在xOy平面內(nèi).有許多電子從坐標(biāo)原點(diǎn)O不斷以大小為v0的速度沿不同的方向射入第一象限.如圖所示.現(xiàn)加上一個(gè)垂直于xOy平面向里的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).要求進(jìn)入該磁場(chǎng)的電子穿過(guò)該磁場(chǎng)后都能平行于y軸向y軸負(fù)方向運(yùn)動(dòng).已知電子的質(zhì)量為m.電荷量為e.(不考慮電子間的相互作用力和重力.且電子離開(kāi)O點(diǎn)即進(jìn)入磁場(chǎng).) (1)求電子做作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R, (2)在圖中畫(huà)出符合條件的磁場(chǎng)最小面積范圍, (3)求該磁場(chǎng)的最小面積. 武昌區(qū)2009屆高三年級(jí)元月調(diào)考物理答題卷 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(13分)在xOy平面內(nèi),有許多電子從坐標(biāo)原點(diǎn)O不斷以大小為v0的速度沿不同的方向射入第一象限,如圖所示.現(xiàn)加上一個(gè)垂直于xOy平面向里的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要求進(jìn)入該磁場(chǎng)的電子穿過(guò)該磁場(chǎng)后都能平行于y軸向y軸負(fù)方向運(yùn)動(dòng).已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e.(不考慮電子間的相互作用力和重力,且電子離開(kāi)O點(diǎn)即進(jìn)入磁場(chǎng).)

(1)求電子做作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

(2)在圖中畫(huà)出符合條件的磁場(chǎng)最小面積范圍(用陰影線表示);

(3)求該磁場(chǎng)的最小面積.

 

 

 

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(2009?武昌區(qū)模擬)在xOy平面內(nèi),有許多電子從坐標(biāo)原點(diǎn)O不斷以大小為v0的速度沿不同的方向射入第一象限,如圖所示.現(xiàn)加上一個(gè)垂直于xOy平面向里的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要求進(jìn)入該磁場(chǎng)的電子穿過(guò)該磁場(chǎng)后都能平行于y軸向y軸負(fù)方向運(yùn)動(dòng).已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e.(不考慮電子間的相互作用力和重力,且電子離開(kāi)O點(diǎn)即進(jìn)入磁場(chǎng).)
(1)求電子做作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
(2)在圖中畫(huà)出符合條件的磁場(chǎng)最小面積范圍(用陰影線表示);
(3)求該磁場(chǎng)的最小面積.

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在xOy平面內(nèi)有許多電子(質(zhì)量為m,電量為e)從坐標(biāo)原點(diǎn)O不斷地以相同大小的速度v0沿不同的方向射入第一象限,如圖所示,現(xiàn)加一個(gè)垂直于xOy平面的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要求這些電子穿過(guò)該磁場(chǎng)后都能平行于x軸向x軸正方向運(yùn)動(dòng),試求出符合條件的磁場(chǎng)的最小面積

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xoy平面內(nèi)有許多電子(質(zhì)量為m,電量為e),從坐標(biāo)原點(diǎn)o不斷以相同速率V0沿不同方向射入第一象限,如圖15所示,現(xiàn)加一個(gè)垂直于xoy平面內(nèi)、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要求這些電子穿過(guò)磁場(chǎng)后能平行于x軸向x正方向運(yùn)動(dòng),求符合該條件磁場(chǎng)的最小面積。

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xoy平面內(nèi)有許多電子(質(zhì)量為m,電量為e),從坐標(biāo)原點(diǎn)o不斷以相同速率V0沿不同方向射入第一象限,如圖15所示,現(xiàn)加一個(gè)垂直于xoy平面內(nèi)、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要求這些電子穿過(guò)磁場(chǎng)后能平行于x軸向x正方向運(yùn)動(dòng),求符合該條件磁場(chǎng)的最小面積。

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