多晶硅被稱為“微電子大廈的基石 .制備中副產物以SiCl4為主.它對環(huán)境污染很大.能遇水強烈水解.放出大量的熱.研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成份為BaCO3.且含有鈣.鐵.鎂等離子)制備BaCl2·2H2O.工藝流程如下.已知常溫下Fe3+.Mg2+完全沉淀的pH分別是:3.4.12.4. (1)SiCl4水解控制在40℃以下的原因是 . 已知:SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3 ΔH1=47 kJ/mol SiHCl3(s)+H2 ΔH2=189 kJ/mol 則由SiCl4制備硅的熱化學方程式為 . (2)加鋇礦粉時生成BaCl2的離子反應方程式是 . (3)加20% NaOH調節(jié)pH=12.5.得到濾渣A的主要成分是 .控制溫度70℃的目的是 . (4)BaCl2濾液經蒸發(fā)濃縮.降溫結晶.過濾.再經真空干燥后得到·2H2O.實驗室中蒸發(fā)濃縮用到的含硅酸鹽的儀器有 種. (5)為體現該工藝的綠色化學思想.該工藝中能循環(huán)利用的物質是 . 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

多晶硅(硅單質的一種)被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它對環(huán)境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成分為BaCO3，且含有鈣、鐵、鎂等離子)制備BaCl2·2H2O，工藝流程如圖所示。已知常溫下Fe3＋、Mg2＋完全沉淀的pH分別是3.4、12.4。

(1)SiCl4水解控制在40 ℃的原因是___________________________________。
已知：SiCl4(s)＋H2(g)=SiHCl3(s)＋HCl(g) ΔH1＝＋47 kJ·mol－1
Si(s)＋3HCl(g)=SiHCl3(s)＋H2(g) ΔH2＝－189 kJ·mol－1
則由SiCl4制備硅的熱化學方程式為__________________________________。
(2)加鋇礦粉時生成BaCl2的離子反應方程式是_________________________。
(3)加20% NaOH溶液調節(jié)pH＝12.5，得到濾渣A的主要成分是________，控制溫度70 ℃的目的是____________________________________________。
(4)BaCl2濾液經蒸發(fā)濃縮、降溫結晶、過濾，再經真空干燥后得到BaCl2·2H2O。實驗室中蒸發(fā)濃縮，用到的含硅酸鹽的儀器有__________種。
(5)為體現該工藝的綠色化學思想，該工藝中能循環(huán)利用的物質是____________。

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多晶硅(硅單質的一種)被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它對環(huán)境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉(主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子)制備BaCl2·2H2O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．

②M(BaCO3)＝197 g/mol，M(BaCl2·2H2O)＝244 g/mol

(1)SiCl4水解反應的方程式為________．

已知：SiCl4(s)＋H2(g)SiHCl3(s)＋HCl(g)　ΔH1＝＋47 kJ/mol

SiHCl3(s)＋H2(g)Si(s)＋3HCl(g)　ΔH2＝＋189 kJ/mol

則由SiCl4制備硅的熱化學方程式為________．

(2)加鋇礦粉并調節(jié)pH＝7的作用是使BaCO3轉化為BaCl2和________．

(3)加20％　NaOH調節(jié)pH＝12.5，得到濾渣A的主要成分是________．

(4)BaCl2濾液經________、________、過濾、洗滌，再經真空干燥后得到BaCl2·2H2O．

(5)10噸含78.8％　BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2·2H2O________噸．

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多晶硅（硅單質的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它對環(huán)境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
②M （BaCO3）=197g/mol，M（BaCl2?2H2O）=244g/mol

（1）SiCl4水解反應的方程式為
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
，SiCl4水解控制在40℃的原因是
防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應過于劇烈
防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應過于劇烈
．
（2）已知：SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol
SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol則由SiCl4制備硅的熱化學方程式為
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
．
（3）加鋇礦粉并調節(jié)pH=7的作用是使BaCO3轉化為BaCl2和
使Fe3+完全沉淀
使Fe3+完全沉淀
．
（4）加20% NaOH調節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
Mg（OH）2
Mg（OH）2
．
（5）BaCl2濾液經
蒸發(fā)濃縮
蒸發(fā)濃縮
、冷卻結晶、
過濾
過濾
、洗滌，再經真空干燥后得到BaCl2?2H2O．

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（12分）多晶硅（硅單質的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它環(huán)境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成分為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子），制備BaCl2．2H2O，工藝流程如下：

已知：
①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的PH分別是3.4、12.4
②BaCO3的相對分子質量是197；BaCl2．2H2O的相對分子質量是244
回答下列問題：
⑴SiCl4發(fā)生水解反應的化學方程式_______________________________________
⑵SiCl4用H2還原可制取純度很高的硅，當反應中有1mol電子轉移時吸收59KJ熱量，則該反應的熱化學方程式為_____________________________________________
⑶加鋇礦粉調節(jié)PH=7的作用是①使BaCO3轉化為BaCl2 ②_______________________
⑷生成濾渣A的離子方程式__________________________________________
⑸BaCl2濾液經______、________、過濾、_________，再經真空干燥后得到BaCl2．2H2O
⑹10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2．2H2O___________噸。

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多晶硅（硅單質的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產物以SiCl4為主，它環(huán)境污染很大，能遇水強烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成分為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2·2H2O，工藝流程如下：

已知：

①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是3.4、12.4

②BaCO3的相對分子質量是197；BaCl2·2H2O的相對分子質量是244

回答下列問題：

（1）SiCl4發(fā)生水解反應的化學方程式為_______________________________________

（2）用H2還原SiCl4蒸汽可制取純度很高的硅，當反應中有1mol電子轉移時吸收59KJ熱量，則該反   應的熱化學方程式為_____________________________________________

（3）加鋇礦粉并調節(jié)pH=7的目的是①                ，②               

（4）過濾②后的濾液中Fe3+濃度為           （濾液溫度25℃，Ksp[Fe(OH)3]=2.2×10-38）

（5）生成濾渣A的離子方程式__________________________________________

（6）列式計算出10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2·2H2O的質量為多少噸？

 

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