組成元素:C .H.O.N等.有的有S.P 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

組成蛋白質(zhì)的元素主要有C、H、O、N及S、P和少量的Cu、Fe、Zn等，其中銅及其合金是人類最早使用的金屬材料，用途廣泛．

(1)銅原子的核外電子排布式是________；O、N、S的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______．

(2)銅的熔點(diǎn)比鈣高，其原因是________；下圖是金屬Ca和Cu所形成的某種合金的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，則該合金中Ca和Cu的原子個(gè)數(shù)比為_(kāi)_______．

(3)Cu2+能與NH3、H2O、Cl－等形成配位數(shù)為4的配合物．

①[Cu(NH3)4]2+中存在的化學(xué)鍵類型有________(填序號(hào))．

A．配位鍵

B．金屬鍵

C．極性共價(jià)鍵

D．非極性共價(jià)鍵

E．離子鍵

②[Cu(NH3)4]2+具有對(duì)稱的空間構(gòu)型，[Cu(NH3)4]2+中的兩個(gè)NH3被兩個(gè)Cl－取代，能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物，則[Cu(NH3)4]2+的空間構(gòu)型為_(kāi)_______(填序號(hào))．

A．平面正方形

B．正四面體

C．三角錐型

D．V型

③某種含Cu2+的化合物可催化丙烯醇制備丙醛的反應(yīng)：

HOCH2CH＝CH2→CH3CH2CHO．在丙烯醇分子中發(fā)生某種方式雜化的碳原子數(shù)是丙醛分子中發(fā)生同樣方式雜化的碳原子數(shù)的2倍，則這類碳原子的雜化方式為_(kāi)_______．

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⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲ 晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有   ▲   的原子或離子

⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲  。

②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有  ▲   。   

a．配位鍵     b．極性鍵    c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲  。

 

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（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為   ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為  ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于 ▲  晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是  ▲  。

②SO2分子的空間構(gòu)型為 ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲   。

a．配位鍵    b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為   ▲  。

 

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⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲  晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲  。

②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲   。   

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲  。

 

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（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲  晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對(duì)的原子或離子，另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲  。

②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲   。

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲  。

 

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