題目列表(包括答案和解析)
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①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應制得純硅
已知SiHCl3能與H2O強烈反應,在空氣中易自燃。
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學反應方程式為_______________________________。
(2)粗硅與HCl反應完全后,經冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為____________________。
(3)用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是_________________________。
裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________。
②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________,裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為__________________________________________。
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及______________________________________。
④為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質,將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_________________。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na2SO3溶液
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl3:
Si+3HClSiHCl3+H2
③SiHCl與過量H2在1 000—1 100℃反應制得純硅
已知SiHCl3能與H2O強烈反應,在空氣中易自然。
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學反應方程式為__________________________________________。
(2)粗硅與HCl反應完全后,經冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為_______。
(3)用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去):
圖1-3-8
①裝置B中的試劑是_______。
裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________________。
②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。
裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________,裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為______________________________。
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及_______。
④為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質,將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_______。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na2SO3溶液
(18分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應制SiHCl3:Si+3HCl SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應制得純硅。
已知SiHCl3能與H2O強烈反應,在空氣中易自燃。
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學反應方程式為 。
(2)粗硅與HCl反應完全后,經冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為: 。
(3)用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是 ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是: 。
②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是 ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 ,裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為 。
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及 。
④為鑒定產品硅中是否含微量鐵單質,將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na2SO3溶液
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