等質(zhì)量的Si和O2在密閉容器中反應(yīng)后.剩下固體中含氧質(zhì)量分?jǐn)?shù)是( ) A.<50% B.50% C.>50% D.不能確定 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

等質(zhì)量的Si和O2在密閉容器中反應(yīng)后,剩下固體中含氧質(zhì)量分?jǐn)?shù)是()


  1. A.
    <50%
  2. B.
    50%
  3. C.
    >50%
  4. D.
    不能確定

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等質(zhì)量的SiO2在密閉容器中反應(yīng)后,剩下固體中含氧質(zhì)量分?jǐn)?shù)是(。

A.<50        B50

C.>50        D.不能確定

 

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等質(zhì)量的SiO2在密閉容器中反應(yīng)后,剩下固體中含氧質(zhì)量分?jǐn)?shù)是( )

A.<50        B50

C.>50        D.不能確定

 

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某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖I裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問(wèn)題:
(1)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)__________________
(2)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)____________________有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說(shuō)法正確的是_________(填序號(hào))。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)的KI-淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的原理,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí),通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于”、“小于”或“等于”)通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因:___________________________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g),達(dá)到平衡后,H2與SiHCl3的物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020 mol/L,若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為_(kāi)_____kg。

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某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問(wèn)題。
(1)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)____________。
(2)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)_______________________;有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說(shuō)法正確的是(填序號(hào))___________。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí),通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于” “小于”或“等于”)通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為_(kāi)_______kg。

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