20.電場力與洛倫茲力平衡得:qE=qv0B得:E=v0B 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時,另外兩側c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應.其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UN=RH
IB
d
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質有關
(1)若半導體材料是自由電子導電的,請判斷圖1中
C
C
端(填c或f)的電勢高;
(2)已知半導體薄片內單位體積中導電的自由電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式
1
ne
1
ne
.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率.

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利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域.
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如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時,另外兩側c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應.其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UH=RH
IBd
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質有關.
(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近.當圓盤勻速轉動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖3所示.
a.若在時間t內,霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請導出圓盤轉速N的表達式.
b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程.除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想.

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在一真空室內存在著勻強電場和勻強磁場,電場的方向與磁場的方向相同,已知電場強度E=40.0V/m,磁感應強度B=0.30T,如圖所示,在真空室內建立O—xyz三維直角坐標系,其中z軸豎直向上。質量m=1.0×10-4Kg、帶負電的質點以速度v0=100m/s沿+x方向做勻速直線運動,速度方向與電場、磁場方向垂直,取g=10m/s2。

(1)求質點所受電場力與洛倫茲力的大小之比

(2)求帶電質點的電荷量

(3)若在質點通過O點時撤去磁場,求經(jīng)過t=0.20s時,帶電質點的位置坐標。

 

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 利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域。

如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時,另外兩側c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EHUH達到穩(wěn)定值,UH的大小與IB以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UHRH,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質有關。

(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UHEH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;

(2)已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式。(通過橫截面積S的電流InevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);

(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反�;魻栐糜诒粶y圓盤的邊緣附近。當圓盤勻速轉動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖像如圖3所示。

      a.若在時間t內,霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請導出圓盤轉速N的表達式。

b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程。除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想。

 

 

 

 

 

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圖5-1所示,厚度為h,寬度為d的導體板放在垂直于它的磁感應強度為B的均勻磁場中,當電流通過導體板時,在導體板上側面A和下側面A′之間會產(chǎn)生電勢差,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應.實驗表明,當磁場不太強時,電勢差U、電流I和B的關系為U=k,式中的比例系數(shù)k稱為霍爾系數(shù).霍爾效應可解釋如下:外部磁場的洛倫茲力使運動的電子聚集在導體板的一側,在導體板的另一側會出現(xiàn)多余的正電荷,從而形成橫向電場,橫向電場對電子施加與洛倫茲力方向相反的靜電力,當靜電力與洛倫茲力達到平衡時,導體板上下兩側之間就會形成穩(wěn)定的電勢差.

圖5-1

設電流I是由電子的定向流動形成的,電子的平均定向速度為v,電量為e,回答下列問題:

(1)達到穩(wěn)定狀態(tài)時,導體板上側面A的電勢_____________下側面A′的電勢.(填“高于”“低于”或“等于”)

(2)電子所受的洛倫茲力的大小為_____________.

(3)當導體板上下兩側之間的電勢差為U時,電子所受靜電力的大小為_____________.

(4)由靜電力和洛倫茲力平衡的條件,證明霍爾系數(shù)為k=,其中n代表導體單位體積中電子的個數(shù).

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