如圖所示，豎直平面內(nèi)有一半徑為R的半圓形光滑絕緣軌道，其底端B與光滑絕緣水平軌道相切，整個系統(tǒng)處在豎直向上的勻強電場中，一質(zhì)量為m，電荷量為q帶正電的小球以v₀的初速度沿水平面向右運動，通過圓形軌道恰能到達圓形軌道的最高點C，從C點飛出后落在水平面上的D點，試求：
（1）小球到達C點時的速度v_C及電場強度E；
（2）BD間的距離s；
（3）小球通過B點時對軌道的壓力N．

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如圖所示，豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R₁、粗細均勻的光滑半圓形金屬環(huán)，在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接，EF之間接有電阻R₂，已知R₁=12R，R₂=4R．在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II，磁感應(yīng)強度大小均為B．現(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導(dǎo)體棒ab，從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落，在下落過程中導(dǎo)體棒始終保持水平，與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好，兩平行軌道中夠長．已知導(dǎo)體棒ab下落r/2時的速度大小為v₁，下落到MN處的速度大小為v₂．
（1）求導(dǎo)體棒ab從A下落r/2時的加速度大�。�
（2）若導(dǎo)體棒ab進入磁場II后棒中電流大小始終不變，求磁場I和II之間的距離h和R₂上的電功率P₂．
（3）當(dāng)導(dǎo)體棒進入磁場II時，施加一豎直向上的恒定外力F=mg的作用，求導(dǎo)體棒ab從開始進入磁場II到停止運動所通過的距離和電阻R₂上所產(chǎn)生的熱量．

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如圖所示，豎直平面內(nèi)有一半徑為r、內(nèi)阻為R₁、粗細均勻的光滑半圓形金屬環(huán)球，在M、N處與相距為2r、電阻不計的平行光滑金屬軌道ME、NF相接，EF之間接有電阻R₂，已知R₁=12R，R₂=4R．在MN上方及CD下方有水平方向的勻強磁場I和II，磁感應(yīng)強度大小均為B．現(xiàn)有質(zhì)量為m、電阻不計的導(dǎo)體棒ab，從半圓環(huán)的最高點A處由靜止下落，在下落過程中導(dǎo)體棒始終保持水平，與半圓形金屬環(huán)及軌道接觸良好，且平行軌道足夠長．已知導(dǎo)體棒ab下落r/2時的速度大小為v₁，下落到MN處的速度大小為v₂．
（1）求導(dǎo)體棒ab下落到

r

2

時的加速度大�。�
（2）若導(dǎo)體棒ab進入磁場Ⅱ后棒中電流大小始終不變，求磁場I和Ⅱ之間的距離h和R₂上的電功率P₂．

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1．D    2．C    3．D    4．A    5．C

6．A    7．D    8．D    9．D    10．B   11．B   12．B   13．A

14．B   15．C   16．B   17．A   18．C   19．AC    20．BC  21．C

22．（1）10.004      （2）0.80           0.25

（3）

23．(1)由

24．

25．（1）（7分）分析可知，每個粒子通過電場區(qū)域的時間極短，遠小于電壓變化周期0.4s，所以粒子通過電場區(qū)域時電場可視作是恒定不變的（1分）

設(shè)兩板間電壓為U₁時,帶電粒子剛好從極板邊緣射出電場,則有（1分）

代入數(shù)據(jù)解得：U₁=100V ………………（1分）

可見：在電壓低于100V時，帶電粒子才能從兩板間射出，電壓高于100V時，帶電粒子打在極板上，不能從兩板間射出�！�……………（1分）

而粒子的偏移量為………………（1分）

粒子偏移量y與所加偏轉(zhuǎn)電壓u成正比,即出射點位置隨時間勻速移動。圖線如下

………………（2分）

（2）（7分）設(shè)粒子進入磁場時速度方向與OO'的夾角為θ，則速度大小（1分）

粒子在磁場中做圓周運動的軌道半徑（1分）

粒子從磁場中飛出的位置與進入磁場的位置之間的距離為s

………………（2分）

代入數(shù)據(jù)，解得s=0.4m，………………（1分）

可見：s與θ無關(guān)，即射出電場的任何一個帶電粒子進入磁場的入射點與出射點間距離恒為定值�！�……………（2分）

（3）（6分）粒子飛出電場進入磁場，在磁場中按逆時針方向做勻速圓周運動。粒子飛出電場時的速度方向與OO'的最大夾角為α，

�！�…（2分）

當(dāng)粒子從下板邊緣飛出電場再進入磁場時，

在磁場中運動時間最長

=3π×10^-6s=9.42×10^-6s(2分)

當(dāng)粒子從上板邊緣飛出電場再進入磁場時，在磁場中運動時間最短

=π×10^-6s=3.14×10^-6s（2分）

26．（13分）

(1)、Na⁺、H⁺（3分）

(2)（3分，不帶單位不扣分）

(3)<；(1分)     NH₄⁺+H₂ONH₃?H₂O+H⁺，NH₄⁺水解使溶液顯酸性(2分)

(4)c(SO₄^2―)=c(Na⁺)>c(NH₄⁺)>c(H⁺)>c(OH^―) （3分）

(5)= (1分)

27．（16分，每空2分）

(1)A： K：； 醛基； 

(2)c、i （漏選扣1分，錯選不給分）

(3)

（4）

(5)2CH₄O(l)+3O₂(g)＝2CO₂(g)+4H₂O(l)；△H＝-64akJ/mol（見錯不給分）

28．（15分）

（1）_紅棕色  Fe(CO)₅或者FeC₅O₅  O＝C＝O（各2分）
（2）2Cl^－－2e^－＝C1₂↑（2分）
（3）Fe₂O₃＋3CO2Fe＋3CO₂（2分）
（4）2Fe^3＋＋Fe＝3Fe^2＋（2分）

（5）FeCl₃溶液中存在FeCl₃＋3H₂OFe (OH)₃＋3HCl，加熱促進水解，又由于生成的氯化氫氣體不斷揮發(fā)，使水解完全，生成的Fe(OH)₃灼燒時發(fā)生分解2Fe(OH)₃Fe₂O₃＋3H₂O，所以得到的是Fe₂O₃，得不到無水FeCl₃（3分）

29．（16分，每空2分）

（1）Ca(OH)₂+2SO₂=Ca(HSO₃)₂

（2）SO₂溶解度大,且對應(yīng)的亞硫酸酸性比碳酸強，通入的SO₂與石灰水反應(yīng)快

（3）增加尾氣吸收裝置；拔掉磨口玻璃塞或轉(zhuǎn)動玻璃塞讓凹槽對準(zhǔn)小孔；bcdef（漏選3個及以上不給分，錯選不給分）

（4）①Cu＋2H₂SO₄(濃)CuSO₄＋SO₂↑＋2H₂O

②反應(yīng)過程中H₂SO₄被不斷消耗，且生成的水逐漸增多，使?jié)饬蛩嶂饾u變稀，至一定濃度就不再與銅片反應(yīng)；

③A、D（漏選扣1分，錯選不給分）

（注：全卷方程式未配平不給分，若條件或生成物箭頭錯各扣1分，扣完為止。）

30.（16分）（I）（每空2分）（1）突變和基因重組  人工選擇  隔離 

（2）增施農(nóng)家肥 施用NH₄HCO₃ 等       

（3）可以增大種植的密度，增加光合作用面積      種內(nèi)斗爭加劇，平均每株玉米占有的陽光、水分、礦質(zhì)元素等資源少  

（4）①可以充分利用光能；②保證通風(fēng)良好，提高CO₂的含量；③玉米和大豆的根系分布于不同的土層，可以充分利用不同土層中的水分和礦質(zhì)元素；④與大豆共生的根瘤菌，遺留在土壤中，可以提高土壤的含氮量 

（II）（每空1分）（1）突觸小泡 擴大突觸后膜面積       

（2）神經(jīng)遞質(zhì)只能由突觸前膜釋放，作用于突觸后膜      

（3）自身免疫 抗原決定簇  抗原

31. （26分）（I）（每空2分）（1）基因A為真核基因，編碼區(qū)中有外顯子和內(nèi)含子，不能在原核細胞中正確表達

（2）①一種氨基酸可由多種密碼子決定  ②該植物基因型為AA，只有一條染色體上的A基因突變成了a基因     

（3）aaBB    紫色：藍色：白色 = 9：3：4     

（4）13和11 DDd和d    

（5）Y   X突變體只是一個氨基酸發(fā)生改變，而Y突變體由于其模板mRNA多了一個堿基使得第一個氨基酸之后都發(fā)生改變

（II）（1）隱性（2分）

（2）觀點：第二種觀點正確（2分）   

遺傳圖解：如下圖（圖解及文字各2分）

文字說明：采用正交和反交，不論為胚發(fā)育提供營養(yǎng)的母本是巨胚(gcgc)還是正常胚(GcGc)，F(xiàn)_l的基因型為Gcgc都表現(xiàn)為正常胚。說明第二種觀點正確。