(2)帶電離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,帶電平行金屬板PQMN之間的距離為d,兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,如圖建立坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界在y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動(dòng),并先后通過(guò)區(qū)域I和Ⅱ。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic5/tikupic/97/c/izyik.png" style="vertical-align:middle;" />,不計(jì)電子所受重力。

(1)求兩金屬板之間電勢(shì)差U
(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y

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如圖所示,帶電平行金屬板PQMN之間的距離為d,兩金屬板之間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,如圖建立坐標(biāo)系,x軸平行于金屬板,與金屬板中心線重合,y軸垂直于金屬板。區(qū)域I的左邊界在y軸,右邊界與區(qū)域II的左邊界重合,且與y軸平行;區(qū)域II的左、右邊界平行。在區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向里。一電子沿著x軸正向以速度v0射入平行板之間,在平行板間恰好沿著x軸正向做直線運(yùn)動(dòng),并先后通過(guò)區(qū)域I和Ⅱ。已知電子電量為e,質(zhì)量為m,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向?qū)挾染鶠?img src="http://thumb.zyjl.cn/pic6/res/gzwl/web/STSource/2013032608381314061644/SYS201303260838436250716420_ST.files/image001.png">,不計(jì)電子所受重力。

(1)求兩金屬板之間電勢(shì)差U

(2)求電子從區(qū)域II右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y

 

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如圖所示,一個(gè)帶電粒子在磁感強(qiáng)度B0.8T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),其速度方向與磁場(chǎng)方向垂直,從ab所需時(shí)間2×104s,從b繼續(xù)運(yùn)動(dòng)到a所需時(shí)間為103s,已知a、b兩點(diǎn)的距離為0.3m,帶電量為3×103C,則該粒子的動(dòng)量為[   ]

A、7.2×109kg·m/s;

B、1.44×108kg·m/s;

C、3.6×109kg·m/s;

D、條件不足,無(wú)法確定。

 

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如圖所示,一個(gè)帶電粒子在磁感強(qiáng)度B0.8T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),其速度方向與磁場(chǎng)方向垂直,從ab所需時(shí)間2×104s,從b繼續(xù)運(yùn)動(dòng)到a所需時(shí)間為103s,已知a、b兩點(diǎn)的距離為0.3m,帶電量為3×103C,則該粒子的動(dòng)量為[   ]

A、7.2×109kg·m/s;

B、1.44×108kg·m/s;

C、3.6×109kg·m/s;

D、條件不足,無(wú)法確定。

 

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場(chǎng)(加速電場(chǎng)極板間的距離為d、電勢(shì)差為U)加速,然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),最后到達(dá)記錄它的照相底片P上.設(shè)離子在P上的位置與入口處S1之間的距離為x。

 (1)求該離子的荷質(zhì)比

(2)若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m1和m2的同位素離子(m1> m2),它們分別到達(dá)照相底片上的P1、P2位置(圖中末畫出),求P1、P2間的距離△x。

(3)若第(2)小題中兩同位素離子同時(shí)進(jìn)入加速電場(chǎng),求它們到達(dá)照相底片上的時(shí)間差△t(磁場(chǎng)邊界與靠近磁場(chǎng)邊界的極板間的距離忽略不計(jì)).

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