題目列表(包括答案和解析)
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3 |
mg |
q |
(16分)如圖所示,有一與豎直方向夾角為45°的直線邊界,其左下方有一正交的勻強電磁場,磁場方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強度B=5/3T;電場方向豎直向上,場強E=mg/q=10N/C,一質(zhì)量為m=2×10-5kg,電荷量q=+2×10-5C的小球從邊界上N點正上方高為h=0.2m處的M點靜止釋放,下落到N點時小球瞬間爆炸成質(zhì)量、電荷量均相等的A、B兩塊,已知爆炸后A向上運動,能達到的最大高度為4h;B向下運動進入電磁場區(qū)域,此后A也將進入電磁場區(qū)域.g=10m/s2求:
(1) B剛進入電磁場區(qū)域的速度v1?
(2) B第二次進入電磁場區(qū)域的速度v2?
(3)設(shè)B、A第二次進入電磁場時,與邊界OO'交點分別為P、Q,求PQ之間的距離.
如圖所示,有一與豎直方向夾角為45°的直線邊界,其左下方有一正交的勻強電磁場,磁場方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強度B=5/3T;電場方向豎直向上,場強E=mg/q=10N/C,一質(zhì)量為m=2×10-5kg,電荷量q=+2×10-5C的小球從邊界上N點正上方高為h=0.2m處的M點靜止釋放,下落到N點時小球瞬間爆炸成質(zhì)量、電荷量均相等的A、B兩塊,已知爆炸后A向上運動,能達到的最大高度為4h;B向下運動進入電磁場區(qū)域,此后A也將進入電磁場區(qū)域.g=10m/s2求:
1. B剛進入電磁場區(qū)域的速度v1?
2.B第二次進入電磁場區(qū)域的速度v2?
3.設(shè)B、A第二次進入電磁場時,與邊界OO'交點分別為P、Q,求PQ之間的距離.
(16分)如圖所示,有一與豎直方向夾角為45°的直線邊界,其左下方有一正交的勻強電磁場,磁場方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強度B=5/3T;電場方向豎直向上,場強E=mg/q=10N/C,一質(zhì)量為m=2×10-5kg,電荷量q=+2×10-5C的小球從邊界上N點正上方高為h=0.2m處的M點靜止釋放,下落到N點時小球瞬間爆炸成質(zhì)量、電荷量均相等的A、B兩塊,已知爆炸后A向上運動,能達到的最大高度為4h;B向下運動進入電磁場區(qū)域,此后A也將進入電磁場區(qū)域.g=10m/s2求:
(1) B剛進入電磁場區(qū)域的速度v1?
(2) B第二次進入電磁場區(qū)域的速度v2?
(3)設(shè)B、A第二次進入電磁場時,與邊界OO'交點分別為P、Q,求PQ之間的距離.
(16分)如圖所示,有一與豎直方向夾角為45°的直線邊界,其左下方有一正交的勻強電磁場,磁場方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強度B=5/3T;電場方向豎直向上,場強E=mg/q=10N/C,一質(zhì)量為m=2×10-5kg,電荷量q=+2×10-5C的小球從邊界上N點正上方高為h=0.2m處的M點靜止釋放,下落到N點時小球瞬間爆炸成質(zhì)量、電荷量均相等的A、B兩塊,已知爆炸后A向上運動,能達到的最大高度為4h;B向下運動進入電磁場區(qū)域,此后A也將進入電磁場區(qū)域.g=10m/s2求:
(1) B剛進入電磁場區(qū)域的速度v1?
(2) B第二次進入電磁場區(qū)域的速度v2?
(3)設(shè)B、A第二次進入電磁場時,與邊界OO'交點分別為P、Q,求PQ之間的距離.
一、選擇題(每小題中至少有一個答案是正確的,全對得4分,不全得2分,錯與不答得0分.)
1.C 2.B D 3.B 4.D 5.A C 6.B 7.B 8.C D 9.B 10.A B D 11.A 12.A D 13.C 14.B
二、填空題(每空2分,共20分)答錯、不答和答案不能辯認的為0分
15.(4分)①a=____1.93____m/s2。②v=__1.18__ m/s。(答案均要求保留3位有效數(shù)字)
16.(4分)(1)逆時針 。(2) 大
17.(6分)(1)B= IR/2πLhf 。10-5 T。 (2)0 。
18.(6分) a b Rx= .
三、計算題(8+8+8=24分)每題要寫出公式,代入相應(yīng)的數(shù)據(jù),最后得出答案.(21題是選做題,只能選取一題計入總分,多答不得分)
19.
解:對A、B、C整體,從C以v0滑上木塊到最終B、C達到共同速度V,其動量守恒既:
m v0=2mV1+3mv (2分)
1.8=2V1+3×0.4 (1分)
V1=
對A、B、C整體,從C以v0滑上木塊到C以V2剛離開長木板,
此時A、B具有共同的速度V1。其動量守恒既:
m v0=mV2+4mv1 (2分)
1.8=V2+4×0.3 (1分)
V2=
20.
解:(1)當(dāng)線框上邊ab進入磁場,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流I,由楞次定律
可知產(chǎn)生阻礙運動的安培力為F=Bil (1分)
由于線框勻速運動,線框受力平衡,F(xiàn)+mg=Mg (1分)
聯(lián)立求解,得I=
由歐姆定律可得,E=IR=0.16V (1分)
由公式E=Blv,可求出v=
F=BIl=0.4N (1分)
(2)重物M下降做的功為W=Mgl=0.14J (1分)
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