同一圓周上，則上夸克所在處的電場(chǎng)強(qiáng)度為    （   ）

    A．         

    B．    

    C．        

    D．

 如圖4所示，中子內(nèi)有一個(gè)電荷量為 + e的上夸克和兩個(gè)電荷量為 - e的下夸克，3個(gè)夸克都分布在半徑為 r 的同一圓周上，則上夸克所在處的電場(chǎng)強(qiáng)度為    （    ）

    A．         

    B．    

    C．        

    D．