13.如圖所示.正方形線框abcd放在光滑絕緣的水平面上.其邊長.質(zhì)量.電阻.M.N分別為線框ad.bc邊的中點.圖示兩個虛線區(qū)域內(nèi)分別有豎直向下和向上的勻強磁場.磁感應強度均為.PQ為其分界線.線框從圖示位置以速度勻速向右滑動.當MN與PQ重合時.線框的速度.此時立刻對線框施加一沿運動方向的水平拉力.使線框勻速運動直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域.求: (1)線框由圖示位置運動到MN與PQ重合的過程中磁通量的變化量, (2)線框運動過程中最大加速度的大小, (3)在上述運動過程中.線框中產(chǎn)生的焦耳熱. 查看更多

 

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精英家教網(wǎng)如圖所示,正方形線框abcd放在光滑絕緣的水平面上,其邊長L=0.5m、質(zhì)量m=0.5kg、電阻R=0.5Ω,M、N分別為線框ad、bc邊的中點.圖示兩個虛線區(qū)域內(nèi)分別有豎直向下和向上的勻強磁場,磁感應強度均為B=1T,PQ為其分界線.線框從圖示位置以速度
V0=2m/s勻速向右滑動,當MN與PQ重合時,線框的速度V1=1m/s,此時立刻對線框施加一沿運動方向的水平拉力,使線框勻速運動直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域.求:
(1)線框由圖示位置運動到MN與PQ重合的過程中磁通量的變化量;
(2)線框運動過程中最大加速度的大。
(3)在上述運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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如圖所示,正方形線框abcd放在光滑絕緣的水平面上,其邊長L=0.5m、質(zhì)量m=0.5kg、電阻R=0.5Ω,M、N分別為線框ad、bc邊的中點.圖示兩個虛線區(qū)域內(nèi)分別有豎直向下和向上的勻強磁場,磁感應強度均為B=1T,PQ為其分界線.線框從圖示位置以速度v0=2m/s勻速向右滑動,當MN與PQ重合時,線框的速度v1=1m/s,此時立刻對線框施加一沿運動方向的水平拉力,使線框勻速運動直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域.求:

(1)線框由圖示位置運動到MN與PQ重合的過程中磁通量的變化量;
(2)線框運動過程中最大加速度的大小;
(3)線框在圖示位置起直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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如圖所示,正方形線框abcd放在光滑絕緣的水平面上,其邊長L=0.5m、質(zhì)量m=0.5kg、電阻R=0.5Ω,M、N分別為線框ad、bc邊的中點.圖示兩個虛線區(qū)域內(nèi)分別有豎直向下和向上的勻強磁場,磁感應強度均為B=1T,PQ為其分界線.線框從圖示位置以速度v0=2m/s勻速向右滑動,當MN與PQ重合時,線框的速度v1=1m/s,此時立刻對線框施加一沿運動方向的水平拉力,使線框勻速運動直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域.求:

(1)線框由圖示位置運動到MN與PQ重合的過程中磁通量的變化量;

(2)線框運動過程中最大加速度的大;

(3)線框在圖示位置起直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

 

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如圖所示,正方形線框abcd放在光滑絕緣的水平面上,其邊長L=0.5m、質(zhì)量m=0.5kg、電阻R=0.5Ω,M、N分別為線框ad、bc邊的中點.圖示兩個虛線區(qū)域內(nèi)分別有豎直向下和向上的勻強磁場,磁感應強度均為B=1T,PQ為其分界線.線框從圖示位置以速度
V0=2m/s勻速向右滑動,當MN與PQ重合時,線框的速度V1=1m/s,此時立刻對線框施加一沿運動方向的水平拉力,使線框勻速運動直至完全進入右側(cè)勻強磁場區(qū)域.求:
(1)線框由圖示位置運動到MN與PQ重合的過程中磁通量的變化量;
(2)線框運動過程中最大加速度的大。
(3)在上述運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.
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如圖所示,正方形線框abcd放在光滑絕緣的水平面上,其質(zhì)量m=0.5 kg、電阻R=0.5 Ω、邊長L=0.5 m。M,N分別為線框ad,bc邊的中點。圖示兩個虛線區(qū)域內(nèi)分別有豎直向下和豎直向上的勻強磁場,磁感應強度均為B=1 T,PQ為其分界線,線框從圖示位置以初速度v0=2 m/s向右滑動,當MN 與PQ重合時,線框的瞬時速度方向仍然向右,求:
(1)線框由圖示位置運動到MN與PQ重合的過程中磁通量的變化量;
(2)線框運動過程中最大加速度的大小。

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